DS-SPS450B12G6M4-S04020021 V-1.0H brug Mosfet module 1200V 450A ODM
Solid Power-DS-SPS450B12G6M4-S04020021 V-1.0.
1200 V 450A IGBT De helft. De brug Module
Kenmerken:
D 1200V Trench+ Field Stop-technologie
□ Freewheeling-diodes met snelle en zachte omkering
□ VCE (sat)met een positieve temperatuurcoëfficiënt
□ Lage verliezen bij overstap
□ Kortsluiting
□ Inductieverwarming
□ Lassen
□ Toepassing van hoogfrequente schakelaars
IGBT-pakket
| Artikel 1 |
Symbool |
Voorwaarden |
Waarden |
Eenheid |
|
Isolatie-testspanning
|
VISOL |
RMS, f = 50 Hz, t = 1 min |
4.0 |
kV |
|
Materiaal van de modulebasisplaat
|
|
|
C. |
|
|
Interne isolatie
|
|
(klasse 1, IEC 61140)
Basisisolatie (klasse 1, IEC 61140)
|
Al2O3 |
|
|
Krijpweg
|
dScreep |
terminal naar koelkast |
29.0 |
mm |
| dScreep |
terminal naar terminal |
23.0 |
|
Vergunning
|
dClear |
terminal naar koelkast |
23.0 |
mm |
| dClear |
terminal naar terminal |
11.0 |
|
Vergelijkende trackingindex
|
CTI |
|
> 400 |
|
| |
|
| Artikel 1 |
Symbool |
Voorwaarden |
Waarden |
Eenheid |
| - Min. |
Typus. |
Max, ik ben er klaar voor. |
|
Stroominductiemodule
|
LsCE |
|
|
20 |
|
nH |
|
Module loodweerstand, eindpunten - chip
|
RCC+EE |
|
TC= 25°C |
|
0.70 |
|
mΩ |
|
Bergingstemperatuur
|
Tstg |
|
-40 |
|
125 |
°C |
|
Montage-koppel voor de montage van modules
|
M5 |
|
3.0 |
|
6.0 |
Nm |
|
Torque van de aansluiting van de terminal
|
M6 |
|
2.5 |
|
5.0 |
Nm |
|
Gewicht
|
G |
|
|
320 |
|
g |
IGBT-maximum Geclassificeerd Waarden
| Artikel 1 |
Symbool |
Voorwaarden |
Waarden |
Eenheid |
|
Voltage van de collector-emitter
|
VCES |
|
Tvj= 25°C |
1200 |
V |
|
Maximale spanning van de poort-emitter
|
VGES |
|
± 20 |
V |
|
Transiente gate-emitterspanning
|
VGES |
tp≤ 10 μs, D=0.01 |
± 30 |
V |
|
Continu gelijkstroomcollector
|
Ik...C |
|
TC= 25°C |
675 |
Een |
| TC= 100°C |
450 |
|
Pulserende collectie-stroom,tp beperkt door Tjmax
|
ICpulse |
|
900 |
Een |
|
Energieverlies
|
Ptot |
|
1875 |
W |
Kenmerkend Waarden
| Artikel 1 |
Symbool |
Voorwaarden |
Waarden |
Eenheid |
| - Min. |
Typus. |
Max, ik ben er klaar voor. |
|
Verzamelaar-emitter verzadigingsspanning
|
VCE (sat) |
Ik...C= 450 A, VGE=15V |
Tvj= 25°C |
|
1.50 |
1.80 |
V
|
| Tvj= 125°C |
|
1.65 |
|
| Tvj= 150°C |
|
1.70 |
|
|
Sluitingsdrempelspanning
|
VGE (th) |
VCE=VGEIk...C=18mA |
5.0 |
