Productgegevens
Modelnummer: SPS120MB12G6S
Betaling en verzendvoorwaarden
Configuratie: |
Alleenstaande |
Huidig - Collector ((Maximum) Ic): |
200A |
Huidig - Gepulseerde Collector (Icm): |
400A |
Moduletype: |
IGBT |
Montage-type: |
Chassismontage |
Werktemperatuur: |
-40 °C ~ 150 °C |
Pakket / doos: |
Module |
Pakkettype: |
62 mm |
Vermogen - Max.: |
600 W |
Verpakking van de leverancier: |
62 mm |
(Maximum) Vce () @ Vge, Ic: |
2.5V @ 15V, 100A |
Voltage - (de Maximum) Analyse van de Collectorzender: |
1200 V |
Configuratie: |
Alleenstaande |
Huidig - Collector ((Maximum) Ic): |
200A |
Huidig - Gepulseerde Collector (Icm): |
400A |
Moduletype: |
IGBT |
Montage-type: |
Chassismontage |
Werktemperatuur: |
-40 °C ~ 150 °C |
Pakket / doos: |
Module |
Pakkettype: |
62 mm |
Vermogen - Max.: |
600 W |
Verpakking van de leverancier: |
62 mm |
(Maximum) Vce () @ Vge, Ic: |
2.5V @ 15V, 100A |
Voltage - (de Maximum) Analyse van de Collectorzender: |
1200 V |
De in de bijlage bij Verordening (EG) nr. 1272/2008 vermelde gegevens moeten worden verzameld.
1200 V 120A SiC MOSFET De helft. De brug Module
Kenmerken:
Typisch Toepassingen:
MOSFET
Maximaal Nominale waarden/ Maximale vaste waarde |
|||||||
Artikel 1 |
Symbool |
Voorwaarden |
Waarde |
Eenheden |
|||
漏极-源极 elektrische druk Spanning van de afvoerbron |
VDSS |
Tvj=25°C |
1200 |
V |
|||
continue leek uitstekende rechtstreekse stroom Continu D.C. afvoerstroom |
Identificatie |
VGS=20V, TC= 25°C, Tvjmax=175°C VGS=20V, TC= 85°C, Tvjmax=175°C |
180
120 |
Een |
|||
脉冲漏极 elektrostroom Pulserende afvoer stroom |
Identificatie Puls |
Breedte van de puls tpbeperkt doorTvjmax |
480 |
Een |
|||
totaal vermogen Totaal vermogen ontlasting |
Ptot |
TC= 25°C,Tvjmax=175°C |
576 |
W |
|||
极峰值 elektrische druk Maximale spanning van de poortbron |
VGSS |
- 10/25 |
V |
||||
Kenmerkende waarden/ 特征waarde |
|||||||
Artikel 1 |
Symbool |
Voorwaarden |
- Min. Typus. Max, ik ben er klaar voor. |
Eenheden |
|||
漏极-源极通态 elektrische weerstand Afvoerbron aan weerstand |
RDS( op) |
Identificatie= 120A,VGS=20V |
Tvj=25°C Tvj=125°C Tvj=150°C |
13.0 16.0 18.0 |
16.0 |
mΩ mΩ mΩ |
|
极 值 elektrische druk Sluitingsdrempelspanning |
VGS(th) |
IC= 30 mA, VCE=VGE, Tvj=25°C IC= 30 mA, VCE=VGE, Tvj=150°C |
2.0 |
2.4 1.7 |
4.0 |
V |
|
跨导
Transconductiviteit |
gfs |
VDS = 20 V, Ik...DS = 120 A, Tvj=25°C VDS = 20 V, Ik...DS = 120 A, Tvj=150°C |
68.9 61.8 |
S |
|||
极电荷 极电荷 Poort belastingen |
Hoofdstuk |
VGE=-5V...+20V |
474 |
nC |
|||
内部 极电阻 Interne poort weerstand |
RGint |
Tvj=25°C |
2.2 |
Ω |
|||
