Markeren:
Laag schakelverlies Infineon discrete IGBT
, IGBT-transistormodule OEM
, IGBT-transistormodule met lage schakelverliezen
Capaciteit van de collectoremitter: |
170 pF |
Configuratie: |
Alleenstaande |
Stroomcollector continu: |
50 A |
Stroomcollector gepulseerd: |
200 A |
Poortlast: |
80 nC |
Montage-stijl: |
Door het gat |
Werktemperatuurbereik: |
-55 tot 150 graden Celsius. |
Pakkettype: |
TO-247 |
Pakket/Geval: |
TO-247-3 |
Omgekeerde Terugwinningstijd: |
50 ns |
Transistorpolariteit: |
N-kanaal |
Spanningscollector-emitter-afval Max.: |
1200 V |
Voltagecollector-emitter verzadiging Max.: |
2.2 V |
Spanningsgrens van de uitzender van de poort: |
5 V |
Naam van het product: |
transistormodule, transistormodule, transistormodule |
Lage schakelverliezen Infineon Discrete IGBT Transistor Module OEM
Solid Power-DS-SPS40G12E3S-S03010001 V1.0
1200 V 40A IGBT Discrete
1200V 40A IGBT
Algemeen Beschrijving
SOLIDPOWER IGBT Discrete biedt lage schakelverliezen en een hoge RBSOA-capaciteit.drie-niveaus zonne-streng-omvormer, lassen, enz.
Kenmerken:
▪ 1200V Trench Field Stop-technologie
▪ SiC-SBD-dioden
▪ Minder verliezen bij overstappen
▪ Een lage toegangsprijs
Typisch Toepassingen:
▪ Industriële UPS's
▪ Charger
▪ Energieopslag
▪ Inverter
▪ Lassen
IGBT IGBT
Uitgangskenmerken IGBT Uitgangskenmerken IGBT
IC=f ((VCE),Tvj=25°C IC=f ((VCE), Tvj=175°C
FRD IGBT
Uitgangskenmerken FRD Verzamelaar-emitter verzadigingsspanning IGBT
IF=f(VF) VCE(sat)=f (Tj)
FRD IGBT
Versmeltingsspanning FRD poort-emitter drempelspanning IGBT
VF=f (Tj) VGE(th) =f (Tj)
FRD IGBT
Uitgangskenmerken FRD-collector stroom IGBT
IF=f ((VF) IC=f ((TC)
VGE≥15V,Tvj≤175°C
Gatenladingskenmerken Capaciteitskenmerken
VGE(th) =f (Qg) VCE=25V, VGE=0V, f=1MHZ
VGE = 15V, IC = 40A
IGBT IGBT
Schakeltijd IGBT
Ts=f (IC), Tvj=25°C ts=f (IC), Tvj=175°C
IGBT IGBT
Schakeltijd IGBT
Het gebruik van de in bijlage I vermelde chemische stoffen kan worden beperkt tot het gebruik van de chemische stoffen.
VGE=15V, VCE=600V, IC=40A VGE=15V, VCE=600V, IC=40A
IGBT IGBT
Schakeltijd IGBT Schakelverliezen IGBT
Ts=f (Tj) E=f (Tj)
VGE=15V, VCE=600V, RG=12Ω, IC=40A VGE=15V, VCE=600V, RG=12Ω, IC=40A
IGBT IGBT
Schakelverliezen IGBT Schakelverliezen IGBT
E=f (IC) E=f (IC)
VGE = 15V, VCE = 600V, RG = 12Ω, Tvj = 25°C VGE = 15V, VCE = 600V, RG = 12Ω, Tvj = 175°C
IGBT IGBT
Schakelverliezen IGBT Schakelverliezen IGBT
E=f (RG) E=f (RG)
VGE = 15V, VCE = 600V, IC = 40A, Tvj = 25°C VGE = 15V, VCE = 600V, IC = 40A, Tvj = 175°C
IGBT IGBT
Schakelverliezen IGBT Schakelverliezen IGBT
E=f (VCE), Tvj=25°C E=f (VCE), Tvj=175°C
VGE=15V, RG=12Ω, IC=40A VGE=15V, RG=12Ω, IC=40A
IGBT
Voorwaarts Bias SOA Transiente thermische impedantie IGBT
TC=25°C, VGE=15V, Tvj≤175°C ZthJA=f (t)
Dit is een discrete geïsoleerde poort bipolaire transistor (IGBT) met een nominale spanning van 1200V en een nominale stroom van 40A.IGBT's worden vaak gebruikt in krachtelektronica voor het schakelen van hoge spanningen en stromenDe specificaties geven aan dat deze specifieke IGBT een maximale spanning van 1200 V en een maximale stroom van 40 A kan verwerken.de juiste aandrijfscircuits en warmteafvoer zijn belangrijk om de betrouwbaarheid en prestaties van de IGBT te waarborgen;.
Circuits schema Hoofdstuk
Pakket overzichten
Uw bericht moet tussen de 20-3.000 tekens bevatten!
