producten

Thuis > producten > IGBT-modules 34 mm > 150A High Power IGBT-module 34mm DS-SPS150B12G3M4-S0401G0021 V1.0.

Categorieën

Modules voor de automobielindustrie

(1)

IGBT Discrete

(2)

Contactpersonen

Contactpersonen: Mr. Zhou

Telefoon: 86-1360-528-8329

Contact opnemen

Post ons

150A High Power IGBT-module 34mm DS-SPS150B12G3M4-S0401G0021 V1.0.

Name: 150A High Power IGBT-module 34mm DS-SPS150B12G3M4-S0401G0021 V1.0.
Brand: 150A High Power IGBT-module 34mm DS-SPS150B12G3M4-S0401G0021 V1.0.
SKU: SPS150B12G3M4
Rating: 4.7 (151 reviews)

Productgegevens

Modelnummer: SPS150B12G3M4

Betaling en verzendvoorwaarden

Vind de beste prijs

Productgegevens

Productbeschrijving

Markeren: 
                                                High Power IGBT-module 34 mm, 150A High Power IGBT-module, 150A IGBT-module 34 mm
                              

150A High Power IGBT-module 34mm DS-SPS150B12G3M4-S0401G0021 V1.0.

Solid Power-DS-SPS150B12G3M4-S0401G0021 V1.0.

1200 V 150A IGBT De helft. De brug Module

1200 V 150A IGBT

Kenmerken:

D 1200V Trench+ Field Stop-technologie

□ Freewheeling-diodes met snelle en zachte omkering

□ V_{CE (sat)}met een positieve temperatuurcoëfficiënt

□ Lage verliezen bij overstap

Typisch Toepassingen:

□ Motor/servo-aandrijving

□ Hoogvermogensomvormers

□ UPS

□ Photovoltaïsche energie

Pakket

Artikel 1	Symbool	Voorwaarden		Waarden			Eenheid
Isolatie-testspanning	VISOL	RMS, f = 50 Hz, t = 1 min		4.0			kV
Materiaal van de modulebasisplaat				C.
Interne isolatie		(klasse 1, IEC 61140) Basisisolatie (klasse 1, IEC 61140)		Al₂O₃
Krijpweg	dScreep	terminal naar koelkast		17.0			mm
	dScreep	terminal naar terminal		20.0
Vergunning	dClear	terminal naar koelkast		17.0			mm
	dClear	terminal naar terminal		9.5
Vergelijkende trackingindex	CTI			> 200

Artikel 1	Symbool	Voorwaarden		Waarden			Eenheid
				- Min.	Typus.	Max, ik ben er klaar voor.
Stroominductiemodule	LsCE				20		nH
Module loodweerstand, eindpunten - chip	RCC+EE		T_C= 25°C		0.65		mΩ
Bergingstemperatuur	Tstg			-40		125	°C
Montage-koppel voor de montage van modules	M6			3.0		5.0	Nm
Torque van de aansluiting van de terminal	M5			2.5		5.0	Nm
Gewicht	G				160		g

IGBT

Maximaal Geclassificeerd Waarden

Artikel 1	Symbool	Voorwaarden		Waarden	Eenheid
Voltage van de collector-emitter	VCES		T_vj= 25°C	1200	V
Maximale spanning van de poort-emitter	VGES			± 20	V
Transiente gate-emitterspanning	VGES	t_p≤ 10 μs, D=0.01		± 30	V
Continu gelijkstroomcollector	Ik..._C		T_C= 25°C	200	Een
Continu gelijkstroomcollector	Ik..._C		T_C= 100°C	150	Een
Pulserende collectie-stroom,tp beperkt door T_jmax	ICpulse			300	Een
Energieverlies	Ptot			600	W

