producten

Thuis > producten > IGBT-modules 34 mm > Op maat gemaakte IGBT-modules voor auto's 34 mm DS-SPS100B17G3R8-S04010015 V1.0

Categorieën

Modules voor de automobielindustrie

(1)

IGBT Discrete

(2)

Contactpersonen

Contactpersonen: Mr. Zhou

Telefoon: 86-1360-528-8329

Contact opnemen

Post ons

Op maat gemaakte IGBT-modules voor auto's 34 mm DS-SPS100B17G3R8-S04010015 V1.0

Name: Op maat gemaakte IGBT-modules voor auto's 34 mm DS-SPS100B17G3R8-S04010015 V1.0
Brand: Op maat gemaakte IGBT-modules voor auto's 34 mm DS-SPS100B17G3R8-S04010015 V1.0
SKU: SPS100B17G3R8
Rating: 5 (155 reviews)

Productgegevens

Modelnummer: SPS100B17G3R8

Betaling en verzendvoorwaarden

Vind de beste prijs

Productgegevens

Productbeschrijving

Markeren: 
                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                Op maat gemaakte IGBT-modules voor auto's, IGBT-modules voor auto's 34 mm, Op maat gemaakte modules 34 mm
                              

Configuratie:	3 faseomschakelaar	Huidig - Collector ((Maximum) Ic):	200A
Huidig - (Maximum) Collectorscheiding:	1mA	Poortlast:	100 nC
Invoertype:	Standaard	Montage-type:	Chassismontage
Werktemperatuur:	-40 °C ~ 150 °C	Pakket / doos:	34 mm module
Pakkettype:	Module	Vermogen - Max.:	1.2 kW
Omgekeerde hersteltijd (trr):	100ns	Omschakelingsenergie:	1.2mJ
Voltage - (de Maximum) Analyse van de Collectorzender:	600 V	Spanning - verzadiging van de collectoremitter (max):	1.8V

Configuratie:	3 faseomschakelaar
Huidig - Collector ((Maximum) Ic):	200A
Huidig - (Maximum) Collectorscheiding:	1mA
Poortlast:	100 nC
Invoertype:	Standaard
Montage-type:	Chassismontage
Werktemperatuur:	-40 °C ~ 150 °C
Pakket / doos:	34 mm module
Pakkettype:	Module
Vermogen - Max.:	1.2 kW
Omgekeerde hersteltijd (trr):	100ns
Omschakelingsenergie:	1.2mJ
Voltage - (de Maximum) Analyse van de Collectorzender:	600 V
Spanning - verzadiging van de collectoremitter (max):	1.8V

Op maat gemaakte IGBT-modules voor auto's 34 mm DS-SPS100B17G3R8-S04010015 V1.0

Solid Power-DS-SPS100B17G3R8-S04010015 V1.0

700 V 100A IGBT De helft. De brug Module

700 V 100A IGBT

Op maat gemaakte IGBT-modules voor auto's 34 mm DS-SPS100B17G3R8-S04010015 V1.0 0

Kenmerken:

□ 1700V Trench+ Field Stop technologie

□ Freewheeling-diodes met snelle en zachte omkering

□ V_{CE (sat)}met een positieve temperatuurcoëfficiënt

□ Lage verliezen bij overstap

Typisch Toepassingen:

□ Motor/servo-aandrijving

□ Hoogvermogensomvormers

□ UPS

□ Photovoltaïsche energie

Pakket

Artikel 1	Symbool	Voorwaarden		Waarden			Eenheid
Isolatie-testspanning	VISOL	RMS, f = 50 Hz, t = 1 min		4.0			kV
Materiaal van de modulebasisplaat				C.
Interne isolatie		(klasse 1, IEC 61140) Basisisolatie (klasse 1, IEC 61140)		Al₂O₃
Krijpweg	dScreep	terminal naar koelkast		17.0			mm
	dScreep	terminal naar terminal		20.0
Vergunning	dClear	terminal naar koelkast		17.0			mm
	dClear	terminal naar terminal		9.5
Vergelijkende trackingindex	CTI			> 200

Artikel 1	Symbool	Voorwaarden		Waarden			Eenheid
				- Min.	Typus.	Max, ik ben er klaar voor.
Stroominductiemodule	LsCE				20		nH
Module loodweerstand, eindpunten - chip	RCC+EE		T_C= 25°C		0.65		mΩ
Bergingstemperatuur	Tstg			-40		125	°C
Montage-koppel voor de montage van modules	M6			3.0		5.0	Nm
Torque van de aansluiting van de terminal	M5			2.5		5.0	Nm
Gewicht	G				160		g

