Jiangsu Solid Power Semiconductor Co.,Ltd
producten
producten
Thuis > producten > IGBT-modules 34 mm > 1700V 75A H brug IGBT module DS-SPS75B17G3-S04010014 V1.0.

1700V 75A H brug IGBT module DS-SPS75B17G3-S04010014 V1.0.

Productgegevens

Modelnummer: SPS75B17G3

Betaling en verzendvoorwaarden

Vind de beste prijs
Markeren:

75A H brug IGBT-module

,

IGBT-brugmodule van 1700 V H

,

IGBT-module van 1700 V

1700V 75A H brug IGBT module DS-SPS75B17G3-S04010014 V1.0.

Solid Power-DS-SPS75B17G3-S04010014 V1.0.

 

700 V 75A IGBT De helft. De brug Module

1700V 75A H brug IGBT module DS-SPS75B17G3-S04010014 V1.0. 0

 

Kenmerken:

  • 1700V Trench Gate & Field Stop structuur
  • Hoge capaciteit voor kortsluiting
  • Laag wisselverlies
  • Hoge betrouwbaarheid
  • Positieve temperatuurcoëfficiënt

 

 

Typisch Toepassingen:

  • Motorrijtuigen
  • Servo-aandrijving
  • Inverter en voedingsmiddelen
  • Photovoltaïsche

 

IGBT, Inverter / IGBT, inverter

Maximale nominale waarden / 最大额定值

 

Artikel 1

 

Symbool

 

Voorwaarden

 

Waarde

 

Eenheden

 

集电极-发射电极spanning

Verzamelaar-uitgifter spanning

 

VCES

 

Tvj= 25°C

 

1700

 

V

 

连续集电极直流电流

Continu D.C. verzamelingctor stroom

 

Ik...C naam

 

 

75

 

 

Een

 

集电极重复峰值电流 (de hoogte van de elektriciteitsstroom)

Hoogte herhalenverzameling collectie-stroom

 

Ik...CRM

 

tp=1 ms

 

150

 

Een

 

totaal vermogen

Totaal vermogen ontdooienVerband

 

Ptot

 

TC= 25°C,Tvjmax= 175°C

 

535

 

W

 

¥ ¥ ¥ ¥ ¥ ¥ ¥ ¥

Maximaal bereikSpanning van de e-emitter

 

VGES

 

 

±20

 

V

 

Maximum temperatuur

Maximaal verbindingspuntn temperatuur

 

Tvjmax

 

 

175

 

°C

 

PersoonlijkheidHet aantal/ 特征值

 

Artikel 1

 

Symbool

 

Voorwaarden

 

Min. type. max.

 

Eenheden

 

集电极-发射极?? 和电压

Verzamelaar-emittent saansturingspanning

 

VCE(zit)

 

Ik...C=75,VGE=15V

 

Tvj= 25°C Tvj= 125°C Tvj= 150°C

 

2.24

2.51 2.56

 

2.60

 

V

V

V

 

极 值 elektrische druk

DoorgangsdrempelSpanning

 

VGE (de)

 

Ik...C=3mA, VCE=VGE, Tvj= 25°C

 

4.5 5.9 6.5

 

V

 

极电荷 极电荷

Poort belastingen

 

 

QG

 

VGE=-15V...+15V

 

0.47

 

uC

 

内部 极电阻

Interne poort weerstand

 

RGint

 

Tvj= 25°C

 

10.8

 

Ω

 

Invoercapaciteit

Inputplafondacitans

 

 

C- Ja.

 

 

f=1MHz, Tvj= 25°C, VCE=25V, VGE=0V

 

5.03

 

nF

 

Omgekeerde transmissiecapaciteit

Omgekeerde baansferencapaciteit

 

CRes

 

f=1MHz, Tvj= 25°C, VCE=10V, VGE=0V

 

0.18

 

 

nF

 

集电极-发射极截止电流 (afscheidingsstroom)

Verzamelaar-emittent snij-off stroom

 

Ik...CES

 

VCE=1700V, VGE=0V, Tvj= 25°C

 

3.00

 

mA

 

- Ja.-发射极漏电流 (uitstortingsdrempel)

Poort-emitter lekken stroom

 

Ik...GES

 

VCE=0V, VGE=20V, Tvj= 25°C

 

400

 

 

nA

 

开通延迟时间( elektrische belasting)

Aanzetten vertragingstijd, inductief belastingen

 

 

td(op)

 

 

 

 

 

 

 

Ik...C=75A, VCE=900 V

VGE=±15V

RGa weg.= 6,6Ω

RGoff.= 6,6Ω

 

Inductieve Load,

 

Tvj= 25°C Tvj= 125°C Tvj= 150°C Tvj= 25°C Tvj= 125°C Tvj= 150°C Tvj= 25°C Tvj= 125°C Tvj= 150°C Tvj= 25°C Tvj= 125°C Tvj= 150°C Tvj= 25°C Tvj= 125°C Tvj= 150°C Tvj= 25°C Tvj= 125°C Tvj= 150°C

 

174

184

 

188

 

N.B.

