Jiangsu Solid Power Semiconductor Co.,Ltd
producten
producten
Thuis > producten > IGBT-modules 34 mm > 75A 1200V IGBT halfbrugmodule Solid Power-DS-SPS150B17G3-S04010005

75A 1200V IGBT halfbrugmodule Solid Power-DS-SPS150B17G3-S04010005

Productgegevens

Modelnummer: SPS150B17G3

Betaling en verzendvoorwaarden

Vind de beste prijs
Markeren:

IGBT halfbrugmodule

,

1200 V IGBT halfbrugmodule

,

75A Halve brugmodule

Collectorstroom:
200A
Collector-zender voltage:
±1200V
Stroom:
200A
Poortlast:
100 nC
Poort-zender voltage:
±20V
Grootte van de module:
34 mm
Moduletype:
IGBT
Montage-stijl:
Schroef.
Werktemperatuurbereik:
-40°C aan +150°C
Pakkettype:
Module
Machtverlies:
500 W
schakelfrequentie:
20 kHz
Thermische weerstand:
0.1°C/W
Spanning:
1200 V
Collectorstroom:
200A
Collector-zender voltage:
±1200V
Stroom:
200A
Poortlast:
100 nC
Poort-zender voltage:
±20V
Grootte van de module:
34 mm
Moduletype:
IGBT
Montage-stijl:
Schroef.
Werktemperatuurbereik:
-40°C aan +150°C
Pakkettype:
Module
Machtverlies:
500 W
schakelfrequentie:
20 kHz
Thermische weerstand:
0.1°C/W
Spanning:
1200 V
75A 1200V IGBT halfbrugmodule Solid Power-DS-SPS150B17G3-S04010005

Voor de toepassing van deze richtlijn wordt het gebruik van de in bijlage I vermelde onderdelen van de ondertekening van de richtlijnen van de Raad van 26 juni 1976 betreffende de onderlinge aanpassing van de wetgevingen der lidstaten inzake de onderlinge aanpassing van de wetgevingen der lidstaten inzake de onderlinge aanpassing van de wetgevingen der lidstaten inzake de onderlinge aanpassing van de wetgevingen der lidstaten inzake de onderlinge aanpassing van de wetgevingen der lidstaten inzake de onderlinge aanpassing van de wetgevingen der lidstaten inzake de onderlinge aanpassing van de wetgevingen der lidstaten inzake de onderlinge aanpassing van de wetgevingen der lidstaten inzake de onderlinge aanpassing van de wetgevingen der lidstaten inzake de onderlinge aanpassing van de wetgevingen der lidstaten inzake de onderlinge aanpassing van de wetgevingen der lidstaten inzake de onderlinge aanpassing van de wetgevingen van de lidstaten inzake de onderlinge aanpassing van de wetgevingen van de lidstaten inzake de onderlinge aanpassing van de wetgevingen van de lidstaten inzake de onderlinge aanpassing van de wetgevingen van de lidstaten inzake de onderlinge aanpassing van de wetgevingen van de lidstaten.

 

1200 V 75A IGBT De helft. De brug Module

 

75A 1200V IGBT halfbrugmodule Solid Power-DS-SPS150B17G3-S04010005 0

 

75A 1200V IGBT halfbrugmodule Solid Power-DS-SPS150B17G3-S04010005 1

 

Kenmerken:
 1700V Trench Gate & Field Stop Structure
 Een hoge capaciteit voor kortsluiting
 Laag wisselverlies
 Hoge betrouwbaarheid
 Positieve temperatuurcoëfficiënt

 

Typische toepassingen:
 Motorrijtuigen
 Servo aandrijvingen
 Inverter en stroomvoorzieningen
 fotovoltaïsche

 

IGBT, Inverter

Maximaal Nominale waarden

 

Artikel 1

 

Symbool

 

Voorwaarden

 

Waarde

 

Eenheden

 

集电极-发射电极spanning

Spanning van de collector-emitter

 

VCES

 

Tvj=25°C

 

1700

 

V

 

连续集电极直流电流

Continu D.C. collectie-stroom

 

IC

 

 

150

 

 

Een

 

集电极重复峰值电流 (de hoogte van de elektriciteitsstroom)

Hoogte herhalenverzameling collectie-stroom

 

ICRM

 

tp=1 ms

 

300

 

Een

 

totaal vermogen

Totaal vermogen ontlasting

 

Ptot

 

TC= 25°C, Tvj=175°C

 

880

 

W

 

¥ ¥ ¥ ¥ ¥ ¥ ¥ ¥

Maximale spanning van de poort-emitter

 

VGES

 

 

± 20

 

V

 

Maximum temperatuur

Maximale verbindingstemperatuur

 

TvJ, max.

