Jiangsu Solid Power Semiconductor Co.,Ltd
producten
producten
Thuis > producten > IGBT-modules > 1200V 75A IGBT PIM-Module-Solid Power-DS-SPS75P12M3M4-S04030016 V1.0

1200V 75A IGBT PIM-Module-Solid Power-DS-SPS75P12M3M4-S04030016 V1.0

Productgegevens

Merknaam: SPS

Modelnummer: SPS75P12M3M4

Betaling en verzendvoorwaarden

Vind de beste prijs
Markeren:

1200 V IGBT PIM-module

,

Solid Power IGBT PIM-module

,

75A IGBT PIM-module

1200V 75A IGBT PIM-Module-Solid Power-DS-SPS75P12M3M4-S04030016 V1.0

Solid Power-DS-SPS75P12M3M4-S04030016 V1.0

1200V 75A IGBT PIM-module

1200V 75A IGBT PIM-Module-Solid Power-DS-SPS75P12M3M4-S04030016 V1.0 0

Kenmerken:
 1200V Trench+ Field Stop technologie
 Freewheeling-diodes met snelle en zachte omkering
 VCE (sat) met een positieve temperatuurcoëfficiënt
 lage overstapverliezen
 Kortsluiting
 
Typische toepassingen:
 Motordrijvingen
 Servo-aandrijvingen
 

 

IGBT, Inverter / IGBT, omgekeerde veranderlijke

 

Maximaal Nominale waarden/ Maximaal bedrag

 

Artikel 1

 

Symbool

 

Voorwaarden

 

Waarde

 

Eenheden

 

集电极-发射电极spanning

Verzamelaar-emittentSpanning

 

VCES

 

Tvj= 25°C

 

1200

 

V

 

连续集电极直流电流

Continu D.C. verzamelingctor stroom

 

Ik...C

 

TC= 100°C

 

75

 

 

Een

 

集电极重复峰值电流 (de hoogte van de elektriciteitsstroom)

Hoogte herhalenverzameling collectie-stroom

 

Ik...CRM

 

tp=1 ms

 

150

 

Een

 

¥ ¥ ¥ ¥ ¥ ¥ ¥ ¥

Maximaal bereikSpanning van de e-emitter

 

VGES

 

 

± 20

 

V

 

totaal vermogen

Totaal vermogen ontdooienVerband

 

Ptot

 

TC= 25°C, Tvj= 175°C

 

380

 

W

 

PersoonlijkheidHet aantal/ 特征waarde

 

Artikel 1

 

Symbool

 

Voorwaarden

 

- Min. Max.

 

Eenheden

 

集电极-发射极?? 和电压

Verzamelaar-emitter saturatiop spanning

 

VCE(zit)

 

Ik...C= 75A,VGE=15V

 

Tvj= 25°C Tvj= 125°C Tvj= 150°C

 

1.72

2.04 2.12

 

2.10

 

V

 

极 值 elektrische druk

DoorgangsdrempelSpanning

 

 

VGE (de)

 

Ik...C= 2,4 mA, VCE=VGE,Tvj= 25°C

 

 

5.2 5.6 6.2

 

V

 

内部 极电阻

Interne poort weerstand

 

RGint

 

Tvj= 25°C

 

6.2

 

Ω

 

Invoercapaciteit

Inputplafondacitans

 

C- Ja.

 

f=1MHz, Tvj= 25°C, VCE=25V, VGE=0V

 

 

5.24

 

nF

 

Omgekeerde transmissiecapaciteit

Omgekeerde baansferencapaciteit

 

CRes

 

f=1MHz, Tvj= 25°C, VCE=25V, VGE=0V

 

0.24

 

nF

 

集电极-发射极截止电流 (afscheidingsstroom)

Verzamelaar-emittent grenswaarde chuur

 

 

Ik...CES

 

VCE=1200V, VGE=0V, Tvj=25°C

 

 

1.00

 

mA

 

- Ja.-发射极漏电流 (uitstortingsdrempel)

Poort-emitter lekken stroom

 

Ik...GES

 

VCE=0V, VGE=20V, Tvj= 25°C

 

500

 

nA

 

开通延迟时间( elektrische belasting)

Aanzetten vertragingstijd, inductief belastingen

 

td( op)

 

Tvj= 25°C

Tvj= 125°C

Tvj= 150°C

 

85

95

 

96

 

N.B.