Invoercapaciteit Invoercapaciteit |
- Ja. |
f=1MHz,TVj= 25°C, VDS=1000V, VAirconditioning=25mV, VGE=0V |
8850 |
pF |
|||
uitgangscapaciteit Output capaciteit |
Coes |
f=1MHz,TVj= 25°C, VDS=1000V, VAirconditioning=25mV, VGE=0V |
564 |
pF |
|||
Omgekeerde transmissiecapaciteit Omgekeerde overdrachtscapaciteit |
Cres |
f=1MHz,TVj= 25°C, VDS=1000V, VAirconditioning=25mV, VGE=0V |
66 |
pF |
|||
零 电压lekkelstroom Nulpoortspanning afvoer stroom |
IDSS |
VDS=1200V, VGS=0V, Tvj=25°C |
300 |
μEen |
|||
- Ja.-源极lekelstroming Port-bron lekstroom |
IGSS |
VDS=0V, VGS=20V, Tvj=25°C |
100 |
nA |
|||
开通延迟时间( elektrische belasting) Aanzetten vertragingstijd, inductief belastingen |
Td( op) |
Tvj= 25°C Tvj= 125°C Tvj=150°C |
10 8
8 |
N.B. N.B. N.B. |
|||
Upgrade tijd( elektrische belasting) Tijd om op te staan. inductief belastingen |
tr |
Tvj= 25°C Tvj= 125°C Tvj=150°C |
36 34
34 |
N.B. N.B. N.B. |
|||
关断延迟时间( elektrische belasting) Vertragingstijd voor het uitschakelen inductief belastingen |
Td(weg) |
Identificatie=120A, VDS=600V VGS=-5/20V RGon=3,3Ω |
Tvj=25°C Tvj=125°C Tvj=150°C |
128 140
140 |
N.B. N.B. N.B. |
||
- Ik heb geen tijd.( elektrische belasting) De herfsttijd. inductief belastingen |
Tf |
RGoff=3,3Ω Lσ = 56 nH
Inductieve lading, |
Tvj=25°C Tvj=125°C Tvj=150°C |
62 62
62 |
N.B. N.B. N.B. |
||
开通 损耗能量(Elke impuls) Aanzetten energie Verlies per Puls |
Eon |
Tvj= 25°C Tvj= 125°C Tvj=150°C |
2.35 2.15 2.15 |
MJ MJ |
|||
关断 损耗能量(Elke impuls) Afsluitenergie Verlies per Puls |
Eof |
Tvj= 25°C Tvj= 125°C Tvj=150°C |
1.65 1.80 1.80 |
MJ MJ |
结-外 热阻 Thermische weerstand,Instelling tot geval |
RthJC |
Per MOSFET / Elke. MOSFET |
0.23 |
K/W |
||
werktemperatuur Temperatuur enEr overstappen voorwaarden |
Tvjop |
-40 150 |
°C |
|||
Diode/二极管
Maximaal Nominale waarden/ maximaal bedrag |
||||||
Artikel 1 |
Symbool |
Voorwaarden |
Waarde |
Eenheden |
||
continue rechtstreekse stroom stroom Continu diode naar voren stroom |
Indien |
VGS = -5 V, TC = 25 ̊C |
177 |
Een |
||
Kenmerkende waarden/ 特征waarde |
||||||
Artikel 1 |
Symbool |
Voorwaarden |
- Min. Typus. Max, ik ben er klaar voor. |
Eenheden |
||
rechtstreekse spanning Voorspanning |
VSD |
Indien=120A, VGS=0V |
Tvj= 25°C Tvj=150°C |
1.45 1.90 |
1.80 |
V V |
结-外 热阻 Thermische weerstand,Instelling tot geval |
RthJC |
Per diode Elke twee-hoekige buis |
0.30 |
K/W |
||
werktemperatuur Temperatuur enEr overstappen voorwaarden |
Tvjop |
-40 150 |
°C |
Module/ 模块 |
||||
Artikel 1 |
Symbool |
Voorwaarden |
Waarde |
Eenheden |
绝缘 testspanning Isolatie-testspanning |
VISOL |