N.B.

N.B.

 

Upgrade tijd( elektrische belasting)

Tijd om op te staan. inductief belastingen

 

tr

 

80

83

 

81

 

N.B.

N.B.

N.B.

 

关断延迟时间( elektrische belasting)

Afdaling delay tijd, inductief belastingen

 

td(weg)

 

319

380

 

401

 

N.B.

N.B.

N.B.

 

- Ik heb geen tijd.( elektrische belasting)

De herfsttijd. inductief belastingen

 

tf

 

310

562

 

596

 

N.B.

N.B.

N.B.

 

开通 损耗能量(Elke impuls)

Aanzetten energie Verlies per puIk ben er.

 

 

Eop

 

24.7

27.6

28.4

 

MJ

MJ

 

关断 损耗能量(Elke impuls)

Afsluitenergie Verlies per Puls

 

Eweg

 

10.9

16.1

17.5

 

MJ

MJ

 

短路数据

SC gegevens

 

Ik...SC

 

VGE≤ 15V, VCC=1000V

VCEmax=VCES- L.sCE·di/dt, tp= 10 μs, Tvj= 150°C

 

 

240

 

Een

 

结-外 热阻

Thermische weerstand,Instelling tot geval

 

 

RthJC

 

 

Per IGBT / Elke.IGBT

 

 

0.28 K/W

 

werktemperatuur

Temperatuur enEr overstappen voorwaarden

 

Tvjop

 

 

-40 150 °C

 

Diode, omvormer/ 二极管, omgekeerd veranderingsapparaat

Maximaal Nominale waarden/ maximaal bedrag

 

Artikel 1

 

Symbool

 

Voorwaarden

 

Waarde Eenheden

 

In de eerste plaats moet de verwarming van de spanning van de spanning van de spanning van de spanning van de spanning van de spanning van de spanning van de spanning van de spanning van de spanning van de spanning van de spanning van de spanning van de spanning van de spanning van de spanning van de spanning.

Hoogte herhaaldelijk omgekeerde spanninge

 

 

VRRM

 

 

Tvj= 25°C

 

1700 V

 

continue rechtstreekse stroom stroom

Continu DC voorstroom van de afdeling

 

 

Ik...F

 

 

75 Een

 

Voor de toepassing van deze richtlijn wordt het volgende bepaald:

Hoogte herhalende voorstroom

 

Ik...FRM's

 

 

tp=1 ms

 

150 A

 

PersoonlijkheidHet aantal/ 特征值

 

Artikel 1

 

Symbool

 

Voorwaarden

 

- Min. Typ Max. Eenheden

 

rechtstreekse spanning

Voorspanning

 

 

VF

 

Ik...F= 75A

 

Tvj= 25°C

Tvj= 125°C

Tvj= 150°C

 

1.59

1.72 1.71

 

2.25

 

V

V

V

 

Gegenschakelde piekstroom

 

Hoogte omgekeerd herstel c.huur

 

Ik...RM

 

 

Ik...F= 75A

- Di.F/dtweg=1100A/μs

VR =900 V

 

VGE=-15V

 

Tvj= 25°C

Tvj= 125°C

Tvj= 150°C

 

85

101

 

108

 

Een

Een

Een

 

恢复电荷

Invorderingskosten

 

Qr

 

Tvj= 25°C

Tvj= 125°C

Tvj= 150°C

 

23.5

32.9 36.2

 

uC

uC

uC

 

Omgekeerd herstelverlies (per impuls)

Achteruit herstel energie (per puls)

 

Erec

 

Tvj= 25°C

Tvj= 125°C

Tvj= 150°C

 

11.8

17.8 19.6

 

MJ

MJ

MJ

 

结-外 热阻

Thermische weerstand,Instelling tot geval

 

RthJC

 

per diode/ Elke twee-hoekige buis

 

0.48 K/W

 

werktemperatuur

Temperatuur enEr overstappen voorwaarden

 

 

Tvjop

 

 

 

-40 150 °C

 

 

Module / 模块

 

Artikel 1

 

Symbool

 

Voorwaarden

 

Waarde

 

Eenheid

s

 

绝缘 testspanning

Isolatietestspanning

 

VISOL

 

RMS, f=50Hz, t=1min

 

4.0

 

 

kV

 

模块基板材料

Materiaal van module basisplaat

   

 

C.

