OEM 1200V 100A H Bridge Mosfet Module DS-SPS100B12G3H6-S04010019

Solid Power-DS-SPS100B12G3H6-S04010019

1200 V 100A IGBT De helft. De brug Module

1200 V 100A IGBT 

Kenmerken:

D 1200V Trench+ Field Stop-technologie

□ Freewheeling-diodes met snelle en zachte omkering

□ V_{CE (sat)}met een positieve temperatuurcoëfficiënt

□ Lage verliezen bij overstap

TypischToepassingen: 

□ Lassen

Output kenmerkend (typisch) Output kenmerkend (typisch)

Ik..._C= f (V)_CE) I_C= f (V)_CE) T_vj= 150°C

                                                                                                                   IGBT

Overdracht kenmerkend (typisch) Overstappen verliezen IGBT(typisch)

Ik..._C= f (V)_GE) E = f (R_G)

V_CE= 20V V_GE= ±15V, I_C= 30A, V_CE= 600V

IGBT RBSOA

 Overstappen verliezen IGBT(typisch) Achteruit vooringenomenheid veilig werkend gebied ((RBSOA)

E = f (I)_C) I_C=f (V)_CE)

V_GE= ±15V, R_G= 10Ω, V_CE= 600 V V_GE= ±15V, R_{- Wat is er?}= 10Ω, T_vj= 150°C

Typisch capaciteit als a. functie van verzamelaar-emitter Spanningsgate belastingen(typisch)

C = f (V)_CE) V_GE= f (Q_G)

f = 100 kHz, V_GE= 0V I_C= 100A, V_CE= 600V

IGBT

IGBT vergankelijk thermische Impedantie als a. functie van Puls breedte Vooruit kenmerkend van Diode (typisch)

Zth(j-c) = f (t) I_F= f (V)_F)

   Overstappen verliezen Diode (typisch) Schakelaar verliezen Diode (typisch)

E_rec= f (R_G) E_rec= f (I_F)

Ik..._F= 30A, V_CE= 600V R_G= 10Ω, V_CE= 600V

Diode vergankelijk thermische Impedantie als a. functie van Pulsbreedte

Zth(j-c) = f (t)