 

Upgrade tijd( elektrische belasting)

Tijd om op te staan. inductief belastingen

 

 

tr

 

Tvj= 25°C

Tvj= 125°C

Tvj= 150°C

 

31

34

 

37

 

N.B.

 

关断延迟时间( elektrische belasting)

Afdaling delay tijd, inductief belastingen

 

td(weg)

 

Ik...C=75A, VCE=600 V

VGE=-15V...+15V

RGa weg.=1Ω

RGoff.=1Ω

 

Inductieve Lo.ad

 

Tvj= 25°C

Tvj= 125°C

Tvj= 150°C

Tvj= 25°C

Tvj= 125°C

Tvj= 150°C

 

256

309

 

323

 

N.B.

 

- Ik heb geen tijd.( elektrische belasting)

De herfsttijd. inductief belastingen

 

 

tf

 

186

178

 

167

 

N.B.

 

开通 损耗能量(Elke impuls)

Aanzetten energie Verlies per puIk ben er.

 

Eop

 

Tvj= 25°C

Tvj= 125°C

Tvj= 150°C

 

4.34

7.86

8.90

 

MJ

 

关断 损耗能量(Elke impuls)

Afsluitenergie Verlies per Puls

 

Eweg

 

Tvj= 25°C

Tvj= 125°C

Tvj= 150°C

 

5.58

6.87

7.06

 

MJ

 

短路数据

SC gegevens

 

 

Ik...SC

 

VGE=-15V...+15, VCC=800V

VCEmax=VCES- L.sCE·di/dt, tp= 10 μs, Tvj= 25°C

 

400

 

Een

 

结-外 热阻

Thermische weerstand,Instelling tot geval

 

RthJC

 

Per IGBT / Elke. IGBT

 

 

0.39

 

K/W

 

werktemperatuur

Temperatuur enEr overstappen voorwaarden

 

Tvjop

 

 

-40 150

 

°C

 

 

Diode, omvormer/ Twee-hoekige buis, omgekeerde veranderingsbak

Maximaal Nominale waarden/ maximaal定值

 

Artikel 1

 

Symbool

 

Voorwaarden

 

Waarde

 

Eenheden

 

In de eerste plaats moet de verwarming van de spanning van de spanning van de spanning van de spanning van de spanning van de spanning van de spanning van de spanning van de spanning van de spanning van de spanning van de spanning van de spanning van de spanning van de spanning van de spanning van de spanning.

Hoogte herhaaldelijk omgekeerde spanninge

 

VRRM

 

Tvj= 25°C

 

1200

 

V

 

continue rechtstreekse stroom stroom

Continu DC voorstroom van de afdeling

 

Ik...F

 

 

60

 

 

Een

 

Voor de toepassing van deze richtlijn wordt het volgende bepaald:

Hoogte herhalende voorstroom

 

Ik...FRM's

 

tp=1 ms

 

120

 

Een

 

PersoonlijkheidHet aantal/ 特征waarde

 

Artikel 1

 

Symbool

 

Voorwaarden

 

Min. type. max.

 

Eenheden

 

rechtstreekse spanning

Voorspanning

 

VF

 

 

Ik...F=60A

 

Tvj= 25°C

Tvj= 125°C

Tvj= 150°C

 

2.12

1.72 1.64

 

2.50

 

V

 

Gegenschakelde piekstroom

 

Hoogte omgekeerd herstel c.huur

 

 

Ik...rm

 

 

 

Ik...F=60A

- Di.F/dtweg=1700A/μs

VR = 600 V

 

VGE=-15V

 

Tvj= 25°C

Tvj= 125°C

Tvj= 150°C

Tvj= 25°C

Tvj= 125°C

Tvj= 150°C

Tvj= 25°C

Tvj= 125°C

Tvj= 150°C

 

64

98

 

107

 

Een

 

Gegenspoelde teruglading

Achteruit herstel ch- Het is goed.