 

 

175

 

°C

 

 

Kenmerkende waarden/ 特征值

 

Artikel 1

 

Symbool

 

Voorwaarden

 

Min. type. max.

 

Eenheden

 

集电极-发射极?? 和电压

Verzamelaar-emitter verzadigingsspanning

 

VCE(zit)

 

IC= 150 A, VGE=15V

 

Tvj= 25°C Tvj= 125°C Tvj=150°C

 

1.67

1.90 1.96

 

1.90

 

V

V

V

 

极 值 elektrische druk

Sluitingsdrempelspanning

 

VGE (th)

 

IC= 17mA, VCE=VGE, Tvj=25°C

 

5.0 6.0 6.8

 

V

 

极电荷 极电荷

Poort belastingen

 

Hoofdstuk

 

VGE=-15V...+15V

 

 

0.86

 

 

uC

 

内部 极电阻

Interne poort weerstand

 

 

RGint

 

 

Tvj=25°C

 

 

7.2

 

Ω

 

Invoercapaciteit

Invoercapaciteit

 

- Ja.

 

f=1MHz, Tvj= 25°C, VCE=25V, VGE=0V

 

 

12.6

 

nF

 

Omgekeerde transmissiecapaciteit

Omgekeerde overdrachtscapaciteit

 

Cres

 

f=1MHz, Tvj= 25°C, VCE=10V, VGE=0V

 

0.20

 

 

nF

 

集电极-发射极截止电流 (afscheidingsstroom)

Verzamelaar-emittent stopstroom

 

ICES

 

VCE=1700V, VGE=0V, Tvj= 25°C

 

 

3.00

 

mA

 

- Ja.-发射极漏电流 (uitstortingsdrempel)

Poort-emitter lekken stroom

 

IGES

 

VCE=0V, VGE=20V, Tvj=25°C

 

400

 

nA

 

开通延迟时间( elektrische belasting)

Aanzetten vertragingstijd, inductief belastingen

 

Td(op)

 

Tvj= 25°C Tvj= 125°C Tvj=150°C

 

326

339

 

345

 

N.B.

N.B.

N.B.

 

Upgrade tijd( elektrische belasting)

Tijd om op te staan. inductief belastingen

 

 

tr

 

Tvj= 25°C Tvj= 125°C Tvj=150°C

 

106

118

 

126

 

N.B.

N.B.

N.B.

 

关断延迟时间( elektrische belasting)

Vertragingstijd voor het uitschakelen inductief belastingen

 

 

Td(weg)

 

IC=150A, VCE=900V

VGE=±15V

RGon=5Ω

RGoff=5Ω

 

Inductieve lading,

 

Tvj= 25°C Tvj= 125°C Tvj= 150°C Tvj= 25°C Tvj=125°C

 

Tvj=150°C

 

165

189

 

213

 

N.B.

N.B.

N.B.

 

- Ik heb geen tijd.( elektrische belasting)

De herfsttijd. inductief belastingen

 

 

Tf

 

757

924

 

950

 

N.B.

N.B.

N.B.

 

开通 损耗能量(Elke impuls)

Aanzetten energie Verlies per Puls

 

Eon

 

Tvj= 25°C Tvj= 125°C Tvj=150°C

 

47.1

58.9

63.7

 

 

MJ

MJ

 

关断 损耗能量(Elke impuls)

Afsluitenergie Verlies per Puls

 

Eof

 

Tvj= 25°C Tvj= 125°C Tvj=150°C

 

31.2

39.9

42.5

 

 

MJ

MJ

 

短路数据

SC gegevens

 

 

ISC

 

VGE≤ 15V, VCC=1000V

VCEmax=VCES- L.sCE·di/dt, tp= 10 μs, Tvj=150°C

 

600

 

Een

 

 

 

结-外 热阻

Thermische weerstand, jVerzetting tot geval

 

RthJC

 

Per IGBT / Elke.IGBT

 

0.17

 

K/W

 

werktemperatuur

Temperatuur enEr overstappen voorwaarden

 

 

Tvjop

 

 

-40 150

 

°C

 

 

Diode, omvormer/ 二极管, omgekeerd veranderingsapparaat

Maximaal Nominale waarden/ maximaal bedrag

 

Artikel 1

 

Symbool

 

Voorwaarden

 

Waarde

 

Eenheden

 

In de eerste plaats moet de verwarming van de spanning van de spanning van de spanning van de spanning van de spanning van de spanning van de spanning van de spanning van de spanning van de spanning van de spanning van de spanning van de spanning van de spanning van de spanning van de spanning van de spanning.

