producten

Thuis > producten > IGBT modules EconoPack > 1200V 200A Full Bridge IGBT module Solid Power-DS-SPS200F12K3-S04030013 V1.0

Categorieën

Modules voor de automobielindustrie

(1)

IGBT Discrete

(2)

Contactpersonen

Contactpersonen: Mr. Zhou

Telefoon: 86-1360-528-8329

Contact opnemen

Post ons

1200V 200A Full Bridge IGBT module Solid Power-DS-SPS200F12K3-S04030013 V1.0

Name: 1200V 200A Full Bridge IGBT module Solid Power-DS-SPS200F12K3-S04030013 V1.0
Brand: 1200V 200A Full Bridge IGBT module Solid Power-DS-SPS200F12K3-S04030013 V1.0
SKU: SPS200F12K3
Rating: 4.5 (142 reviews)

Productgegevens

Modelnummer: SPS200F12K3

Betaling en verzendvoorwaarden

Vind de beste prijs

Productgegevens

Productbeschrijving

Markeren: 
                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                1200V IGBT met volledige brug, Full Bridge IGBT-module, 200A Full Bridge IGBT
                              

Collectorstroom:	50A	Collector-zender voltage:	600 V
Huidige rating:	50A	Poortlast:	50 nC
Poort-zender voltage:	±20V	Isolatie-spanning:	2500V
Maximale werktemperatuur:	150°C	Pakkettype:	EconoPACK
Omgekeerde Terugwinningstijd:	100ns	RoHS-conform:	- Jawel.
De kortsluiting weerstaat Tijd:	10 μs	schakelfrequentie:	20 kHz
Thermische weerstand:	1.5°C/W	Standaardspanning:	600 V

Collectorstroom:	50A
Collector-zender voltage:	600 V
Huidige rating:	50A
Poortlast:	50 nC
Poort-zender voltage:	±20V
Isolatie-spanning:	2500V
Maximale werktemperatuur:	150°C
Pakkettype:	EconoPACK
Omgekeerde Terugwinningstijd:	100ns
RoHS-conform:	- Jawel.
De kortsluiting weerstaat Tijd:	10 μs
schakelfrequentie:	20 kHz
Thermische weerstand:	1.5°C/W
Standaardspanning:	600 V

1200V 200A Full Bridge IGBT module Solid Power-DS-SPS200F12K3-S04030013 V1.0

Solid Power-DS-SPS200F12K3-S04030013 V1.0

1200 V 200A IGBT Vol De brug Module

1200V 200A Full Bridge IGBT module Solid Power-DS-SPS200F12K3-S04030013 V1.0 0

Kenmerken:

D 1200V Trench+ Field Stop-technologie

□ Freewheeling-diodes met snelle en zachte omkering

□ V_{CE (sat)}met een positieve temperatuurcoëfficiënt

□ Lage verliezen bij overstap

□ Kortsluiting

TypischToepassingen:

□ Motorrijden

□ Servo-aandrijvingen

□ Hulpinverters

Pakket

Artikel 1	Symbool	Voorwaarden		Waarden			Eenheid
Isolatie-testspanning	VISOL	RMS, f = 50 Hz, t = 1 min		2.5			kV
Materiaal van de modulebasisplaat				C.
Interne isolatie		(klasse 1, IEC 61140) Basisisolatie (klasse 1, IEC 61140)		Al₂O₃
Krijpweg	dScreep	terminal naar koelkast		10.0			mm
Vergunning	dClear	terminal naar koelkast		7.5			mm
Vergelijkende trackingindex	CTI			> 200

Artikel 1	Symbool	Voorwaarden		Waarden			Eenheid
Artikel 1	Symbool	Voorwaarden		- Min.	Typus.	Max, ik ben er klaar voor.	Eenheid
Stroominductiemodule	LsCE				21		nH
Module loodweerstand, eindpunten - chip	RCC+EE		T_C= 25°C		1.80		mΩ
Bergingstemperatuur	Tstg			-40		125	°C
Montage-koppel voor de montage van modules	M5			3		6	Nm
Gewicht	G				300		g

IGBT

Maximaal Geclassificeerd Waarden

Artikel 1	Symbool	Voorwaarden		Waarden	Eenheid
Voltage van de collector-emitter	VCES		T_vj= 25°C	1200	V
Maximale spanning van de poort-emitter	VGES			± 20	V
Transiente gate-emitterspanning	VGES	t_p≤ 10 μs, D=0.01		± 30	V
Continu gelijkstroomcollector	Ik..._C		T_C=60°C	200	Een
Pulserende collectie-stroom,tp beperkt door T_jmax	ICpulse			400	Een
Energieverlies	Ptot			750	W

