Jiangsu Solid Power Semiconductor Co.,Ltd
producten
producten
Thuis > producten > IGBT-modules 62 mm > Chassis Mount Sic MOSFET Power Module 1200V 120A DS-SPS120MB12G6S-S04310003

Chassis Mount Sic MOSFET Power Module 1200V 120A DS-SPS120MB12G6S-S04310003

Productgegevens

Modelnummer: SPS120MB12G6S

Betaling en verzendvoorwaarden

Vind de beste prijs
Markeren:

Sic MOSFET Power Module 1200V

,

120A Sic MOSFET-krachtmodule

,

120A Sic MOSFET-module

Configuratie:
Alleenstaande
Huidig - Collector ((Maximum) Ic):
200A
Huidig - Gepulseerde Collector (Icm):
400A
Moduletype:
IGBT
Montage-type:
Chassismontage
Werktemperatuur:
-40 °C ~ 150 °C
Pakket / doos:
Module
Pakkettype:
62 mm
Vermogen - Max.:
600 W
Verpakking van de leverancier:
62 mm
(Maximum) Vce () @ Vge, Ic:
2.5V @ 15V, 100A
Voltage - (de Maximum) Analyse van de Collectorzender:
1200 V
Configuratie:
Alleenstaande
Huidig - Collector ((Maximum) Ic):
200A
Huidig - Gepulseerde Collector (Icm):
400A
Moduletype:
IGBT
Montage-type:
Chassismontage
Werktemperatuur:
-40 °C ~ 150 °C
Pakket / doos:
Module
Pakkettype:
62 mm
Vermogen - Max.:
600 W
Verpakking van de leverancier:
62 mm
(Maximum) Vce () @ Vge, Ic:
2.5V @ 15V, 100A
Voltage - (de Maximum) Analyse van de Collectorzender:
1200 V
Chassis Mount Sic MOSFET Power Module 1200V 120A DS-SPS120MB12G6S-S04310003

De in de bijlage bij Verordening (EG) nr. 1272/2008 vermelde gegevens moeten worden verzameld.

 

1200 V 120A SiC MOSFET De helft. De brug Module

 

     Chassis Mount Sic MOSFET Power Module 1200V 120A DS-SPS120MB12G6S-S04310003 0

Kenmerken:

  • High Frequency Switching-toepassing
  • Nul omgekeerde terugwinningstroom van de diode
  • Nul-afschakelstroom van MOSFET
  • Ultra laag verlies
  • Gemakkelijkheid van parallellen

Typisch Toepassingen:

  • Inductieverwarming
  • Inverters voor zonne- en windenergie
  • DC/DC-omvormers
  • BatterijladdersChassis Mount Sic MOSFET Power Module 1200V 120A DS-SPS120MB12G6S-S04310003 1

 

MOSFET

 

Maximaal Nominale waarden/ Maximale vaste waarde

 

Artikel 1

 

Symbool

 

Voorwaarden

 

Waarde

 

Eenheden

 

漏极-源极 elektrische druk

Spanning van de afvoerbron

 

VDSS

 

Tvj=25°C

 

1200

 

V

 

continue leek uitstekende rechtstreekse stroom

Continu D.C. afvoerstroom

 

Identificatie

 

VGS=20V, TC= 25°C, Tvjmax=175°C

VGS=20V, TC= 85°C, Tvjmax=175°C

 

180

 

120

 

 

Een

 

脉冲漏极 elektrostroom

Pulserende afvoer stroom

 

Identificatie Puls

 

Breedte van de puls tpbeperkt doorTvjmax

 

480

 

Een

 

totaal vermogen

Totaal vermogen ontlasting

 

Ptot

 

TC= 25°C,Tvjmax=175°C

 

576

 

W

 

极峰值 elektrische druk

Maximale spanning van de poortbron

 

VGSS

 

 

- 10/25

 

V

 

Kenmerkende waarden/ 特征waarde

 

Artikel 1

 

Symbool

 

Voorwaarden

 

- Min. Typus. Max, ik ben er klaar voor.

 

Eenheden

 

漏极-源极通态 elektrische weerstand

Afvoerbron aan weerstand

 

 

RDS( op)

 

Identificatie= 120A,VGS=20V

 

Tvj=25°C

Tvj=125°C

Tvj=150°C

 

13.0

16.0 18.0

 

16.0

 

 

极 值 elektrische druk

Sluitingsdrempelspanning

 

 

VGS(th)

 

IC= 30 mA, VCE=VGE, Tvj=25°C

IC= 30 mA, VCE=VGE, Tvj=150°C

 

2.0

 

2.4

1.7

 

4.0

 

V

 

跨导

 

Transconductiviteit

 

gfs

 

VDS = 20 V, Ik...DS = 120 A, Tvj=25°C

VDS = 20 V, Ik...DS = 120 A, Tvj=150°C

 

68.9

61.8

 

S

 

极电荷 极电荷

Poort belastingen

 

Hoofdstuk

 

VGE=-5V...+20V

 

474

 

 

nC

 

内部 极电阻

Interne poort weerstand

 

RGint

 

Tvj=25°C

 

2.2

 

 

Ω

 

Invoercapaciteit

Invoercapaciteit

 

- Ja.