IGBT

Maximaal Geclassificeerd Waarden

Artikel 1	Symbool	Voorwaarden		Waarden	Eenheid
Voltage van de collector-emitter	VCES		T_vj= 25°C	1700	V
Maximale spanning van de poort-emitter	VGES			± 20	V
Transiente gate-emitterspanning	VGES	t_p≤ 10 μs, D=0.01		± 30	V
Continu gelijkstroomcollector	Ik..._C		T_C= 25°C	180	Een
Continu gelijkstroomcollector	Ik..._C		T_C= 100°C	100	Een
Pulserende collectie-stroom,tp beperkt door T_jmax	ICpulse			200	Een
Energieverlies	Ptot			535	W

Kenmerkend Waarden

Artikel 1	Symbool	Voorwaarden		Waarden			Eenheid
Artikel 1	Symbool	Voorwaarden		- Min.	Typus.	Max, ik ben er klaar voor.	Eenheid
Verzamelaar-emitter verzadigingsspanning	VCE (sat)	Ik..._C=100A, V_GE=15V	T_vj= 25°C		1.65	1.95	V
			T_vj= 125°C		1.90
			T_vj= 150°C		1.92
Sluitingsdrempelspanning	VGE (th)	V_CE=V_GEIk..._C=4mA		5.0	5.8	6.5	V
Stroomverlies van de collector-emitter	ICES	V_CE=1700V, V_GE=0V	T_vj= 25°C			100	μA
Stroomverlies van de collector-emitter	ICES	V_CE=1700V, V_GE=0V	T_vj= 150°C			5	mA
Doorloopstroom van de poort-emitter	IGES	V_CE=0V,V_GE=±20V, T_vj= 25°C		- 200 dollar.		200	nA
Doorgangskosten	Q_G	V_CE=900V, I_C= 75A, V_GE=±15V			0.6		μC
Invoercapaciteit	- Ja.	V_CE=25V, V_GE=0V, f =100kHz			9.00		nF
Uitvoercapaciteit	Coes				0.58
Omgekeerde overdrachtscapaciteit	Cres				0.14
interne poortweerstand	RGint	T_vj= 25°C			9		Ω
Inrichtingsvertragingstijd, inductiebelasting	Td (aan)	V_CC= 900V,I_C=100A R_G=5,1Ω, V_GE=±15V	T_vj= 25°C		194		N.B.
			T_vj= 125°C		218		N.B.
			T_vj= 150°C		222		N.B.
Stijgingstijd, inductiebelasting	t_r		T_vj= 25°C		48		N.B.
			T_vj= 125°C		60		N.B.
			T_vj= 150°C		66		N.B.
Uitsteltijd voor uitschakeling, inductiebelasting	Td (uit)	V_CC= 900V,I_C=100A R_G=5,1Ω, V_GE=±15V	T_vj= 25°C		322		N.B.
			T_vj= 125°C		494		N.B.
			T_vj= 150°C		518		N.B.
Valtijd, inductiebelasting	t_f		T_vj= 25°C		500		N.B.
			T_vj= 125°C		676		N.B.
			T_vj= 150°C		740		N.B.
Energieverlies bij aanschakeling per impuls	Eon	V_CC= 900V,I_C=100A R_G=5,1Ω, V_GE=±15V	T_vj= 25°C		20.1		MJ
			T_vj= 125°C		33.4		MJ
			T_vj= 150°C		36.8		MJ
Afzetten Energieverlies per puls	Eof		T_vj= 25°C		20.7		MJ
			T_vj= 125°C		30.6		MJ
			T_vj= 150°C		32.8		MJ
SC gegevens	ISC	V_GE≤ 15V, V_CC=900V	tp≤10 μs T_vj= 150°C			360	Een
IGBT-warmteweerstand, aansluiting	RthJC					0.28	K / W
Werktemperatuur	TJop			-40		175	°C

Diode

Maximaal Geclassificeerd Waarden

Artikel 1	Symbool	Voorwaarden		Waarden	Eenheid
Repetitieve omgekeerde spanning	VRRM		T_vj= 25°C	1700	V
Continu gelijkstroom naar voren	Ik..._F		T_C= 25°C	140	Een
Continu gelijkstroom naar voren	Ik..._F		T_C= 100°C	100
Diode-pulsstroom,tp beperkt door T_Jmax	IFpulse			200