Kenmerkend Waarden

Artikel 1	Symbool	Voorwaarden		Waarden			Eenheid
Artikel 1	Symbool	Voorwaarden		- Min.	Typus.	Max, ik ben er klaar voor.	Eenheid
Verzamelaar-emitter verzadigingsspanning	VCE (sat)	Ik..._C=200A, V_GE=15V	T_vj= 25°C		1.60	2.10	V
			T_vj= 125°C		1.80
			T_vj= 150°C		1.85
Sluitingsdrempelspanning	VGE (th)	V_CE=V_GEIk..._C=8mA		5.2	6.0	6.7	V
Stroomverlies van de collector-emitter	ICES	V_CE=1200V, V_GE=0V	T_vj= 25°C			100	μA
Stroomverlies van de collector-emitter	ICES	V_CE=1200V, V_GE=0V	T_vj= 150°C			5	mA
Doorloopstroom van de poort-emitter	IGES	V_CE=0V,V_GE=±20V, T_vj= 25°C		- 200 dollar.		200	nA
Doorgangskosten	Q_G	V_CE=600V, I_C= 200A, V_GE=±15V			1.6		μC
Invoercapaciteit	- Ja.	V_CE=25V, V_GE=0V, f =100kHz			24.7		nF
Uitvoercapaciteit	Coes				0.9
Omgekeerde overdrachtscapaciteit	Cres				0.2
Inrichtingsvertragingstijd, inductiebelasting	Td (aan)	V_CC= 600V,I_C=200A R_G= 3,3Ω, V_GE=15V	T_vj= 25°C		388		N.B.
			T_vj= 125°C		428		N.B.
			T_vj= 150°C		436		N.B.
Stijgingstijd, inductiebelasting	t_r		T_vj= 25°C		44		N.B.
			T_vj= 125°C		52		N.B.
			T_vj= 150°C		56		N.B.
Uitsteltijd voor uitschakeling, inductiebelasting	Td (uit)	V_CC= 600V,I_C=200A R_G= 3,3Ω, V_GE=15V	T_vj= 25°C		484		N.B.
			T_vj= 125°C		572		N.B.
			T_vj= 150°C		588		N.B.
Valtijd, inductiebelasting	t_f		T_vj= 25°C		132		N.B.
			T_vj= 125°C		180		N.B.
			T_vj= 150°C		196		N.B.
Energieverlies bij aanschakeling per impuls	Eon	V_CC= 600V,I_C=200A R_G= 3,3Ω, V_GE=15V	T_vj= 25°C		6.5		MJ
			T_vj= 125°C		9.6		MJ
			T_vj= 150°C		11.2		MJ
Afzetten Energieverlies per puls	Eof		T_vj= 25°C		11.8		MJ
			T_vj= 125°C		16.4		MJ
			T_vj= 150°C		17.3		MJ
SC gegevens	ISC	V_GE≤ 15V, V_CC=800V	tp≤10 μs T_vj= 150°C			750	Een
IGBT-warmteweerstand, aansluiting	RthJC					0.20	K / W
Werktemperatuur	TJop			-40		150	°C

Diode

Maximaal Geclassificeerd Waarden

Artikel 1	Symbool	Voorwaarden		Waarden	Eenheid
Repetitieve omgekeerde spanning	VRRM		T_vj= 25°C	1200	V
Continu gelijkstroom naar voren	Ik..._F			200	Een
Diode-pulsstroom,tp beperkt door T_Jmax	IFpulse			400	Een

Kenmerkend Waarden

Artikel 1	Symbool	Voorwaarden		Waarden			Eenheid
				- Min.	Typus.	Max, ik ben er klaar voor.
Voorspanning	V_F	Ik..._F= 200A, V_GE=0V	T_vj= 25°C	1.5	1.80	2.40	V
			T_vj= 125°C		1.80
			T_vj= 150°C		1.80
Omgekeerde hersteltijd	trr	Ik..._F=200A DI_F/dt=-6000A/μs (T)_vj= 150°C) V_R=600V, V_GE=-15V	T_vj= 25°C		864		N.B.
			T_vj= 125°C		1170
			T_vj= 150°C		1280
Piek-omgekeerde terugwinningstroom	IRRM		T_vj= 25°C		270		Een
			T_vj= 125°C		290
			T_vj= 150°C		300
Omgekeerde terugvorderingsheffing	QRR		T_vj= 25°C		22.6		μC
			T_vj= 125°C		34.8
			T_vj= 150°C		40.0
Verlies van energie van omgekeerde terugwinning per puls	Erec		T_vj= 25°C		4.0		MJ
			T_vj= 125°C		13.7
			T_vj= 150°C		16.1
Diode thermische weerstand, verbindingshoesje	RthJCD					0.30	K / W
Werktemperatuur	TJop			-40		150	°C