 

 

内部绝缘

Intern isolatie

 

 

基本绝缘(klasse 1, Ik...EG 61140)

Basis isolatie (klasse 1, IEC 61140)

 

Al2O3

 

 

爬电距离

Geweldig.Tans

 

 

端子-散热片/ terminal to verwarmingsbak

端子-端子/terminal naar termineraal

 

17

 

20

 

 

mm

 

电气间隙

Vergunning

 

 

端子-散热片/ terminal to verwarmingsbak

端子-端子/terminal naar termineraal

 

17

9.5

 

 

mm

 

Relatieve elektrische spoorindex

Vergelijkend volgen index

 

CTI

 

 

> 200

 

 

 

Artikel 1

 

Symbool

 

Voorwaarden

 

- Min.

 

Typus.

 

Max, ik ben er klaar voor.

 

Eenheden

 

杂散电感,模块 (gebroken elektrisch gevoel, module)

Stray inductantie module

 

LsCE

   

 

30

 

 

nH

 

模块引脚电阻, 端子 (de modules worden gebruikt voor het opzetten van een elektrische band).-chip

 

Module Lood Resistentie ,Terminals-Cheup

 

RCC+EE

RAA+CC

   

 

 

0.65

 

 

 

 

storing temperatuur

 

Opbergingperatuur

 

Tstg

 

 

-40

 

 

125

 

°C

 

模块安装的安装扭距

Montage torVoor module montage

 

 

M

 

M6

 

3.00

 

 

5.00

 

 

Nm

 

端子联接 torste afstand

Terminalverbindingn koppel

 

M

 

M5

 

3.00

 

 

5.00

 

Nm

 

Gewicht

 

Gewicht

 

G

   

 

160

 

 

g

 

 

IGBT IGBT

Uitgangskenmerken IGBT, Inverter (typisch) Uitgangskenmerken IGBT, Inverter (typisch)

IC=f (VCE) IC=f ((VCE)

VGE=15V Tvj=150°C

 

1700V 75A H brug IGBT module DS-SPS75B17G3-S04010014 V1.0. 1

                                                                                        

                                                                                               

IGBT IGBT

Overdrachtskenmerken IGBT, omvormer (typisch) Schakelverliezen IGBT, omvormer (typisch)

IC=f ((VGE) E=f ((IC)

VCE=20V VGE=±15V, RG=6,6Ω, VCE=900V

 

1700V 75A H brug IGBT module DS-SPS75B17G3-S04010014 V1.0. 2

 

 

IGBT IGBT

Schakelverliezen IGBT, Inverter (typisch) Schakelverliezen IGBT, Inverter (typisch)

E=f (RG) E=f ((IC)

VGE=±15V, IC=75A, VCE=900V VGE=±15V, RG=6.6Ω, VCE=900V

 

1700V 75A H brug IGBT module DS-SPS75B17G3-S04010014 V1.0. 3

 

IGBT IGBT

Schakelverliezen IGBT, Inverter (typisch) Transiente thermische impedantie IGBT, Inverter

E=f (RG) ZthJC=f (t)

VGE=±15V, IC=75A, VCE=900V

 

1700V 75A H brug IGBT module DS-SPS75B17G3-S04010014 V1.0. 4

 

IGBT, RBSOA

Vervolgens moet de verwarming van de verwarmingsinstallatie worden uitgevoerd met behulp van een verwarmingsinstallatie.

Ik...C=f(VCE)Ik...F=f(VF)

VGE=±15V, RGoff.=6,6Ω, Tvj=150°C

1700V 75A H brug IGBT module DS-SPS75B17G3-S04010014 V1.0. 5

 

 

 

Schakelverliezen Diode, omvormer (typisch) Schakelverliezen Diode, omvormer (typisch)

Erec=f (IF) Erec=f (RG)

RG=6.6 Ω, VCE=900V IF=75A, VCE=900V

 

1700V 75A H brug IGBT module DS-SPS75B17G3-S04010014 V1.0. 6

 

 

Diode met thermische impedantie, inverter

ZthJC=f (t)

1700V 75A H brug IGBT module DS-SPS75B17G3-S04010014 V1.0. 7

 

 

Een "1700V IGBT" is een geïsoleerde poort bipolaire transistor die in staat is om een maximale spanning van 1700 volt te verwerken.met een vermogen van niet meer dan 30 WEen goed koel- en poortbestuur is essentieel voor een optimale prestatie.

 

 

1700V 75A H brug IGBT module DS-SPS75B17G3-S04010014 V1.0. 8

Circuits schema Hoofdstuk 

 

1700V 75A H brug IGBT module DS-SPS75B17G3-S04010014 V1.0. 9

 

 

 

 

 

Pakket overzichten 

 

1700V 75A H brug IGBT module DS-SPS75B17G3-S04010014 V1.0. 10