producten

Thuis > producten > IGBT-modules 62 mm > Op maat gemaakte IGBT-modules 62 mm.0

Categorieën

Modules voor de automobielindustrie

(1)

IGBT Discrete

(2)

Contactpersonen

Contactpersonen: Mr. Zhou

Telefoon: 86-1360-528-8329

Contact opnemen

Post ons

Op maat gemaakte IGBT-modules 62 mm.0

Name: Op maat gemaakte IGBT-modules 62 mm.0
Brand: Op maat gemaakte IGBT-modules 62 mm.0
SKU: SPS200B17G6R8
Rating: 4.5 (178 reviews)

Productgegevens

Modelnummer: SPS200B17G6R8

Betaling en verzendvoorwaarden

Vind de beste prijs

Productgegevens

Productbeschrijving

Markeren: 
                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                IGBT-modules op maat 62 mm, Laag schakelverlies IGBT-modules 62 mm, IGBT-modules met lage schakelverliezen
                              

Collector-zender Verzadigingsvoltage:	2.5V	Stroom:	100A
Poort-zender lekkagestroom:	±100nA	Poort-zender drempelvoltage:	5V
Isolatie-spanning:	2500Vrms	Maximumcollectorstroom:	200A
Maximaal vermogen van de collector:	500 W	Maximum collector-Zender Voltage:	1200 V
Werktemperatuur:	-40°C aan +150°C	Pakkettype:	62 mm
schakelfrequentie:	20 kHz	Temperatuurbereik:	-40°C aan +150°C
Thermische weerstand:	0.1°C/W	Spanning:	600 V

Collector-zender Verzadigingsvoltage:	2.5V
Stroom:	100A
Poort-zender lekkagestroom:	±100nA
Poort-zender drempelvoltage:	5V
Isolatie-spanning:	2500Vrms
Maximumcollectorstroom:	200A
Maximaal vermogen van de collector:	500 W
Maximum collector-Zender Voltage:	1200 V
Werktemperatuur:	-40°C aan +150°C
Pakkettype:	62 mm
schakelfrequentie:	20 kHz
Temperatuurbereik:	-40°C aan +150°C
Thermische weerstand:	0.1°C/W
Spanning:	600 V

Op maat gemaakte IGBT-modules 62 mm.0

Solid Power-DS-SPS200B17G6R8-S04020023 V1.0

700 V 200A IGBT De helft. De brug Module

Op maat gemaakte IGBT-modules 62 mm.0 0

Kenmerken:

□ 1700V Trench+ Field Stop technologie

□ Freewheeling-diodes met snelle en zachte omkering

□ V_{CE (sat)}met een positieve temperatuurcoëfficiënt

□ Lage verliezen bij overstap

Typisch Toepassingen:

□ Motor/servo-aandrijving

□ Hoogvermogensomvormers

□ UPS

□ Photovoltaïsche energie

Pakket

Artikel 1	Symbool	Voorwaarden		Waarden			Eenheid
Isolatie-testspanning	VISOL	RMS, f = 50 Hz, t = 1 min		4.0			kV
Materiaal van de modulebasisplaat				C.
Interne isolatie		(klasse 1, IEC 61140) Basisisolatie (klasse 1, IEC 61140)		Al₂O₃
Krijpweg	dScreep	terminal naar koelkast		29.0			mm
	dScreep	terminal naar terminal		23.0
Vergunning	dClear	terminal naar koelkast		23.0			mm
	dClear	terminal naar terminal		11.0
Vergelijkende trackingindex	CTI			> 400

Artikel 1	Symbool	Voorwaarden		Waarden			Eenheid
				- Min.	Typus.	Max, ik ben er klaar voor.
Stroominductiemodule	LsCE				20		nH
Module loodweerstand, eindpunten - chip	RCC+EE		T_C= 25°C		0.70		mΩ
Bergingstemperatuur	Tstg			-40		125	°C
Montage-koppel voor de montage van modules	M6			3.0		6.0	Nm
Torque van de aansluiting van de terminal	M6			2.5		5.0	Nm
Gewicht	G				320		g