Hoogte herhaaldelijk omgekeerde spanninge

 

VRRM

 

Tvj= 25°C

 

1700

 

V

 

continue rechtstreekse stroom stroom

Continu DC voorstroom van de afdeling

 

Ik...F

 

 

150

 

Een

 

Voor de toepassing van deze richtlijn wordt het volgende bepaald:

Hoogte herhalende voorstroom

 

Ik...FRM's

 

tp=1 ms

 

300

 

Een

 

 

Kenmerkende waarden/ 特征值

 

Artikel 1

 

Symbool

 

Voorwaarden

 

- Min. Typus. Max, ik ben er klaar voor.

 

Eenheden

 

rechtstreekse spanning

Voorspanning

 

VF

 

 

Ik...F=150A

 

Tvj= 25°C

Tvj= 125°C

Tvj= 150°C

 

1.92

2.112.09

 

2.30

 

V

V

V

 

Gegenschakelde piekstroom

 

Hoogte omgekeerd herstel c.huur

 

 

Ik...RM

 

 

 

Ik...F=150A

- Di.F/dtweg=2000A/μs

VR =900 V

 

VGE=-15V

 

Tvj= 25°C98

Tvj= 125°C 119

 

Tvj= 150°C 119

 

Een

Een

Een

 

恢复电荷

Invorderingskosten

 

 

Qr

 

Tvj= 25°C

Tvj= 125°C

Tvj= 150°C

 

21.4

36.7

42.0

 

uC

uC

uC

 

Omgekeerd herstelverlies (per impuls)

Achteruit herstel energie (per pulus)

 

Erec

 

Tvj= 25°C

Tvj= 125°C

Tvj= 150°C

 

10.6

19.5

21.9

 

MJ

MJ

MJ

 

结-外 热阻

Thermische weerstand, jVerzetting tot geval

 

RthJC

 

per diode/ Elke twee-hoekige buis

 

0.30

 

K/W

 

werktemperatuur

Temperatuur enEr overstappen voorwaarden

 

Tvjop

 

 

-40 150

 

°C

 

 

 

Module/ 模块

 

Artikel 1

 

Symbool

 

Voorwaarden

 

Waarde

 

Eenheden

 

绝缘 testspanning

Isolatietestspanning

 

VISOL

 

RMS, f=50Hz, t=1min

 

4.0

 

 

kV

 

模块基板材料

Materiaal van module basisplaat

   

 

 

C.

 

 

内部绝缘

Intern isolatie

 

 

基本绝缘(klasse 1, Ik...EG 61140)

Basis isolatie (klasse 1, IEC 61140)

 

Al2O3

 

 

爬电距离

Cree paginaafstand

 

 

端子-散热片/ terminal naar hEet gootsteen

端子-端子/terminal naar termineraal

 

17.0

20.0

 

 

mm

 

电气间隙

Vergunning

 

 

端子-散热片/ terminal naar hEet gootsteen

端子-端子/terminal naar termineraal

 

17.0

9.5

 

 

mm

 

Relatieve elektrische spoorindex

Vergelijkend volgen index

 

 

CTI

 

 

 

> 200

 

 

 

 

Artikel 1

 

Symbool

 

Voorwaarden

 

- Min.

 

Typus.

 

Max, ik ben er klaar voor.

 

Eenheden

 

杂散电感,模块 (gebroken elektrisch gevoel, module)

Stray inductantie module

 

LsCE

   

 

30

 

 

nH

 

模块引脚电阻,端子 模块 引脚电阻,端子-chip

 

Module Lood Resistentie ,Terminals-Cheup

 

RCC??+EE??

RAA??+CC

   

 

0.65

 

 

 

storing temperatuur

 

Opbergingperatuur

 

Tstg

 

 

 

-40

 

 

 

125

 

 

°C

 

模块安装的安装扭距

Montage-koppelEU voor module montage

 

 

M

 

M6

 

3.00

 

 

5.00

 

 

Nm

 

模块安装的安装扭距

Montage-koppelEU voor module montage

 

M

 

M5

 

2.50

 

 

5.00

 

Nm

 

Gewicht

Gewicht

 

G

   

 

160

 

 

g

 

75A 1200V IGBT halfbrugmodule Solid Power-DS-SPS150B17G3-S04010005 2

75A 1200V IGBT halfbrugmodule Solid Power-DS-SPS150B17G3-S04010005 3

75A 1200V IGBT halfbrugmodule Solid Power-DS-SPS150B17G3-S04010005 4