OEM IGBT-kernmodule 1200V 300A Halve brugmodule DS-SPS300B12G6M4-S04020025
Solid Power-DS-SPS300B12G6M4-S04020025
1200 V 300A IGBT De helft. De brug Module
D 1200V Trench+ Field Stop-technologie
□ Freewheeling-diodes met snelle en zachte omkering
□ VCE (sat)met een positieve temperatuurcoëfficiënt
□ Lage verliezen bij overstap
□ Inductieverwarming
□ Lassen
□ Toepassing van hoogfrequente schakelaars
Pakket
| Artikel 1 |
Symbool |
Voorwaarden |
Waarden |
Eenheid |
|
Isolatie-testspanning
|
VISOL |
RMS, f = 50 Hz, t = 1 min |
4.0
|
kV
|
|
Materiaal van de modulebasisplaat
|
|
|
C.
|
|
|
Interne isolatie
|
|
(klasse 1, IEC 61140)
Basisisolatie (klasse 1, IEC 61140)
|
Al2O3
|
|
|
Krijpweg
|
dScreep |
terminal naar koelkast |
29.0 |
mm
|
| dScreep |
terminal naar terminal |
23.0 |
|
Vergunning
|
dClear |
terminal naar koelkast |
23.0 |
mm
|
| dClear |
terminal naar terminal |
11.0 |
|
Vergelijkende trackingindex
|
CTI |
|
> 400
|
|
| |
|
| Artikel 1 |
Symbool |
Voorwaarden |
Waarden |
Eenheid |
| - Min. |
Typus. |
Max, ik ben er klaar voor. |
|
Stroominductiemodule
|
LsCE |
|
|
20
|
|
nH
|
|
Module loodweerstand, eindpunten - chip
|
RCC+EE |
|
TC= 25°C |
|
0.70
|
|
mΩ
|
|
Bergingstemperatuur
|
Tstg |
|
-40
|
|
125
|
°C |
|
Montage-koppel voor de montage van modules
|
M6 |
|
3.0
|
|
6.0
|
Nm
|
|
Torque van de aansluiting van de terminal
|
M6 |
|
2.5
|
|
5.0
|
Nm
|
|
Gewicht
|
G |
|
|
320
|
|
g
|
IGBT
Maximaal Geclassificeerd Waarden
| Artikel 1 |
Symbool |
Voorwaarden |
Waarden |
Eenheid |
|
Voltage van de collector-emitter
|
VCES |
|
Tvj= 25°C |
1200
|
V
|
|
Maximale spanning van de poort-emitter
|
VGES |
|
± 20
|
V
|
|
Transiente gate-emitterspanning
|
VGES |
tp≤ 10 μs, D=0.01 |
± 30
|
V
|
|
Continu gelijkstroomcollector
|
Ik...C |
|
TC= 25°C |
400 |
Een
|
| TC= 100°C |
300 |
|
Pulserende collectie-stroom,tp beperkt door Tjmax
|
ICpulse |
|
600
|
Een
|
|
Energieverlies
|
Ptot |
|
1500
|
W
|
Kenmerkend Waarden
| Artikel 1 |
Symbool |
Voorwaarden |
Waarden |
Eenheid |
| - Min. |
Typus. |
Max, ik ben er klaar voor. |
|
Verzamelaar-emitter verzadigingsspanning
|
VCE (sat) |
Ik...C= 300A, VGE=15V |
Tvj= 25°C |
|
1.50 |
1.80 |
V
|
| Tvj= 125°C |
|
1.65 |
|
| Tvj= 150°C |
|
1.70 |
|
|
Sluitingsdrempelspanning
|
VGE (th) |
VCE=VGEIk...C=12mA |
5.0
|
5.8
|
6.5
|
V
|
|
Stroomverlies van de collector-emitter