IGBT

Maximaal Geclassificeerd Waarden

Artikel 1	Symbool	Voorwaarden		Waarden	Eenheid
Voltage van de collector-emitter	VCES		T_vj= 25°C	1700	V
Maximale spanning van de poort-emitter	VGES			± 20	V
Transiente gate-emitterspanning	VGES	t_p≤ 10 μs, D=0.01		± 30	V
Continu gelijkstroomcollector	Ik..._C		T_C= 25°C	360	Een
Continu gelijkstroomcollector	Ik..._C		T_C= 100°C	200	Een
Pulserende collectie-stroom,tp beperkt door T_jmax	ICpulse			400	Een
Energieverlies	Ptot			1070	W

Kenmerkend Waarden

Artikel 1	Symbool	Voorwaarden		Waarden			Eenheid
Artikel 1	Symbool	Voorwaarden		- Min.	Typus.	Max, ik ben er klaar voor.	Eenheid
Verzamelaar-emitter verzadigingsspanning	VCE (sat)	Ik..._C=200A, V_GE=15V	T_vj= 25°C		1.65	1.95	V
			T_vj= 125°C		1.90
			T_vj= 150°C		1.92
Sluitingsdrempelspanning	VGE (th)	V_CE=V_GEIk..._C=8mA		5.0	5.8	6.5	V
Stroomverlies van de collector-emitter	ICES	V_CE=1700V, V_GE=0V	T_vj= 25°C			100	μA
Stroomverlies van de collector-emitter	ICES	V_CE=1700V, V_GE=0V	T_vj= 150°C			5	mA
Doorloopstroom van de poort-emitter	IGES	V_CE=0V,V_GE=±20V, T_vj= 25°C		- 200 dollar.		200	nA
Doorgangskosten	Q_G	V_CE=900V, I_C= 200A, V_GE=±15V			1.2		μC
Invoercapaciteit	- Ja.	V_CE=25V, V_GE=0V, f =100kHz			18.0		nF
Uitvoercapaciteit	Coes				1.06
Omgekeerde overdrachtscapaciteit	Cres				0.28
interne poortweerstand	RGint	T_vj= 25°C			4.5		Ω
Inrichtingsvertragingstijd, inductiebelasting	Td (aan)	V_CC= 900V,I_C=200A R_G=3,3Ω, V_GE=±15V	T_vj= 25°C		188		N.B.
			T_vj= 125°C		228		N.B.
			T_vj= 150°C		232		N.B.
Stijgingstijd, inductiebelasting	t_r		T_vj= 25°C		56		N.B.
			T_vj= 125°C		68		N.B.
			T_vj= 150°C		72		N.B.
Uitsteltijd voor uitschakeling, inductiebelasting	Td (uit)	V_CC= 900V,I_C=200A R_G=3,3Ω, V_GE=±15V	T_vj= 25°C		200		N.B.
			T_vj= 125°C		600		N.B.
			T_vj= 150°C		620		N.B.
Valtijd, inductiebelasting	t_f		T_vj= 25°C		470		N.B.
			T_vj= 125°C		710		N.B.
			T_vj= 150°C		745		N.B.
Energieverlies bij aanschakeling per impuls	Eon	V_CC= 900V,I_C=200A R_G=3,3Ω, V_GE=±15V	T_vj= 25°C		33.2		MJ
			T_vj= 125°C		52.2		MJ
			T_vj= 150°C		59.9		MJ
Afzetten Energieverlies per puls	Eof		T_vj= 25°C		49.1		MJ
			T_vj= 125°C		67.3		MJ
			T_vj= 150°C		70.5		MJ
SC gegevens	ISC	V_GE≤ 15V, V_CC=900V	tp≤10 μs T_vj= 150°C			720	Een
IGBT-warmteweerstand, aansluiting	RthJC					0.14	K / W
Werktemperatuur	TJop			-40		175	°C

Diode

Maximaal Geclassificeerd Waarden

Artikel 1	Symbool	Voorwaarden		Waarden	Eenheid
Repetitieve omgekeerde spanning	VRRM		T_vj= 25°C	1700	V
Continu gelijkstroom naar voren	Ik..._F		T_C= 25°C	280	Een
Continu gelijkstroom naar voren	Ik..._F		T_C= 100°C	200
Diode-pulsstroom,tp beperkt door T_Jmax	IFpulse			400