Kenmerkend Waarden

Artikel 1	Symbool	Voorwaarden		Waarden			Eenheid
Artikel 1	Symbool	Voorwaarden		- Min.	Typus.	Max, ik ben er klaar voor.	Eenheid
Verzamelaar-emitter verzadigingsspanning	VCE (sat)	Ik..._C=150A, V_GE=15V	T_vj= 25°C		1.50	1.80	V
			T_vj= 125°C		1.65
			T_vj= 150°C		1.70
Sluitingsdrempelspanning	VGE (th)	V_CE=V_GEIk..._C=6mA		5.0	5.8	6.5	V
Stroomverlies van de collector-emitter	ICES	V_CE=1200V, V_GE=0V	T_vj= 25°C			100	μA
Stroomverlies van de collector-emitter	ICES	V_CE=1200V, V_GE=0V	T_vj= 150°C			5	mA
Doorloopstroom van de poort-emitter	IGES	V_CE=0V,V_GE=±20V, T_vj= 25°C		- 200 dollar.		200	nA
Doorgangskosten	Q_G	V_CE=600V, I_C= 150A, V_GE=±15V			1.8		μC
Invoercapaciteit	- Ja.	V_CE=25V, V_GE=0V, f =100kHz			30.0		nF
Uitvoercapaciteit	Coes				0.95
Omgekeerde overdrachtscapaciteit	Cres				0.27
interne poortweerstand	RGint	T_vj= 25°C			2		Ω
Inrichtingsvertragingstijd, inductiebelasting	Td (aan)	V_CC= 600V,I_C=150A R_G=3,3Ω, V_GE=±15V	T_vj= 25°C		128		N.B.
			T_vj= 125°C		140		N.B.
			T_vj= 150°C		140		N.B.
Stijgingstijd, inductiebelasting	t_r		T_vj= 25°C		48		N.B.
			T_vj= 125°C		52		N.B.
			T_vj= 150°C		52		N.B.
Uitsteltijd voor uitschakeling, inductiebelasting	Td (uit)	V_CC= 600V,I_C=150A R_G=3,3Ω, V_GE=±15V	T_vj= 25°C		396		N.B.
			T_vj= 125°C		448		N.B.
			T_vj= 150°C		460		N.B.
Valtijd, inductiebelasting	t_f		T_vj= 25°C		284		N.B.
			T_vj= 125°C		396		N.B.
			T_vj= 150°C		424		N.B.
Energieverlies bij aanschakeling per impuls	Eon	V_CC= 600V,I_C=150A R_G=3,3Ω, V_GE=±15V	T_vj= 25°C		4.9		MJ
			T_vj= 125°C		7.6		MJ
			T_vj= 150°C		8.3		MJ
Afzetten Energieverlies per puls	Eof		T_vj= 25°C		16.1		MJ
			T_vj= 125°C		21.7		MJ
			T_vj= 150°C		22.5		MJ
SC gegevens	ISC	V_GE≤ 15V, V_CC=800V	tp≤10 μs T_vj= 150°C			650	Een
IGBT-warmteweerstand, aansluiting	RthJC					0.25	K / W
Werktemperatuur	TJop			-40		150	°C

Diode

Maximaal Geclassificeerd Waarden

Artikel 1	Symbool	Voorwaarden		Waarden	Eenheid
Repetitieve omgekeerde spanning	VRRM		T_vj= 25°C	1200	V
Continu gelijkstroom naar voren	Ik..._F			150	Een
Diode-pulsstroom,tp beperkt door T_Jmax	IFpulse			300	Een

Kenmerkend Waarden

Artikel 1	Symbool	Voorwaarden		Waarden			Eenheid
				- Min.	Typus.	Max, ik ben er klaar voor.
Voorspanning	V_F	Ik..._F= 150A, V_GE=0V	T_vj= 25°C		2.30	2.70	V
			T_vj= 125°C		2.50
			T_vj= 150°C		2.50
Omgekeerde hersteltijd	trr	Ik..._F=150A DI_F/dt=-3300A/μs (T)_vj= 150°C) V_R=600V, V_GE=-15V	T_vj= 25°C		94		N.B.
			T_vj= 125°C		117
			T_vj= 150°C		129
Piek-omgekeerde terugwinningstroom	IRRM		T_vj= 25°C		151		Een
			T_vj= 125°C		166
			T_vj= 150°C		170
Omgekeerde terugvorderingsheffing	QRR		T_vj= 25°C		15.6		μC
			T_vj= 125°C		23.3
			T_vj= 150°C		24.9
Verlies van energie van omgekeerde terugwinning per puls	Erec		T_vj= 25°C		6.7		MJ
			T_vj= 125°C		10.9
			T_vj= 150°C		11.9
Diode thermische weerstand, verbindingshoesje	RthJCD					0.46	K / W
Werktemperatuur	TJop			-40		150	°C