|
ICES |
VCE=1200V, VGE=0V |
Tvj= 25°C |
|
|
100 |
μA |
| Tvj= 150°C |
|
|
5 |
mA |
|
Doorloopstroom van de poort-emitter
|
IGES |
VCE=0V,VGE=±20V, Tvj= 25°C |
- 200 dollar. |
|
200 |
nA |
|
Doorgangskosten
|
QG |
VCE=600V, IC= 300A, VGE=±15V |
|
3.2 |
|
μC |
|
Invoercapaciteit
|
- Ja. |
VCE=25V, VGE=0V, f =100kHz |
|
60.0 |
|
nF
|
|
Uitvoercapaciteit
|
Coes |
|
1.89 |
|
|
Omgekeerde overdrachtscapaciteit
|
Cres |
|
0.54 |
|
|
interne poortweerstand
|
RGint |
Tvj= 25°C |
|
1.2 |
|
Ω |
|
Inrichtingsvertragingstijd, inductiebelasting
|
Td (aan) |
VCC= 600V,IC=300A RG=1,8Ω, VGE=±15V |
Tvj= 25°C |
|
130 |
|
N.B. |
| Tvj= 125°C |
|
145 |
|
N.B. |
| Tvj= 150°C |
|
145 |
|
N.B. |
|
Stijgingstijd, inductiebelasting
|
tr |
Tvj= 25°C |
|
60 |
|
N.B. |
| Tvj= 125°C |
|
68 |
|
N.B. |
| Tvj= 150°C |
|
68 |
|
N.B. |
|
Uitsteltijd voor uitschakeling, inductiebelasting
|
Td (uit) |
VCC= 600V,IC=300A RG=1,8Ω, VGE=±15V |
Tvj= 25°C |
|
504 |
|
N.B. |
| Tvj= 125°C |
|
544 |
|
N.B. |
| Tvj= 150°C |
|
544 |
|
N.B. |
|
Valtijd, inductiebelasting
|
tf |
Tvj= 25°C |
|
244 |
|
N.B. |
| Tvj= 125°C |
|
365 |
|
N.B. |
| Tvj= 150°C |
|
370 |
|
N.B. |
|
Energieverlies bij aanschakeling per impuls
|
Eon |
VCC= 600V,IC=300A RG=1,8Ω, VGE=±15V |
Tvj= 25°C |
|
7.4 |
|
MJ |
| Tvj= 125°C |
|
11.1 |
|
MJ |
| Tvj= 150°C |
|
11.6 |
|
MJ |
|
Afzetten Energieverlies per puls
|
Eof |
Tvj= 25°C |
|
32.0 |
|
MJ |
| Tvj= 125°C |
|
39.5 |
|
MJ |
| Tvj= 150°C |
|
41.2 |
|
MJ |
|
SC gegevens
|
ISC |
VGE≤ 15V, VCC=600V |
tp≤10 μs Tvj= 150°C |
|
|
1350
|
Een
|
|
IGBT-warmteweerstand, aansluiting
|
RthJC |
|
|
|
0.1 |
K / W |
|
Werktemperatuur
|
TJop |
|
-40 |
|
150 |
°C |
Diode
Maximaal Geclassificeerd Waarden
| Artikel 1 |
Symbool |
Voorwaarden |
Waarden |
Eenheid |
|
Repetitieve omgekeerde spanning
|
VRRM |
|
Tvj= 25°C |
1200
|
V
|
|
Continu gelijkstroom naar voren
|
Ik...F |
|
300
|
Een
|
|
Diode-pulsstroom,tp beperkt door TJmax
|
IFpulse |
|
600 |
Kenmerkend Waarden
| Artikel 1 |
Symbool |
Voorwaarden |
Waarden |
Eenheid |
| - Min. |
Typus. |
Max, ik ben er klaar voor. |
|
Voorspanning
|
VF |
Ik...F= 300A, VGE=0V |
Tvj= 25°C |
|
2.30 |
2.70 |
V
|
| Tvj= 125°C |
|
2.50 |
|
| Tvj= 150°C |
|
2.50 |
|
|
Omgekeerde hersteltijd
|
trr |
Ik...F=300A
DIF/dt=-4900A/μs (T)vj= 150°C) VR=600V,
VGE=-15V
|
Tvj= 25°C |
|
90 |
|
N.B.