Kenmerkend Waarden

Artikel 1	Symbool	Voorwaarden		Waarden			Eenheid
				- Min.	Typus.	Max, ik ben er klaar voor.
Voorspanning	V_F	Ik..._F= 200A, V_GE=0V	T_vj= 25°C		2.00	2.40	V
			T_vj= 125°C		2.15
			T_vj= 150°C		2.20
Omgekeerde hersteltijd	trr	Ik..._F=200A DI_F/dt=-3500A/μs (T)_vj= 150°C) V_R=900V, V_GE=-15V	T_vj= 25°C		140		N.B.
			T_vj= 125°C		220
			T_vj= 150°C		275
Piek-omgekeerde terugwinningstroom	IRRM		T_vj= 25°C		307		Een
			T_vj= 125°C		317
			T_vj= 150°C		319
Omgekeerde terugvorderingsheffing	QRR		T_vj= 25°C		45		μC
			T_vj= 125°C		77
			T_vj= 150°C		89
Verlies van energie van omgekeerde terugwinning per puls	Erec		T_vj= 25°C		20.4		MJ
			T_vj= 125°C		39.6
			T_vj= 150°C		45.2
Diode thermische weerstand, verbindingshoesje	RthJCD					0.20	K / W
Werktemperatuur	TJop			-40		175	°C

Output kenmerkend (typisch) Output kenmerkend (typisch)

Ik..._C= f (V)_CE) I_C= f (V)_CE)

T_vj= 150°C

Op maat gemaakte IGBT-modules 62 mm.0 5

IGBT

Overdracht kenmerkend (typisch) Overstappen verliezen IGBT(typisch)

Ik..._C= f (V)_GE) E = f (R_G)

V_CE= 20V V_GE= ±15V, I_C= 200A, V_CE= 900V

Op maat gemaakte IGBT-modules 62 mm.0 6

IGBT RBSOA

Overstappen verliezen IGBT(typisch) Achteruit vooringenomenheid veilig werkend gebied ((RBSOA)

E = f (I)_C) I_C=f (V)_CE)

V_GE= ±15V, R_G= 3.3Ω, V_CE= 900V V_GE= ±15V, R_Goff.= 3,3Ω, T_vj= 150°C

Op maat gemaakte IGBT-modules 62 mm.0 7

Typisch capaciteit als a. functie van verzamelaar-emitter Spanning Poortlading (typisch)

C = f (V)_CE) V_GE= f (Q_G)

f = 100 kHz, V_GE= 0V I_C= 200A, V_CE= 900V

Op maat gemaakte IGBT-modules 62 mm.0 8

IGBT

IGBT vergankelijk thermische Impedantie als a. functie van de hartslag breedte Vooruit kenmerkend van Diode (typisch)

Zth(j-c) = f (t) I_F= f (V)_F)

Op maat gemaakte IGBT-modules 62 mm.0 9

Schakelverliezen Diode (typisch) SchakelenVerlies Diode (typisch)

E_rec= f (R_G) E_rec= f (I_F)

Ik..._F= 200A, V_CE= 900V R_G= 3.3Ω, V_CE= 900V

Op maat gemaakte IGBT-modules 62 mm.0 10

Diode vergankelijk thermische Impedantie als a. functie van Puls breedte

Zth(j-c) = f (t)

Op maat gemaakte IGBT-modules 62 mm.0 11

De "1700V 200A IGBT Half Bridge Module" integreert twee IGBT's in een half-bridge configuratie.met een nauwkeurige bediening van spanning (1700 V) en stroom (200 A)Een effectieve koeling is van cruciaal belang voor een betrouwbare werking en gedetailleerde specificaties zijn te vinden in het gegevensblad van de fabrikant.

Circuits schema Hoofdstuk

Op maat gemaakte IGBT-modules 62 mm.0 12

Pakket overzichten

Op maat gemaakte IGBT-modules 62 mm.0 13

Tags:

IGBT-modules 34 mm

IGBT-modules 62 mm

IGBT modules EconoDual3

IGBT-modules

IGBT modules EconoPack

IGBT-modules

Modules voor de automobielindustrie

Hybride SiC-discreten

Afzonderlijk Mosfet

IGBT Discrete

Op maat gemaakte IGBT-modules 62 mm.0

IGBT-modules op maat 62 mm

Laag schakelverlies IGBT-modules 62 mm

IGBT-modules met lage schakelverliezen

Maximaal Geclassificeerd Waarden

Maximaal Geclassificeerd Waarden

IGBT-voedingsmodule,

H-brug IGBT-module,

hoge machts igbt module

200A 1200V IGBT halfbrugmodule 62mm DS-SPS200B12G6H4-S04020005