Jiangsu Solid Power Semiconductor Co.,Ltd
producten
producten
Thuis > producten > IGBT modules EconoPack > 1600V 180A 3-fasig halfgecontroleerd + IGBT-remmodule-SPS180RC16K2

1600V 180A 3-fasig halfgecontroleerd + IGBT-remmodule-SPS180RC16K2

Productgegevens

Modelnummer: SPS180RC16K2

Betaling en verzendvoorwaarden

Vind de beste prijs
Markeren:

IGBT-modules met hoge stroom van 180A

,

IGBT-modules met halfgestuurde hoge stroom

,

1600V IGBT-modules EconoPack

1600V 180A 3-fasig halfgecontroleerd + IGBT-remmodule-SPS180RC16K2

Solid Power-DS-SPS180RC16K2-S04040007 V1.0

 

1600V 180A 3-fase halfgecontroleerd + IGBT-remmodule

1600V 180A 3-fasig halfgecontroleerd + IGBT-remmodule-SPS180RC16K2 0

Kenmerken:

  • Substraat met lage thermische weerstand Al2O3
  • Hoog vermogen
  • Compact ontwerp

 

Typisch Toepassingen:

  • Actieve rectificator
  • Halfgecontroleerde B6-brug

 

Diode, rechtgever.

Maximale nominale waarde /

 

 

Artikel 1

 

Symbool

 

Voorwaarden

 

Waarde

 

Eenheden

 

In de eerste plaats moet de verwarming van de spanning van de spanning van de spanning van de spanning van de spanning van de spanning van de spanning van de spanning van de spanning van de spanning van de spanning van de spanning van de spanning van de spanning van de spanning van de spanning van de spanning.

Hoogte herhaaldelijk omgekeerde spanninge

 

VRRM

 

 

Tvj= 25°C, Ik...R=0,1mA

 

1600

 

V

 

Maksimale rechtstreekse evenwichtige wortelstroom(Elke chip)

Maximaal RMS-stroom naar voren per chip

 

Ik...FRMSM

 

TC= 80°C, Tvj= 150°C

 

150

 

Een

 

Maksimale totale stroomvoorziening

Maximaal RMS-stroom bij rechtgever uitgang

 

 

Ik...RMSM

 

TC= 80°C

 

 

180

 

Een

 

Voorts:

Vooruit.stroom

 

Ik...FSM

 

tp= 10 ms, Tvj= 25°C

 

1300

 

Een

 

Ik...2T-

I2t-waarde

 

Ik...2t

 

 

tp= 10 ms, Tvj= 25°C

 

8450

 

Een2s

 

PersoonlijkheidHet aantal/ 特征waarde

       

 

Artikel 1

 

Symbool

 

Voorwaarden

 

- Min. Max.

 

Eenheden

 

rechtstreekse spanning

Voorspanning

 

VF

 

 

Tvj= 25°C, Ik...F=110A

 

1.051.20

 

V

 

¥ waarde van de spanning

Drempel vveroudering

 

VTO

 

Tvj= 150°C

 

0.80

 

 

V

 

斜率 elektrische weerstand

De helling weerstand

 

 

rT

 

Tvj= 150°C

 

2.40

 

 

Gegendraaide stroom

 

Omgekeerde stroom

 

Ik...R

 

Tvj= 150°C, VR=1600V

 

2

 

mA

 

结-外 热阻

Thermische weerstand,Instelling tot geval

 

RthJC

 

per diode/ Elke twee-hoekige buis

 

0.28

 

K/W

 

Thyristor-rectificator / 晶?? 管,整流器

Maximale nominale waarden / maxim额定值

 

 

Artikel 1

 

Symbool

 

Voorwaarden

 

Waarde

 

Eenheden

 

In de eerste plaats moet de verwarming van de spanning van de spanning van de spanning van de spanning van de spanning van de spanning van de spanning van de spanning van de spanning van de spanning van de spanning van de spanning van de spanning van de spanning van de spanning van de spanning van de spanning.