|
| Tvj= 125°C |
120 |
| Tvj= 150°C |
126 |
|
Piek-omgekeerde terugwinningstroom
|
IRRM |
Tvj= 25°C |
|
212 |
|
Een
|
| Tvj= 125°C |
245 |
| Tvj= 150°C |
250 |
|
Omgekeerde terugvorderingsheffing
|
QRR |
Tvj= 25°C |
|
19 |
|
μC
|
| Tvj= 125°C |
27 |
| Tvj= 150°C |
35 |
|
Verlies van energie van omgekeerde terugwinning per puls
|
Erec |
Tvj= 25°C |
|
7.7 |
|
MJ
|
| Tvj= 125°C |
13.3 |
| Tvj= 150°C |
14.0 |
|
Diode thermische weerstand, verbindingshoesje
|
RthJCD |
|
|
|
0.23
|
K / W
|
|
Werktemperatuur
|
TJop |
|
-40
|
|
150
|
°C |
Output kenmerkend (typisch) Output kenmerkend (typisch)
Ik...C= f (V)CE) IC= f (V)CE)
Tvj= 150°C
IGBT
Overdracht kenmerkend (typisch) Overstappen verliezen IGBT(typisch)
Ik...C= f (V)GE) E = f (RG)
VCE= 20V VGE= ±15V, IC= 300A, VCE= 600V
IGBT RBSOA
Overstappen verliezen IGBT(typisch) Achteruit vooringenomenheid veilig werkend gebied ((RBSOA)
E = f (I)C) IC=f (V)CE)
VGE= ±15V, RG= 1,8Ω, VCE= 600 V VGE= ±15V, RGoff.= 1,8Ω, Tvj= 150°C
Typisch capaciteit als a. functie van verzamelaar-emitter Spanning Poortlading (typisch)
C = f (V)CE) VGE= f (QG)
f = 100 kHz, VGE= 0V IC= 300A, VCE= 600V
IGBT
IGBT vergankelijk thermische Impedantie als a. functie van de hartslag breedte Vooruit kenmerkend van Diode (typisch)
Zth(j-c) = f (t) IF= f (V)F)
Schakelverliezen Diode (typisch) SchakelenVerlies Diode (typisch)
Erec= f (RG) Erec= f (IF)
Ik...F= 300A, VCE= 600V RG= 1,8Ω, VCE= 600V
Diode vergankelijk thermische Impedantie als a. functie van Puls breedte
Zth(j-c) = f (t)
Een IGBT halfbrugmodule is een krachtelektronisch apparaat dat twee geïsoleerde poortbipolaire transistors (IGBT's) combineert die in een halfbrugconfiguratie zijn aangebracht.Deze configuratie wordt gewoonlijk gebruikt in verschillende toepassingen waar tweerichtingsvermogen is vereistHier zijn enkele belangrijke punten over IGBT halfbrugmodules:
1. IGBT's: IGBT's zijn halfgeleiderapparaten die de kenmerken combineren van zowel geïsoleerde gate-field-effect transistors (IGFET's) als bipolaire junction transistors (BJT's).Ze worden veel gebruikt in de krachtelektronica voor het schakelen en besturen van elektrische energie.
2. Halfbrugconfiguratie: de halfbrugconfiguratie bestaat uit twee IGBT's die in serie met elkaar verbonden zijn en een brugcircuit vormen.Eén IGBT is verantwoordelijk voor het geleiden tijdens de positieve halve cyclus van de ingangsgolfvormDeze opstelling maakt een tweerichtingsregeling van de stroom mogelijk.
3. Spannings- en stroomratings: IGBT halfbrugmodules worden gespecificeerd met spannings- en stroomratings. Een gemeenschappelijke rating kan bijvoorbeeld 1200V/300A zijn,met vermelding van de maximale spanning en stroom die de module kan verwerken.
4Toepassingen: IGBT halfbrugmodules vinden toepassingen in motor aandrijvingen, omvormers, voedingsbronnen en andere systemen die gecontroleerde stroomschakeling vereisen.Deze zijn geschikt voor toepassingen waarbij variabele snelheidsregeling of vermogensinversie nodig is.
5. Koeling en thermisch beheer: Net als bij individuele IGBT's genereren IGBT halfbrugmodules warmte tijdens de werking.zijn cruciaal voor het behoud van de juiste prestaties en betrouwbaarheid van het apparaat.
6. Gate Drive Circuitry: Een goede gate drive circuitry is essentieel om de schakeling van IGBT's effectief te controleren.Dit omvat het waarborgen dat de poortsignalen op de juiste manier worden gesynchroniseerd en voldoende spanningsniveaus hebben.
7. Gegevensblad: Voor gedetailleerde specificaties, elektrische kenmerken,en toepassingsrichtlijnen die specifiek zijn voor de IGBT-halfbrugmodule die zij gebruiken.
IGBT half-bridge modules are widely employed in industrial and automotive applications for their capability to handle high power levels and provide efficient and controlled switching of electrical currents.
Circuits schema Hoofdstuk
Pakket overzichten
Afmetingen (mm)
mm
Uw bericht moet tussen de 20-3.000 tekens bevatten!
