Jiangsu Solid Power Semiconductor Co.,Ltd
producten
producten
Thuis > producten > IGBT-modules 62 mm > 200A 1200V IGBT halfbrugmodule 62mm DS-SPS200B12G6H4-S04020005

200A 1200V IGBT halfbrugmodule 62mm DS-SPS200B12G6H4-S04020005

Productgegevens

Modelnummer: SPS200B12G6H4

Betaling en verzendvoorwaarden

Vind de beste prijs
Markeren:

200A IGBT halfbrugmodule

,

200A halfbrugmodule

,

62 mm IGBT halfbrugmodule

Collectorstroom:
100A
Collector-zender Verzadigingsvoltage:
2.5V
Collector-zender voltage:
±1200V
Huidige rating:
100A
Poort-zender lekkagestroom:
± 10 μA
Poort-zender drempelvoltage:
5V
Poort-zender voltage:
±20V
Maximale werktemperatuur:
150°C
Moduletype:
IGBT
Pakkettype:
62 mm
De kortsluiting weerstaat Tijd:
10 μs
schakelfrequentie:
20 kHz
Thermische weerstand:
0.1°C/W
Standaardspanning:
1200 V
Collectorstroom:
100A
Collector-zender Verzadigingsvoltage:
2.5V
Collector-zender voltage:
±1200V
Huidige rating:
100A
Poort-zender lekkagestroom:
± 10 μA
Poort-zender drempelvoltage:
5V
Poort-zender voltage:
±20V
Maximale werktemperatuur:
150°C
Moduletype:
IGBT
Pakkettype:
62 mm
De kortsluiting weerstaat Tijd:
10 μs
schakelfrequentie:
20 kHz
Thermische weerstand:
0.1°C/W
Standaardspanning:
1200 V
200A 1200V IGBT halfbrugmodule 62mm DS-SPS200B12G6H4-S04020005

 

 

Solid Power-DS-SPS200B12G6H4-S04020005


1200 V 200A IGBT De helft. De brug Module

 

200A 1200V IGBT halfbrugmodule 62mm DS-SPS200B12G6H4-S04020005 0

 

Kenmerken:

  • 1200V Planar Field Stop technologie
  • Freewheeling-diodes met snelle en zachte omkering
  • Laag wisselverlies
  • Hoge RBSOA-capaciteit

 

Typisch Toepassingen:

  • Inductieverwarming
  • Schommelingen
  • Hoogfrequentie-schakeltoepassing

 

IGBT, Inverter / IGBT, omgekeerde veranderlijke

 

Maximaal Nominale waarden/ Maximale vaste waarde

 

Artikel 1

 

Symbool

 

Voorwaarden

 

Waarde

 

Eenheden

 

集电极-发射电极spanning

Verzamelaar-emittentSpanning

 

VCES

 

Tvj= 25°C

 

1200

 

V

 

连续集电极直流电流

Continu D.C. verzamelingctor stroom

 

Ik...C

 

TC = 100°C, Tvj max.= 175°C

TC = 25°C, Tvj max.= 175°C

 

200

 

280

 

Een

Een

 

集电极重复峰值电流 (de hoogte van de elektriciteitsstroom)

Hoogte herhalenverzameling collectie-stroom

 

Ik...CRM

 

tp=1 ms

 

400

 

Een

 

totaal vermogen

Totaal vermogen ontdooienVerband

 

Ptot

 

TC= 25°C, Tvj= 175°C

 

1070

 

W

 

¥ ¥ ¥ ¥ ¥ ¥ ¥ ¥

Maximaal bereikSpanning van de e-emitter

 

VGES

 

 

±20

 

V

 

 

 

Kenmerkende waarden/ 特征waarde

 

Artikel 1

 

Symbool

 

Voorwaarden

 

- Min. Typus. Max, ik ben er klaar voor.

 

Eenheden

 

集电极-发射极?? 和电压

Verzamelaar-emitter saturatiop spanning

 

VCE(zit)

 

Ik...C= 200A,VGE=15V

 

Tvj= 25°C Tvj= 125°C Tvj= 150°C

 

1.50

 

2.40

2.95

3.00

 

3.00

 

V

V

V

 

极 值 elektrische druk

DoorgangsdrempelSpanning

 

 

VGE (de)

 

Ik...C=8mA, VCE=VGE, Tvj= 25°C

 

 

5.0 6.0 7.0

 

V

 

极电荷 极电荷

Poort belastingen

 

QG

 

 

VGE=-15V...+15V

 

0.8

 

μC

 

内部 极电阻

Interne poort weerstand

 

RGint

 

Tvj= 25°C

 

 

2.5

 

Ω

 

Invoercapaciteit

Inputplafondacitans

 

C- Ja.