5.8 |
6.5 |
V |
|
Stroomverlies van de collector-emitter
|
ICES |
VCE=1200V, VGE=0V |
Tvj= 25°C |
|
|
100 |
μA |
| Tvj= 150°C |
|
|
5 |
mA |
|
Doorloopstroom van de poort-emitter
|
IGES |
VCE=0V,VGE=±20V, Tvj= 25°C |
- 200 dollar. |
|
200 |
nA |
|
Doorgangskosten
|
QG |
VCE=600V, IC= 450A, VGE=±15V |
|
5.0 |
|
μC |
|
Invoercapaciteit
|
- Ja. |
VCE=25V, VGE=0V, f =100kHz |
|
90.0 |
|
nF
|
|
Uitvoercapaciteit
|
Coes |
|
2.84 |
|
|
Omgekeerde overdrachtscapaciteit
|
Cres |
|
0.81 |
|
|
Inrichtingsvertragingstijd, inductiebelasting
|
Td (aan) |
VCC= 600V,IC=450A RG=1,8Ω,
VGE=15V
|
Tvj= 25°C |
|
168 |
|
N.B. |
| Tvj= 125°C |
|
172 |
|
N.B. |
| Tvj= 150°C |
|
176 |
|
N.B. |
|
Stijgingstijd, inductiebelasting
|
tr |
Tvj= 25°C |
|
80 |
|
N.B. |
| Tvj= 125°C |
|
88 |
|
N.B. |
| Tvj= 150°C |
|
92 |
|
N.B. |
|
Uitsteltijd voor uitschakeling, inductiebelasting
|
Td (uit) |
VCC= 600V,IC=450A RG=1,8Ω,
VGE=15V
|
Tvj= 25°C |
|
624 |
|
N.B. |
| Tvj= 125°C |
|
668 |
|
N.B. |
| Tvj= 150°C |
|
672 |
|
N.B. |
|
Valtijd, inductiebelasting
|
tf |
Tvj= 25°C |
|
216 |
|
N.B. |
| Tvj= 125°C |
|
348 |
|
N.B. |
| Tvj= 150°C |
|
356 |
|
N.B. |
|
Energieverlies bij aanschakeling per impuls
|
Eon |
VCC= 600V,IC=450A RG=1,8Ω,
VGE=15V
|
Tvj= 25°C |
|
17.2 |
|
MJ |
| Tvj= 125°C |
|
27.1 |
|
MJ |
| Tvj= 150°C |
|
30.0 |
|
MJ |
|
Afzetten Energieverlies per puls
|
Eof |
Tvj= 25°C |
|
52.3 |
|
MJ |
| Tvj= 125°C |
|
64.3 |
|
MJ |
| Tvj= 150°C |
|
67.1 |
|
MJ |
|
SC gegevens
|
ISC |
VGE≤ 15V, VCC=800V |
tp≤10 μs Tvj= 150°C |
|
|
2000 |
Een |
|
IGBT-warmteweerstand, aansluiting
|
RthJC |
|
|
|
0.08 |
K / W |
|
Werktemperatuur
|
TJop |
|
-40 |
|
150 |
°C |
Diode Maximaal Geclassificeerd Waarden
| Artikel 1 |
Symbool |
Voorwaarden |
Waarden |
Eenheid |
|
Repetitieve omgekeerde spanning
|
VRRM |
|
Tvj= 25°C |
1200 |
V |
|
Continu gelijkstroom naar voren
|
Ik...F |
|
450 |
Een
|
|
Diode-pulsstroom,tp beperkt door TJmax
|
IFpulse |
|
900 |
Kenmerkend Waarden
| Artikel 1 |
Symbool |
Voorwaarden |
Waarden |
Eenheid |
| - Min. |
Typus. |
Max, ik ben er klaar voor. |
|
Voorspanning
|
VF |
Ik...F= 450A, VGE=0V |
Tvj= 25°C |
|
2.30 |
2.70 |
V
|
| Tvj= 125°C |
|
2.50 |
|
| Tvj= 150°C |
|
2.50 |
|
|
Omgekeerde hersteltijd
|
trr |
Ik...F=450A
DIF/dt=-5600A/μs (T)vj= 150°C) VR=600V,
VGE=-15V
|
Tvj= 25°C |
|
134 |
|
N.B.