RMS, f=50Hz, t=1min |
2.5 |
kV |
模块基板材料 Materiaal van module basisplaat |
C. |
|||
内部绝缘 Intern isolatie |
基本绝缘(klasse 1, Ik...EG 61140) Basis isolatie (klasse 1, IEC 61140) |
Al2O3 |
||
爬电距离 Krijpweg |
端子-散热片/ terminal to verwarmingsbak 端子-端子/terminal naar terminal |
29.0 23.0 |
mm |
|
电气间隙 Vergunning |
端子-散热片/ terminal to verwarmingsbak 端子-端子/terminal naar terminal |
23.0 11.0 |
mm |
|
Relatieve elektrische spoorindex Vergelijkend volgen index |
CTI |
> 400 |
Artikel 1 |
Symbool |
Voorwaarden |
- Min. |
Typus. |
Max, ik ben er klaar voor. |
Eenheden |
杂散电感,模块 (gebroken elektrisch gevoel, module) Stray inductantie module |
LsCE |
20 |
nH |
|||
module geleidingsdraad elektrische weerstand,端子-chip Module lood weerstand, eindpunten - chip |
RCC+EE |
TC=25°C |
0.465 |
mΩ |
||
storing temperatuur
Bergingstemperatuur |
Tstg |
-40 |
125 |
°C |
||
模块安装的安装扭矩 Montage koppel voor module montage |
M5 |
2.50 |
5.00 |
Nm |
||
端子 连接 torse Torque van de aansluiting van de terminal |
M6 |
3.00 |
5.00 |
Nm |
||
Gewicht
Gewicht |
G |
300 |
g |
MOSFET MOSFET
Outputkenmerken MOSFET (typisch) Outputkenmerken MOSFET (typisch)
IC=f (VCE) IC=f ((VCE)
Tvj=25°C Tvj=150°C
Normalisatie van de drainbron op de weerstand (typisch)
RDSon ((P.U.)=f(Tvj) RDSon=f(IDS)
IDS=120A VGS=20V VGS=20V
Afvoerbron op weerstand (typisch) Drempelspanning (typisch)
RDSon=f(Tvj) VDS(th)=f(Tvj)
IDS=120A VDS=VGS, IDS=30mA
MOSFET
Overdrachtskenmerk MOSFET (typisch) Voorwaartsdraagkenmerk Diode (typisch)
IDS=f ((VGS) IDS=f ((VDS)
VDS=20V Tvj=25°C
Voorwaarts karakteristiek van de diode (typische) karakteristiek van 3rdKwadrant (typisch)
IDS=f(VDS) IDS=f(VDS
Tvj=150°C Tvj=25°C
kenmerkend voor 3rdKwadrant (typisch) MOSFET-systeem voor het opladen van de poort (typisch)
IDS=f ((VDS) VGS=f ((QG)
Tvj=150°C VDS=800V, IDS=120A, Tvj=25°C
MOSFET
Capaciteitskenmerken MOSFET (typisch) Schakelverliezen MOSFET (typisch)
C=f ((VDS) E=f ((IC)
VGS=0V, Tvj=25°C, f=1MHz VGE=-5/20V, RG=3,3 Ω, VCE=600V
MOSFET MOSFET
Schakelverliezen MOSFET (typisch) Transiente thermische impedantie MOSFET
E=f (RG) ZthJC=f (t)
VGE=-5/20V, IC=120A, VCE=600V
Diode voor thermische impedantie
ZthJC=f (t)
De "1200V 120A SiC MOSFET Half Bridge Module" integreert twee siliciumcarbide MOSFET's in een half-brugconfiguratie.het zorgt voor een nauwkeurige bediening van de spanning (1200 V) en de stroom (120 A)Een effectieve koeling is van cruciaal belang voor een betrouwbare werking en gedetailleerde specificaties zijn te vinden in het gegevensblad van de fabrikant.
Circuits schema Hoofdstuk
Pakket overzichten