 

f=1MHz, Tvj= 25°C, VCE=25V, VGE=0V

 

8.76

 

nF

 

Omgekeerde transmissiecapaciteit

Omgekeerde baansferencapaciteit

 

CRes

 

f=1MHz, Tvj= 25°C, VCE=25V, VGE=0V

 

 

0.40

 

nF

 

集电极-发射极截止电流 (afscheidingsstroom)

Verzamelaar-emittent grenswaarde chuur

 

 

Ik...CES

 

VCE=1200V, VGE=0V, Tvj= 25°C

 

5.00

 

 

mA

 

- Ja.-发射极漏电流 (uitstortingsdrempel)

Poort-emitter lekken stroom

 

Ik...GES

 

 

VCE=0V, VGE=20V, Tvj= 25°C

 

200

 

nA

 

开通延迟时间( elektrische belasting)

Aanzetten vertragingstijd, inductief belastingen

 

td( op)

 

Tvj= 25°C Tvj= 125°C Tvj= 150°C

 

65

75

 

75

 

N.B.

N.B.

N.B.

 

Upgrade tijd( elektrische belasting)

Tijd om op te staan. inductief belastingen

 

tr

 

Tvj= 25°C Tvj= 125°C Tvj= 150°C

 

45

55

 

55

 

N.B.

N.B.

N.B.

 

关断延迟时间( elektrische belasting)

Afdaling delay tijd, inductief belastingen

 

td(weg)

 

Ik...C=200A, VCE=600V

VGE=±15V

RGa weg.=3,3 Ω

RGoff.=3,3 Ω

 

Inductieve Lo.ad

 

Tvj= 25°C Tvj= 125°C Tvj= 150°C Tvj= 25°C Tvj= 125°C Tvj= 150°C

 

205

230

 

235

 

N.B.

N.B.

N.B.

 

- Ik heb geen tijd.( elektrische belasting)

De herfsttijd. inductief belastingen

 

 

tf

 

55

85

 

85

 

N.B.

N.B.

N.B.

 

开通 损耗能量(Elke impuls)

Aanzetten energie Verlies per puIk ben er.

 

Eop

 

Tvj= 25°C Tvj= 125°C Tvj= 150°C

 

16.7

26.4

28.2

 

MJ

MJ

MJ

 

关断 损耗能量(Elke impuls)

Afsluitenergie Verlies per Puls

 

 

Eweg

 

Tvj= 25°C Tvj= 125°C Tvj= 150°C

 

4.9

8.8

9.6

 

MJ

MJ

MJ

 

短路数据

SC gegevens

 

Ik...SC

 

VGE≤ 15V, VCC=800V

VCEmax=VCES- L.sCE·di/dt, tp= 10 μs, Tvj= 150°C

 

 

800

 

Een

 

结-外 热阻

Thermische weerstand,Instelling tot geval

 

RthJC

 

Per IGBT / Elke. IGBT

 

0.14

 

K/W

 

 

werktemperatuur

Temperatuur enEr overstappen voorwaarden

 

Tvjop

 

-40

 

150

 

 

°C

 

 

Diode, omvormer/ Twee-hoekige buis, omgekeerde veranderingsbak

Maximaal Nominale waarden/ maximaal bedrag

 

Artikel 1

 

Symbool CVerhoudingen

 

Waarde

 

 

Eenheden

 

In de eerste plaats moet de verwarming van de spanning van de spanning van de spanning van de spanning van de spanning van de spanning van de spanning van de spanning van de spanning van de spanning van de spanning van de spanning van de spanning van de spanning van de spanning van de spanning van de spanning.

Hoogte herhaaldelijk omgekeerde spanninge

 

VRRM Tvj= 25°C

 

1200

 

 

 

V

 

continue rechtstreekse stroom stroom

Continu DC voorstroom van de afdeling

 

Ik...F

 

200

 

 

Een

 

Voor de toepassing van deze richtlijn wordt het volgende bepaald:

Hoogte herhalende voorstroom

 

 

Ik...FRM's tp=1 ms

 

400

 

 

Een

 

 

 

Kenmerkende waarden/ 特征waarde

 

Artikel 1

 

SymboolVoorwaarden

 

- Min. Typus.

 

Max, ik ben er klaar voor.

 

Eenheden

 

rechtstreekse spanning

Voorspanning

 

VF Ik...F=200A

 

Tvj= 25°C Tvj= 125°CTvj= 150°C

 

1.50

 

1.80

1.80

1.80

 

2.40

 

V

V

V

 

Gegenschakelde piekstroom

 

Hoogte omgekeerd herstel c.huur

 

Ik...RM

 

 

Qr

 

 

 

Erec

 

 

Ik...F=200A

-di/dt=3200A/μs VR = 600 V

 

VGE=-15V

 

Tvj= 25°C Tvj= 125°CTvj= 150°CTvj= 25°C Tvj= 125°CTvj= 150°CTvj= 25°C Tvj= 125°CTvj= 150°C

 

140

140

 

140

 

 

Een

Een

Een

 

Gegenspoelde teruglading

Invorderingskosten

 

14.5

22.528.0

 

 

μC

μC

μC

 

Omgekeerd herstelverlies (per impuls)

Achteruit herstel energie (per puls)

 

4.5

8.7 9.9

 

 

MJ

MJ

MJ

 

结-外 热阻

Thermische weerstand,Instelling tot geval

 

RthJC Per diode Elke个二极管

 

 

 

0.23

 

K/W

 

werktemperatuur

Temperatuur enEr overstappen voorwaarden

 

 

Tvjop

 

-40

 

150

 

°C

 

 

 

 

Module/ 模块

 

Artikel 1

 

Symbool

 

Voorwaarden

 

Waarde

 

Eenheden

 

绝缘 testspanning

Isolatietestspanning

 

VISOL

 

RMS, f=50Hz, t=1min

 

3.0

 

 

kV

 

模块基板材料

Materiaal van module basisplaat

   

 

 

C.