Hoogte herhaaldelijk omgekeerde spanning

 

VRRM

 

Tvj=25°C

 

1600

 

V

 

Maksimale rechtstreekse evenwichtige wortelstroom(Elke chip)

Maximaal RMS-stroom naar voren per chip

 

IFRMSM

 

TC=80°C

 

150

 

 

Een

 

Maksimale totale stroomvoorziening

Maximaal RMS-stroom bij rechtgever uitgang

 

IRMSM

 

TC=80°C

 

180

 

Een

 

Voorts:

Stroming naar voren

 

 

IFSM

 

TP= 10 ms, Tvj=25°C

TP= 10 ms, Tvj=130°C

 

1800

 

1450

 

Een

Een

 

I2t -

I2t-waarde

 

 

I2t

 

TP= 10 ms, Tvj=25°C

TP= 10 ms, Tvj=130°C

 

16200

 

10510

 

A2's

A2's

 

- Het gaat om de elektriciteit.

Critisch tariefvan stijging van in stand stroom

 

(di/dt) cr

 

Tvj = 130°C

 

100

 

 

A/μs

 

Overstromingsgrensverhoging

Critisch tarief van stijging van de spanning in stand

 

(di/dt) cr

 

Tvj = 130°C, VD=2/3VDRM

 

1000

 

V/μs

 

Kenmerkende waarden/ 特征waarde

       

 

Artikel 1

 

Symbool

 

Voorwaarden

 

- Min. Max.

 

Eenheden

 

rechtstreekse spanning

Voorspanning

 

 

VTM

 

Tvj = 130 °C, Ik...T = 110 Een

 

1.30

 

 

V

 

¥ waarde van de spanning

Drempelspanning

 

V ((TO)

 

Tvj=130°C

 

0.90

 

V

 

斜率 elektrische weerstand

De helling weerstand

 

rT

 

 

Tvj=130°C

 

 

3.20

 

 

门极 触发电流

Draaier van het hek stroom

 

 

IGT

 

 

Tvj= 25°C, VD=12V, RL=30Ω

 

100

 

mA

 

门极 aangetaste spanning

Spanning van de poort

 

 

VGT

 

Tvj= 25°C, VD=6V

 

2.00

 

 

V

 

门极不触发电流 (de elektrische stroom wordt niet aangetast)

Poort niet-aanschakelstroom

 

IGD

 

Tvj= 130°C, VD=6V

 

Tvj= 130°C, VD=0,5 VDRM

 

6.0

3.0

 

mA

mA

 

门极不触发 elektrische druk

Poort niet-afstartende spanning

 

VGD

 

Tvj= 130°C, VD=VDRM

 

0.25

 

V

 

维持电流

 

Behoud stroom

 

 

IH

 

 

Tvj= 25°C, Ik...T=1A

 

250

 

mA

 

引住电流

 

Vergrendeling stroom

 

II.

 

Tvj= 25°C, Ik...G=1.2IGT

 

300

 

mA

 

门极 controle vertraging tijd

Poort gecontroleerde vertragingstijd

 

tgd

 

DIN IEC 747-6

Tvj= 25°C, - IkGGM= 0,6A, DiG/dt=0,6A/μs

 

1.2

 

μs

 

换流 关断时间 (veranderingstijd)

Circuits gecommuteerde tijd van uitschakeling

 

Tq

 

Tvj = 130°C, - IkTM = 50 A

VRM = 100 V, VDM= 2/3 VDRM

dVD/dt = 20 V/μs, - Di.T/dt = 10 A/μs

 

 

150

 

 

μs

 

Gegendraaide stroom

 

Omgekeerde stroom

 

IR

Identificatie

 

Tvj= 125°C, VR=1600V

 

20

 

 

mA

 

结-外 热阻

Thermische weerstand,Instelling tot geval

 

RthJC

 

Per thyristor / Elk kristallen buisje.