Kenmerkend Waarden

Artikel 1	Symbool	Voorwaarden		Waarden			Eenheid
				- Min.	Typus.	Max, ik ben er klaar voor.
Voorspanning	V_F	Ik..._F= 100A, V_GE=0V	T_vj= 25°C		2.00	2.40	V
			T_vj= 125°C		2.15
			T_vj= 150°C		2.20
Omgekeerde hersteltijd	trr	Ik..._F=100A DI_F/dt=-2100A/μs (T)_vj= 150°C) V_R=900V, V_GE=-15V	T_vj= 25°C		120		N.B.
			T_vj= 125°C		180
			T_vj= 150°C		200
Piek-omgekeerde terugwinningstroom	IRRM		T_vj= 25°C		193		Een
			T_vj= 125°C		216
			T_vj= 150°C		218
Omgekeerde terugvorderingsheffing	QRR		T_vj= 25°C		20		μC
			T_vj= 125°C		40
			T_vj= 150°C		47
Verlies van energie van omgekeerde terugwinning per puls	Erec		T_vj= 25°C		4.9		MJ
			T_vj= 125°C		21.2
			T_vj= 150°C		24.1
Diode thermische weerstand, verbindingshoesje	RthJCD					0.40	K / W
Werktemperatuur	TJop			-40		175	°C

Output kenmerkend (typisch) Output kenmerkend (typisch)

Ik..._C= f (V)_CE) I_C= f (V)_CE) T_vj= 150°C

Op maat gemaakte IGBT-modules voor auto's 34 mm DS-SPS100B17G3R8-S04010015 V1.0 5

Overdracht kenmerkend (typisch) Overstappen verliezen IGBT(typisch)

Ik..._C= f (V)_GE) E = f (R_G)

V_CE= 20V V_GE= ±15V, I_C= 100A, V_CE= 900V

Op maat gemaakte IGBT-modules voor auto's 34 mm DS-SPS100B17G3R8-S04010015 V1.0 6

IGBT RBSOA

Overstappen verliezen IGBT(typisch) Achteruit vooringenomenheid veilig werkend gebied ((RBSOA)

E = f (I)_C) I_C=f (V)_CE)

V_GE= ±15V, R_G= 5.1Ω, V_CE= 900V V_GE= ±15V, R_{- Wat is er?}= 5.1Ω, T_vj= 150°C

Op maat gemaakte IGBT-modules voor auto's 34 mm DS-SPS100B17G3R8-S04010015 V1.0 7

Typisch capaciteit als a. functie van verzamelaar-emitter Spanning Poortlading (typisch)

C = f (V)_CE) V_GE= f (Q_G)

f = 100 kHz, V_GE= 0V I_C= 100A, V_CE= 900V

IGBT

IGBT vergankelijk thermische Impedantie als a. functie van de hartslag breedte Vooruit kenmerkend van Diode (typisch)

Zth(j-c) = f (t) I_F= f (V)_F)

Op maat gemaakte IGBT-modules voor auto's 34 mm DS-SPS100B17G3R8-S04010015 V1.0 9

Schakelverliezen Diode (typisch) SchakelenVerlies Diode (typisch)

E_rec= f (R_G) E_rec= f (I_F)

Ik..._F= 100A, V_CE= 900V R_G= 5.1Ω, V_CE= 900V

Op maat gemaakte IGBT-modules voor auto's 34 mm DS-SPS100B17G3R8-S04010015 V1.0 10

Diode vergankelijk thermische Impedantie als a. functie van Puls breedte

Zth(j-c) = f (t)

Op maat gemaakte IGBT-modules voor auto's 34 mm DS-SPS100B17G3R8-S04010015 V1.0 11

De "1700V 100A IGBT Half Bridge-module" integreert twee IGBT's in een halfbrugconfiguratie, geschikt voor toepassingen die matig vermogen vereisen.Het zorgt voor nauwkeurige controle over spanning (1700V) en stroom (100A)Voor een betrouwbare werking is een effectieve koeling vereist.

Circuits schema Hoofdstuk

Op maat gemaakte IGBT-modules voor auto's 34 mm DS-SPS100B17G3R8-S04010015 V1.0 12

Pakket overzichten

Op maat gemaakte IGBT-modules voor auto's 34 mm DS-SPS100B17G3R8-S04010015 V1.0 13

Afmetingen (mm)

Tags:

IGBT-modules 34 mm

IGBT-modules 62 mm

IGBT modules EconoDual3

IGBT-modules

IGBT modules EconoPack

IGBT-modules

Modules voor de automobielindustrie

Hybride SiC-discreten

Afzonderlijk Mosfet

IGBT Discrete

Op maat gemaakte IGBT-modules voor auto's 34 mm DS-SPS100B17G3R8-S04010015 V1.0