Jiangsu Solid Power Semiconductor Co.,Ltd
producten
producten
Thuis > producten > IGBT Discrete > 1500V 3A IGBT Discrete N Channel Sic IGBT-module DS-SPS03NM15E3-S03050001 V1.0

1500V 3A IGBT Discrete N Channel Sic IGBT-module DS-SPS03NM15E3-S03050001 V1.0

Productgegevens

Modelnummer: SPS03NM15E3

Betaling en verzendvoorwaarden

Vind de beste prijs
Markeren:

1500V 3A IGBT Discrete

,

1500V 3A Sic IGBT-module

,

N-kanaal Sic IGBT-module

1500V 3A IGBT Discrete N Channel Sic IGBT-module DS-SPS03NM15E3-S03050001 V1.0

Solid Power-DS-SPS03NM15E3-S03050001 V1.0

 

1500V 3A N-kanaal MOS Discrete

 

1500 V 3A MOSFET 

 

 

1500V 3A IGBT Discrete N Channel Sic IGBT-module DS-SPS03NM15E3-S03050001 V1.0 0

 

 

Kenmerken:

  • Snel schakelen
  • Laag ON-weerstand
  • Laag heklading Verminder schakelverlies
  • Diode voor snel herstel

 

 

Typisch Toepassingen:

  • Adapter
  • Charger
  • SMPS Standby-vermogen

 

1500V 3A IGBT Discrete N Channel Sic IGBT-module DS-SPS03NM15E3-S03050001 V1.0 1

1500V 3A IGBT Discrete N Channel Sic IGBT-module DS-SPS03NM15E3-S03050001 V1.0 2

1500V 3A IGBT Discrete N Channel Sic IGBT-module DS-SPS03NM15E3-S03050001 V1.0 3

 

MOSFET MOSFET

Outputkenmerk MOSFET Overdrachtskenmerk MOSFET

IDS=f(VDS), Tvj=25°C IDS=f(VGS), VDS=20V, Tvj=25°C

1500V 3A IGBT Discrete N Channel Sic IGBT-module DS-SPS03NM15E3-S03050001 V1.0 4

Normalisatie van de drainbron op de weerstand

RDSon ((P.U.) = f(Tvj) RDSon=f(IDS) Tvj=25°C

IDS=1,3A VGS=10V VGS=10V

 

 1500V 3A IGBT Discrete N Channel Sic IGBT-module DS-SPS03NM15E3-S03050001 V1.0 5

 

MOSFET

Voorwaarts karakteristiek van MOSFET-diodepoortladingskarakteristiek

IDS=f ((VDS) VGS=f ((QG)

VDS=750V, IDS=3A, Tvj=25°C

 

1500V 3A IGBT Discrete N Channel Sic IGBT-module DS-SPS03NM15E3-S03050001 V1.0 6

 

MOSFET

Capaciteitskenmerk MOSFET Maximale vermogensafvoer

C=f(VDS) PD=f(TC

VGS=0V, Tvj=25°C, f=1MHz

1500V 3A IGBT Discrete N Channel Sic IGBT-module DS-SPS03NM15E3-S03050001 V1.0 7

Maximaal afvoerstroom naar voren vertekend veilig operationeel gebied (FBSOA)

ID=f(TC)

 

 

1500V 3A IGBT Discrete N Channel Sic IGBT-module DS-SPS03NM15E3-S03050001 V1.0 8

 

MOSFET

MOSFET met tijdelijke thermische impedantie

ZthJC=f (t)

 

1500V 3A IGBT Discrete N Channel Sic IGBT-module DS-SPS03NM15E3-S03050001 V1.0 9

 

Dit is een discrete N-kanaal metaal-oxide-halfgeleider veld-effect transistor (MOSFET) met een nominale spanning van 1500V en een nominale stroom van 3A.N-Channel MOSFET's zijn vaak gebruikte halfgeleiderapparaten in verschillende elektronische toepassingenDe 1500V geeft de maximale spanning aan die het apparaat kan verwerken, terwijl de 3A de maximale stroom vertegenwoordigt die het kan verwerken.In specifieke toepassingen, moet een goede aandrijflijn en warmteafvoer worden overwogen om de betrouwbaarheid en prestaties van het MOSFET te waarborgen.

 

Pakket overzichten 

 

 

1500V 3A IGBT Discrete N Channel Sic IGBT-module DS-SPS03NM15E3-S03050001 V1.0 10