 

0.24

 

K/W

 

 

IGBT Bremsen-helikopter/ IGBT制动- 波器

Maximaal Nominale waarden/ Maximaal bedrag

 

 

 

 

连续集电极直流电流Ik...C naamTC= 80°C, Tvj= 175°C100 A

 

Continu D.C. collectie-stroomIk...CTC= 25°C, Tvj= 175°C 140 A

 

开通延迟时间( elektrische belasting)

Aanzetten vertragingstijd, inductief belastingen

 

Td( op) Tvj=25°C 125 μs

 

Upgrade tijd( elektrische belasting)

Tijd om op te staan. inductief belastingen

 

tr

 

Tvj=25°C

 

30

 

μs

 

关断延迟时间( elektrische belasting)

Vertragingstijd voor het uitschakelen inductief belastingen

 

 

Td(weg)

 

IC=100A, VCE=600V

VGE=±15V

 

Tvj=25°C

 

300

 

μs

 

- Ik heb geen tijd.( elektrische belasting)

De herfsttijd. inductief belastingen

 

Tf

 

RGon=1,5 Ω

RGoff=1,5 Ω

 

Tvj=25°C

 

165

 

μs

 

开通 损耗能量(Elke impuls)

Aanzetten energie Verlies per Puls

 

 

Eon

 

 

Tvj=25°C

 

 

2.4

 

 

MJ

 

关断 损耗能量(Elke impuls)

Afsluitenergie Verlies per Puls

 

Eof

 

Tvj=25°C

 

7.5

 

MJ

 

Een

 

 

K/W

 

短路数据

SC gegevens

 

ISC

 

VGE≤ 15V, VCC=800V

VCEmax=VCES- L.sCE·di/dt, tp= 10 μs, Tvj=150°C

 

360

 

结-外 热阻

Thermische weerstand,Instelling tot geval

 

RthJC

 

Per IGBT / Elke. IGBT

 

0.25

 

Diode, BH'sKe-Chopper/ 

Maximaal Nominale waarden/

 

Gegenschakelde piekstroom

 

Hoogte omgekeerd herstel c.huur

 

Ik...RMTvj= 150°C50 A

 

Gegarandeerd hersteltijd

Achteruit hersteltijd

 

TRR

 

Ik...F=50A

DiF/dtweg=1300A/μs

 

Tvj= 150°C

 

380

 

N.B.

 

恢复电荷

Achteruit herstel ch- Het is goed.

 

Qr

 

VR = 600 V

VGE=-15V

 

Tvj= 150°C

 

8

 

 

μC

 

Omgekeerd herstelverlies (per impuls)

Achteruit herstel energie (per puls)

 

Erec

 

Tvj= 150°C

 

3.5

 

MJ

 

 

0.70K/W

 

结-外 热阻

Thermische weerstand,Instelling tot geval

 

RthJC

 

per diode/ Elke twee-hoekige buis

 

 

 

1600V 180A 3-fasig halfgecontroleerd + IGBT-remmodule-SPS180RC16K2 1

 

Artikel 1

 

Symbool

 

Voorwaarden

 

Waarde

 

Eenheden

 

绝缘 testspanning

Isolatietestspanning

 

VISOL

 

RMS, f=50Hz, t=1min

 

2.5

 

 

kV

 

模块基板材料

Materiaal van module basisplaat

   

 

 

C.

 

 

内部绝缘

Intern isolatie

 

 

基本绝缘(klasse 1, Ik...EG 61140)

Basis isolatie (klasse 1, IEC 61140)

 

Al2O3

 

 

爬电距离

Geweldig.Tans

 

 

端子-散热片/ terminal to verwarmingsbak

端子-端子/terminal naar termineraal

 

10.0

 

 

mm

 

电气间隙

Vergunning

 

 

端子-散热片/ terminal to verwarmingsbak

端子-端子/terminal naar termineraal

 

7.5

 

mm

 

Relatieve elektrische spoorindex

Comparativ - vergelijkendHet volgen index

 

 

CTI

 

 

 

> 200


 

 

 

Artikel 1

 

Symbool

 

Voorwaarden

 

- Min.