|
| Tvj= 125°C |
216 |
| Tvj= 150°C |
227 |
|
Piek-omgekeerde terugwinningstroom
|
IRRM |
Tvj= 25°C |
|
317 |
|
Een
|
| Tvj= 125°C |
376 |
| Tvj= 150°C |
379 |
|
Omgekeerde terugvorderingsheffing
|
QRR |
Tvj= 25°C |
|
40.5 |
|
μC
|
| Tvj= 125°C |
63.2 |
| Tvj= 150°C |
65.4 |
|
Verlies van energie van omgekeerde terugwinning per puls
|
Erec |
Tvj= 25°C |
|
15.9 |
|
MJ
|
| Tvj= 125°C |
27.0 |
| Tvj= 150°C |
28.1 |
|
Diode thermische weerstand, verbindingshoesje
|
RthJCD |
|
|
|
0.13 |
K / W |
|
Werktemperatuur
|
TJop |
|
-40 |
|
150 |
°C |
Output kenmerkend (typisch) Output kenmerkend (typisch)
Ik...C= f (V)CE) IC= f (V)CE) Tvj= 150°C
IGBT
Overdracht kenmerkend (typisch) Overstappen verliezen IGBT(typisch)
Ik...C= f (V)GE) E = f (RG)
VCE= 20V VGE= ±15V, IC= 450 A, VCE= 600V
IGBT RBSOA
Overstappen verliezen IGBT(typisch) Achteruit vooringenomenheid veilig werkend gebied ((RBSOA)
E = f (I)C) IC=f (V)CE)
VGE= ±15V, RG= 1,8Ω, VCE= 600 V VGE= ±15V, R- Wat is er?= 3,3Ω, Tvj= 150°C
Typisch capaciteit als a. functie van verzamelaar-emitter Spanningsgate belastingen(typisch)
C = f (V)CE) VGE= f (QG)
f = 100 kHz, VGE= 0V IC= 450 A, VCE= 600V
IGBT
IGBT vergankelijk thermische Impedantie als a. functie van Puls breedte Vooruit kenmerkend van Diode (typisch)
Zth(j-c) = f (t) IF= f (V)F)
Overstappen verliezen Diode (typisch) Schakelaar verliezen Diode (typisch)
Erec= f (RG) Erec= f (IF)
Ik...F= 450 A, VCE= 600V RG= 1,8Ω, VCE= 600V
Diode vergankelijk thermische Impedantie als a. functie van Pulsbreedte
Zth(j-c) = f (t)
Een 1200V IGBT (Isolated Gate Bipolar Transistor) is een halfgeleiderapparaat met een nominale spanning van 1200 volt.Dit type apparaat wordt gewoonlijk gebruikt in hoogspanningstoepassingen zoals krachtomvormers en motordrijvingen.
Belangrijkste punten:
1. Spanningscategorie (1200V): geeft de maximale spanning aan die het IGBT kan verwerken. Geschikt voor toepassingen waarbij hoogspanningsregeling vereist is,met een vermogen van niet meer dan 30 W,.
2. Toepassingen: 1200V IGBT's zijn gebruikelijk in hoogvermogen velden zoals industriële motor aandrijvingen, ononderbroken stroomvoorziening (UPS), hernieuwbare energie systemen, enz.,waar een nauwkeurige beheersing van de hoge spanning nodig is.
3. Schakelingssnelheid: IGBT's kunnen snel aan- en uitschakelen, waardoor ze geschikt zijn voor toepassingen die een hoogfrequente schakeling vereisen.Specifieke schakelkenmerken zijn afhankelijk van model en fabrikant.
4. Koelvereisten:** Net als veel elektrische apparaten genereren IGBT's warmte tijdens het gebruik.worden vaak vereist om de prestaties en betrouwbaarheid van het apparaat te garanderen.
5. Datasheet: Voor gedetailleerde informatie over een specifiek 1200V IGBT is het essentieel om te verwijzen naar het datasheet van de fabrikant.elektrische kenmerken, en richtlijnen voor toepassing en thermisch beheer.
Bij het gebruik van een 1200 V IGBT in een circuit of systeem moeten ontwerpers rekening houden met factoren zoals de vereisten van de poort aandrijving, beschermingsmechanismen,en thermische overwegingen om een correcte en betrouwbare werking te garanderen.
Circuits schema Hoofdstuk
Pakket overzichten
Afmetingen (mm)
mm
Uw bericht moet tussen de 20-3.000 tekens bevatten!