 

 

内部绝缘

Intern isolatie

 

 

基本绝缘(klasse 1, Ik...EG 61140)

Basis isolatie (klasse 1, IEC 61140)

 

Al2O3

 

 

爬电距离

Geweldig.Tans

 

 

端子-散热片/ terminal to verwarmingsbak

端子-端子/terminal naar termineraal

 

29.0

23.0

 

 

mm

 

电气间隙

Vergunning

 

 

端子-散热片/ terminal to verwarmingsbak

端子-端子/terminal naar termineraal

 

23.0

11.0

 

mm

 

Relatieve elektrische spoorindex

Comparativ - vergelijkendHet volgen index

 

 

CTI

 

 

 

> 400

 

 

 

Artikel 1

 

Symbool

 

Voorwaarden

 

- Min.

 

Typus.

 

Max, ik ben er klaar voor.

 

Eenheden

 

杂散电感,模块 (gebroken elektrisch gevoel, module)

Stray inductantie module

 

LsCE

   

 

20

 

 

nH

 

模块引脚电阻, 端子-chip

 

Module Lood Resistentie ,Terminals-Cheup

 

RCC??+EE??

RAA??+CC??

   

 

0.7

 

 

 

storing temperatuur

 

Opbergingperatuur

 

Tstg

 

 

 

-40

 

 

 

125

 

 

°C

 

模块安装的安装扭距

Montage torVoor module montage

 

 

M

 

M6

 

3.00

 

 

6.00

 

 

Nm

 

端子联接 torste afstand

Terminalverbindingn koppel

 

M

 

M6

 

2.50

 

 

5.00

 

Nm

 

Gewicht

 

Gewicht

 

G

   

 

320

 

 

g

 

200A 1200V IGBT halfbrugmodule 62mm DS-SPS200B12G6H4-S04020005 1 

IGBT IGBT

Uitgangskenmerken IGBT, Inverter (typisch) Uitgangskenmerken IGBT, Inverter (typisch)

Ik...C=f (V)CE) IC=f(VCE)

VGE=15V              Tvj=150°C

 

 

 

200A 1200V IGBT halfbrugmodule 62mm DS-SPS200B12G6H4-S04020005 2

 

IGBT IGBT

Overdrachtskenmerk IGBT, omvormer (typisch)

IC=f (VGE) E=f (IC), Eoff=f (IC)

VCE=20V VGE=±15V, RGon=3,3 Ω, RGoff=3,3 Ω, VCE=600V

 

200A 1200V IGBT halfbrugmodule 62mm DS-SPS200B12G6H4-S04020005 3

IGBT IGBT

Schakelverliezen IGBT, Inverter (typisch) Transiente thermische impedantie IGBT, Inverter

E=f (RG) ZthJC=f (t)

VGE=±15V, IC=200A, VCE=600V

 

  200A 1200V IGBT halfbrugmodule 62mm DS-SPS200B12G6H4-S04020005 4

 

IGBT

Vervolgens moet de verwarming van de verwarming van de verwarming van de verwarming van de verwarming van de verwarming worden uitgevoerd.

IC=f (VCE) IF=f (VF)

VGE=±15V, RGoff=3,3 Ω, Tvj=150°C

 

200A 1200V IGBT halfbrugmodule 62mm DS-SPS200B12G6H4-S04020005 5

 

 

Schakelverliezen Diode, omvormer (typisch) Schakelverliezen Diode, omvormer (typisch)

Erec=f (IF) Erec=f (RG)

RGon=3,3Ω, VCE=600V IF=200A, VCE=600V

 

200A 1200V IGBT halfbrugmodule 62mm DS-SPS200B12G6H4-S04020005 6

FRD

Termiekimpedantie FRD, omvormer

ZthJC=f (t)

 

 

200A 1200V IGBT halfbrugmodule 62mm DS-SPS200B12G6H4-S04020005 7

 

De "1200V 200A IGBT Half Bridge Module" integreert twee IGBT's in een halfbrugconfiguratie voor toepassingen die controle nodig hebben over matige tot hoge spannings- en stroomniveaus.Effectieve koeling is van cruciaal belang, en gedetailleerde specificaties zijn te vinden in het gegevensblad van de fabrikant.

200A 1200V IGBT halfbrugmodule 62mm DS-SPS200B12G6H4-S04020005 8

Circuits schema Hoofdstuk 

 

200A 1200V IGBT halfbrugmodule 62mm DS-SPS200B12G6H4-S04020005 9

 

 

Pakket overzichten

 

200A 1200V IGBT halfbrugmodule 62mm DS-SPS200B12G6H4-S04020005 10