 

Typus.

 

Max, ik ben er klaar voor.

 

Eenheden

 

杂散电感,模块 (gebroken elektrisch gevoel, module)

Stray inductantie module

 

LsCE

   

 

50

 

 

nH

 

Maksimum temperatuur

Maximaal verbindingspuntn temperatuur

 

Tvj(max)

 

逆变器, 制动- 波器/omvormer, rem-snipper整流器/rectifier

   

 

175

 

125

 

°C

°C

 

In gesloten staat onder temperatuur

Temperatuur enEr overstappen voorwaarden

 

TVj(op)

 

逆变器, 制动- 波器/omvormer, rem-snipper整流器/rectifier

 

-40

 

-40

 

 

150

 

125

 

°C

°C

 

storing temperatuur

 

Opbergingperatuur

 

Tstg

 

 

-40

 

 

125

 

°C

 

模块安装的安装扭距

Montage torVoor module montage

 

M

 

 

3.00

 

 

6.00

 

Nm

 

Gewicht

 

Gewicht

 

G

   

 

180

 

 

g

 

 

IGBT

Uitgangskenmerken IGBT, Brake-Chopper (typisch) IC=f (VCE) Voorwaartskenmerken Diode, Brake-Chopper (typisch)

VGE=15V IF=f(VF)

1600V 180A 3-fasig halfgecontroleerd + IGBT-remmodule-SPS180RC16K2 2

 

Voorkarakteristiek van diode, rectificator (typisch)

IF=f(VF)

1600V 180A 3-fasig halfgecontroleerd + IGBT-remmodule-SPS180RC16K2 3

1600V 180A 3-fasig halfgecontroleerd + IGBT-remmodule-SPS180RC16K2 4

 

 

"1600V 180A + IGBT" verwijst waarschijnlijk naar een IGBT-apparaat (Isolated Gate Bipolar Transistor) met een nominale spanning van 1600 volt en een nominale stroom van 180 ampère.Hier is een verklaring voor deze beschrijving.:
 
1. Spanningswaarde (1600 V): dit geeft de maximale spanning aan die het IGBT kan weerstaan,en een nominale spanning van 1600 volt suggereert dat het apparaat geschikt is voor toepassingen die het omgaan met hogere spanningsniveaus vereisen., zoals hoogspanningsomvormers of andere hoogspanningstoepassingen.
 
2. Stroomstroom (180A): Dit vertegenwoordigt de maximale stroom die de IGBT kan verwerken, en een stroomstroom van 180 ampère specificeert het niveau van stroom dat het apparaat kan doorvoeren.Dit is relevant voor toepassingen die de verwerking van hoge vermogen niveaus vereisen.
 
3. IGBT: Geïsoleerde poort bipolaire transistor is een halfgeleider apparaat dat vaak wordt gebruikt in krachtelektronica toepassingen, zoals omvormers, motor aandrijvingen, en stroomvoorzieningen,voor het schakelen en versterken van elektrische signalen.
 
Een dergelijk apparaat kan worden gebruikt in toepassingen met hoog vermogen en hoogspanning waar een nauwkeurige beheersing van zowel stroom als spanning noodzakelijk is.zorgvuldige overweging van passende thermische beheersmaatregelen en poort aandrijving circuits is essentieel om de betrouwbaarheid en prestaties te garanderenSpecifieke technische specificaties en toepassingsrichtlijnen zijn te vinden in het gegevensblad van de fabrikant.
 

Circuits schema Hoofdstuk 

 

 

1600V 180A 3-fasig halfgecontroleerd + IGBT-remmodule-SPS180RC16K2 5

 

 

 

 

 

Pakket overzichten 

 

 


1600V 180A 3-fasig halfgecontroleerd + IGBT-remmodule-SPS180RC16K2 6