 

f=1MHz,TVj= 25°C, VDS=1000V, VAirconditioning=25mV, VGE=0V

 

 

8850

 

pF

 

uitgangscapaciteit

Output capaciteit

 

 

Coes

 

f=1MHz,TVj= 25°C, VDS=1000V, VAirconditioning=25mV, VGE=0V

 

 

564

 

pF

 

Omgekeerde transmissiecapaciteit

Omgekeerde overdrachtscapaciteit

 

 

Cres

 

f=1MHz,TVj= 25°C, VDS=1000V, VAirconditioning=25mV, VGE=0V

 

 

66

 

pF

 

零 电压lekkelstroom

Nulpoortspanning afvoer stroom

 

IDSS

 

VDS=1200V, VGS=0V, Tvj=25°C

 

300

 

μEen

 

- Ja.-源极lekelstroming

Port-bron lekstroom

 

IGSS

 

VDS=0V, VGS=20V, Tvj=25°C

 

100

 

nA

 

开通延迟时间( elektrische belasting)

Aanzetten vertragingstijd, inductief belastingen

 

 

Td( op)

 

Tvj= 25°C Tvj= 125°C Tvj=150°C

 

10

8

 

8

 

N.B.

N.B.

N.B.

 

Upgrade tijd( elektrische belasting)

Tijd om op te staan. inductief belastingen

 

tr

 

Tvj= 25°C Tvj= 125°C Tvj=150°C

 

36

34

 

34

 

N.B.

N.B.

N.B.

 

关断延迟时间( elektrische belasting)

Vertragingstijd voor het uitschakelen inductief belastingen

 

 

Td(weg)

 

Identificatie=120A, VDS=600V

VGS=-5/20V

RGon=3,3Ω

 

Tvj=25°C

Tvj=125°C

Tvj=150°C

 

128

140

 

140

 

N.B.

N.B.

N.B.

 

- Ik heb geen tijd.( elektrische belasting)

De herfsttijd. inductief belastingen

 

Tf

 

RGoff=3,3Ω

= 56 nH

 

Inductieve lading,

 

Tvj=25°C

Tvj=125°C

Tvj=150°C

 

62

62

 

62

 

N.B.

N.B.

N.B.

 

开通 损耗能量(Elke impuls)

Aanzetten energie Verlies per Puls

 

 

Eon

 

Tvj= 25°C Tvj= 125°C Tvj=150°C

 

2.35

2.15

2.15

 

MJ

MJ

 

关断 损耗能量(Elke impuls)

Afsluitenergie Verlies per Puls

 

Eof

 

Tvj= 25°C Tvj= 125°C Tvj=150°C

 

1.65

1.80

1.80

 

MJ

MJ

 

 

结-外 热阻

Thermische weerstand,Instelling tot geval

 

RthJC

 

Per MOSFET / Elke. MOSFET

 

0.23

 

K/W

 

werktemperatuur

Temperatuur enEr overstappen voorwaarden

 

 

Tvjop

 

 

-40 150

 

°C

 

 

Diode/二极管

 

Maximaal Nominale waarden/ maximaal bedrag

 

Artikel 1

 

Symbool

 

Voorwaarden

 

Waarde

 

Eenheden

 

continue rechtstreekse stroom stroom

Continu diode naar voren stroom

 

 

Indien

 

VGS = -5 V, TC = 25 ̊C

 

177

 

Een

 

Kenmerkende waarden/ 特征waarde

 

Artikel 1

 

Symbool

 

Voorwaarden

 

- Min. Typus. Max, ik ben er klaar voor.

 

Eenheden

 

rechtstreekse spanning

Voorspanning

 

 

VSD

 

 

Indien=120A, VGS=0V

 

Tvj= 25°C Tvj=150°C

 

 

1.45

1.90

 

 

1.80

 

V

V

 

结-外 热阻

Thermische weerstand,Instelling tot geval

 

RthJC

 

Per diode Elke twee-hoekige buis

 

0.30

 

K/W

 

werktemperatuur

Temperatuur enEr overstappen voorwaarden

 

Tvjop

 

 

-40 150

 

°C

 

 

Module/ 模块

 

Artikel 1

 

Symbool

 

Voorwaarden

 

Waarde

 

Eenheden

 

绝缘 testspanning

Isolatie-testspanning

 

VISOL

 

RMS, f=50Hz, t=1min

 

2.5

 

 

kV

 

模块基板材料

Materiaal van module basisplaat

   

 

 

C.

 

 

内部绝缘

Intern isolatie

 

 

基本绝缘(klasse 1, Ik...EG 61140)

Basis isolatie (klasse 1, IEC 61140)

 

Al2O3

 

 

爬电距离

Krijpweg

 

 

端子-散热片/ terminal to verwarmingsbak

端子-端子/terminal naar terminal

 

29.0

23.0

 

 

mm

 

电气间隙

Vergunning

 

 

端子-散热片/ terminal to verwarmingsbak

端子-端子/terminal naar terminal

 

23.0

11.0

 

mm

 

Relatieve elektrische spoorindex

Vergelijkend volgen index

 

 

CTI

 

 

 

> 400

 

 

 

Artikel 1

 

Symbool

 

Voorwaarden

 

- Min.