Output kenmerkend (typisch) Output kenmerkend (typisch)

Ik..._C= f (V)_CE) I_C= f (V)_CE) T_vj= 150°C

150A High Power IGBT-module 34mm DS-SPS150B12G3M4-S0401G0021 V1.0. 5

IGBT

Overdracht kenmerkend (typisch) Overstappen verliezen IGBT(typisch)

Ik..._C= f (V)_GE) E = f (R_G)

V_CE= 20V V_GE= ±15V, I_C= 150A, V_CE= 600V

150A High Power IGBT-module 34mm DS-SPS150B12G3M4-S0401G0021 V1.0. 6

IGBT RBSOA

Overstappen verliezen IGBT(typisch) Achteruit vooringenomenheid veilig werkend gebied ((RBSOA)

E = f (I)_C) I_C=f (V)_CE)

V_GE= ±15V, R_G= 3.3Ω, V_CE= 600 V V_GE= ±15V, R_{- Wat is er?}= 5.1Ω, T_vj= 150°C

150A High Power IGBT-module 34mm DS-SPS150B12G3M4-S0401G0021 V1.0. 7

Typisch capaciteit als a. functie van verzamelaar-emitter Spanning Poortlading (typisch)

C = f (V)_CE) V_GE= f (Q_G)

f = 100 kHz, V_GE= 0V I_C= 150A, V_CE= 600V

150A High Power IGBT-module 34mm DS-SPS150B12G3M4-S0401G0021 V1.0. 8

IGBT naar voren kenmerkend van Diode (typisch)

IGBT vergankelijk thermische Impedantie als a. functie van de hartslag breedteIk..._F= f (V)_F)

Zth(j-c) = f (t)

150A High Power IGBT-module 34mm DS-SPS150B12G3M4-S0401G0021 V1.0. 9

Schakelverliezen Diode (typisch) SchakelenVerlies Diode (typisch)

E_rec= f (R_G) E_rec= f (I_F)

Ik..._F= 150A, V_CE= 600V R_G= 3.3Ω, V_CE= 600V

150A High Power IGBT-module 34mm DS-SPS150B12G3M4-S0401G0021 V1.0. 10

Diode vergankelijk thermische Impedantie als a. functie van Puls breedte

Zth(j-c) = f (t)

150A High Power IGBT-module 34mm DS-SPS150B12G3M4-S0401G0021 V1.0. 11

De "1200V 150A IGBT Half Bridge Module" integreert twee IGBT's in een halfbrugconfiguratie.een nauwkeurige besturing van de spanning (1200 V) en de stroom (150 A)Een doeltreffende koeling is essentieel voor een betrouwbare werking, en gedetailleerde specificaties zijn te vinden in het productieblad.

Circuits schema Hoofdstuk

150A High Power IGBT-module 34mm DS-SPS150B12G3M4-S0401G0021 V1.0. 12

Pakket overzichten

Afmetingen (mm)

Tags:

IGBT-modules 34 mm

IGBT-modules 62 mm

IGBT modules EconoDual3

IGBT-modules

IGBT modules EconoPack

IGBT-modules

Modules voor de automobielindustrie

Hybride SiC-discreten

Afzonderlijk Mosfet

IGBT Discrete

150A High Power IGBT-module 34mm DS-SPS150B12G3M4-S0401G0021 V1.0.

High Power IGBT-module 34 mm