NTC-thermistor

Kenmerkend Waarden

Artikel 1	Symbool	Voorwaarden		Waarden	Eenheid
Nominale weerstand	R25		T_C= 25°C	5.00	kΩ
B-waarde	R25/50			3375	K

Output kenmerkend (typisch) Output kenmerkend (typisch)

Ik..._C= f (V)_CE) I_C= f (V)_CE) T_vj= 150°C

1200V 200A Full Bridge IGBT module Solid Power-DS-SPS200F12K3-S04030013 V1.0 5

IGBT

Overdracht kenmerkend (typisch) Overstappen verliezen IGBT(typisch)

Ik..._C= f (V)_GE) V_GE= ±15V, I_C= 200A, V_CE= 600V

V_CE= 20V V_GE= ±15V, I_C= 200A, V_CE= 600V

1200V 200A Full Bridge IGBT module Solid Power-DS-SPS200F12K3-S04030013 V1.0 6

IGBT RBSOA

Overstappen verliezen IGBT(typisch) Achteruit vooringenomenheid veilig werkend gebied ((RBSOA)

E = f (I)_C) I_C=f (V)_CE)

V_GE= ±15V, R_G= 3.3Ω, V_CE= 600 V V_GE= ±15V, R_{- Wat is er?}= 3,3Ω, T_vj= 150°C

1200V 200A Full Bridge IGBT module Solid Power-DS-SPS200F12K3-S04030013 V1.0 7

Typisch capaciteit als a. functie van verzamelaar-emitter Spanningsgate belastingen(typisch)

C = f (V)_CE) V_GE= f (Q_G)

f = 100 kHz, V_GE= 0V I_C= 200A, V_CE= 600V

1200V 200A Full Bridge IGBT module Solid Power-DS-SPS200F12K3-S04030013 V1.0 8

IGBT

IGBT vergankelijk thermische Impedantie als a. functie van Puls breedte Vooruit kenmerkend van Diode (typisch)

Zth(j-c) = f (t) I_F= f (V)_F)

1200V 200A Full Bridge IGBT module Solid Power-DS-SPS200F12K3-S04030013 V1.0 9

Overstappen verliezen Diode (typisch) Schakelaar verliezen Diode (typisch)

E_rec= f (R_G) E_rec= f (I_F)

Ik..._F= 200A, V_CE= 600V R_G= 3.3Ω, V_CE= 600V

1200V 200A Full Bridge IGBT module Solid Power-DS-SPS200F12K3-S04030013 V1.0 10

Diode vergankelijk thermische Impedantie als a. functie van pulsbreedte NTC-thermistortemperatuur kenmerkend (typisch)

Zth(j-c) = f (t) R = f (T)

1200V 200A Full Bridge IGBT module Solid Power-DS-SPS200F12K3-S04030013 V1.0 11

Dit is een 1200V, 200A IGBT full bridge module.De nominale spanning geeft de maximale spanning aan die de module kan verwerkenBij het gebruik van dergelijke hoogvermogensmodules dient rekening te worden gehouden met de warmteafvoer, de koeling, deen beschermingscircuits zijn nodig om een betrouwbare en veilige werking te garanderen.

Circuits schema Hoofdstuk

1200V 200A Full Bridge IGBT module Solid Power-DS-SPS200F12K3-S04030013 V1.0 12

Pakket overzichten

1200V 200A Full Bridge IGBT module Solid Power-DS-SPS200F12K3-S04030013 V1.0 13

Tags:

IGBT-modules 34 mm

IGBT-modules 62 mm

IGBT modules EconoDual3

IGBT-modules

IGBT modules EconoPack

IGBT-modules

Modules voor de automobielindustrie

Hybride SiC-discreten

Afzonderlijk Mosfet

IGBT Discrete

1200V 200A Full Bridge IGBT module Solid Power-DS-SPS200F12K3-S04030013 V1.0

1200V IGBT met volledige brug

Full Bridge IGBT-module

200A Full Bridge IGBT

3 fasen IGBT-module,

Volledige brug IGBT,

High Current IGBT-modules