 

Typus.

 

Max, ik ben er klaar voor.

 

Eenheden

 

杂散电感,模块 (gebroken elektrisch gevoel, module)

Stray inductantie module

 

LsCE

   

 

20

 

 

nH

 

module geleidingsdraad elektrische weerstand,端子-chip

Module lood weerstand, eindpunten - chip

 

RCC+EE

 

TC=25°C

 

 

0.465

 

 

 

storing temperatuur

 

Bergingstemperatuur

 

Tstg

 

 

-40

 

 

125

 

°C

 

模块安装的安装扭矩

Montage koppel voor module montage

 

M5

 

 

2.50

 

 

5.00

 

 

Nm

 

端子 连接 torse

Torque van de aansluiting van de terminal

 

M6

 

 

3.00

 

 

5.00

 

Nm

 

Gewicht

 

Gewicht

 

G

   

 

300

 

 

g

 

 

MOSFET MOSFET

Outputkenmerken MOSFET (typisch) Outputkenmerken MOSFET (typisch)

IC=f (VCE) IC=f ((VCE)

Tvj=25°C Tvj=150°C

 

 

  Chassis Mount Sic MOSFET Power Module 1200V 120A DS-SPS120MB12G6S-S04310003 2

 

Normalisatie van de drainbron op de weerstand (typisch)

RDSon ((P.U.)=f(Tvj) RDSon=f(IDS)

IDS=120A VGS=20V VGS=20V

 

 

    Chassis Mount Sic MOSFET Power Module 1200V 120A DS-SPS120MB12G6S-S04310003 3

 

 

Afvoerbron op weerstand (typisch) Drempelspanning (typisch)

RDSon=f(Tvj) VDS(th)=f(Tvj)

IDS=120A VDS=VGS, IDS=30mA

 

    Chassis Mount Sic MOSFET Power Module 1200V 120A DS-SPS120MB12G6S-S04310003 4

 

MOSFET

Overdrachtskenmerk MOSFET (typisch) Voorwaartsdraagkenmerk Diode (typisch)

IDS=f ((VGS) IDS=f ((VDS)

VDS=20V Tvj=25°C

  Chassis Mount Sic MOSFET Power Module 1200V 120A DS-SPS120MB12G6S-S04310003 5

   

 

Voorwaarts karakteristiek van de diode (typische) karakteristiek van 3rdKwadrant (typisch)

IDS=f(VDS) IDS=f(VDS

Tvj=150°C Tvj=25°C

   Chassis Mount Sic MOSFET Power Module 1200V 120A DS-SPS120MB12G6S-S04310003 6

Chassis Mount Sic MOSFET Power Module 1200V 120A DS-SPS120MB12G6S-S04310003 7

kenmerkend voor 3rdKwadrant (typisch) MOSFET-systeem voor het opladen van de poort (typisch)

IDS=f ((VDS) VGS=f ((QG)

Tvj=150°C VDS=800V, IDS=120A, Tvj=25°C

 

Chassis Mount Sic MOSFET Power Module 1200V 120A DS-SPS120MB12G6S-S04310003 8

MOSFET

Capaciteitskenmerken MOSFET (typisch) Schakelverliezen MOSFET (typisch)

C=f ((VDS) E=f ((IC)

VGS=0V, Tvj=25°C, f=1MHz VGE=-5/20V, RG=3,3 Ω, VCE=600V

    Chassis Mount Sic MOSFET Power Module 1200V 120A DS-SPS120MB12G6S-S04310003 9

Chassis Mount Sic MOSFET Power Module 1200V 120A DS-SPS120MB12G6S-S04310003 10

  

MOSFET MOSFET

Schakelverliezen MOSFET (typisch) Transiente thermische impedantie MOSFET

E=f (RG) ZthJC=f (t)

VGE=-5/20V, IC=120A, VCE=600V

 

 

      Chassis Mount Sic MOSFET Power Module 1200V 120A DS-SPS120MB12G6S-S04310003 11

 

Diode voor thermische impedantie

ZthJC=f (t)

 

 

 Chassis Mount Sic MOSFET Power Module 1200V 120A DS-SPS120MB12G6S-S04310003 12

 

 

 

De "1200V 120A SiC MOSFET Half Bridge Module" integreert twee siliciumcarbide MOSFET's in een half-brugconfiguratie.het zorgt voor een nauwkeurige bediening van de spanning (1200 V) en de stroom (120 A)Een effectieve koeling is van cruciaal belang voor een betrouwbare werking en gedetailleerde specificaties zijn te vinden in het gegevensblad van de fabrikant.

 

Circuits schema Hoofdstuk 

     Chassis Mount Sic MOSFET Power Module 1200V 120A DS-SPS120MB12G6S-S04310003 13


 

 

 


Pakket overzichten 

 

 

     Chassis Mount Sic MOSFET Power Module 1200V 120A DS-SPS120MB12G6S-S04310003 14