 

 

QRR

 

4.74

10.79

12.65

 

μC

 

Omgekeerd herstelverlies (per impuls)

Achteruit herstel energie (per puls)

 

Erec

 

1.75

3.87

4.86

 

MJ

 

结-外 热阻

Thermische weerstand,Instelling tot geval

 

RthJC

 

per diode/ Elke twee-hoekige buis

 

0.62

 

K/W

 

werktemperatuur

Temperatuur enEr overstappen voorwaarden

 

Tvjop

 

 

-40 150

 

°C

 

 

IGBT, Bremschopper/ IGBT- Wat is er?

Maximaal Nominale waarden/ Maximaal bedrag

 

Artikel 1

 

Symbool

 

Voorwaarden

 

Waarde

 

Eenheden

 

集电极-发射电极spanning

Verzamelaar-emittentSpanning

 

VCES

 

 

Tvj= 25°C, Ik...C=1mA, VGE=0V

 

1200

 

V

 

连续集电极直流电流

Continu D.C. verzamelingctor stroom

 

Ik...C

 

TC= 100°C, Tvj= 175°C

 

50

 

 

Een

 

集电极重复峰值电流 (de hoogte van de elektriciteitsstroom)

Hoogte herhalenverzameling collectie-stroom

 

Ik...CRM

 

tp=1 ms

 

100

 

Een

 

¥ ¥ ¥ ¥ ¥ ¥ ¥ ¥

Maximaal bereikSpanning van de e-emitter

 

VGES

 

 

±20

 

V

 

totaal vermogen

Totaal vermogen ontdooienVerband

 

Ptot

 

TC= 25°C, Tvj= 175°C

 

270

 

W

 

PersoonlijkheidHet aantal/ 特征waarde

 

Artikel 1

 

Symbool

 

Voorwaarden

 

- Min. Typus. Max, ik ben er klaar voor.

 

Eenheden

 

集电极-发射极?? 和电压

Verzamelaar-emitter saturatiop spanning

 

VCE(zit)

 

Ik...C= 50A,VGE=15V

 

Tvj= 25°C

Tvj= 125°C

Tvj= 150°C

 

2.02

2.52 2.68

 

2.40

 

V

 

极 值 elektrische druk

DoorgangsdrempelSpanning

 

 

VGE (de)

 

Ik...C=1,6mA, VCE=10V, Tvj= 25°C

 

 

5.1 5.7 6.3

 

V

 

极电荷 极电荷

Poort belastingen

 

QG

 

 

VGE=-15V...+15V

 

0.23

 

μC

 

Invoercapaciteit

Inputplafondacitans

 

C- Ja.

 

f=1MHz, Tvj= 25°C, VCE=25V, VGE=0V

 

 

3.64

 

nF

 

Omgekeerde transmissiecapaciteit

Omgekeerde baansferencapaciteit

 

CRes

 

f=1MHz, Tvj= 25°C, VCE=25V, VGE=0V

 

0.13

 

nF

 

集电极-发射极截止电流 (afscheidingsstroom)

Verzamelaar-emittent grenswaarde chuur

 

 

Ik...CES

 

VCE=1200V, VGE=0V, Tvj= 25°C

 

 

1.00

 

mA

 

- Ja.-发射极漏电流 (uitstortingsdrempel)

Poort-emitter lekken stroom

 

Ik...GES

 

VCE=0V, VGE=20V, Tvj= 25°C

 

100

 

nA

 

开通延迟时间( elektrische belasting)

Aanzetten vertragingstijd, inductief belastingen

 

td( op)

 

Tvj= 25°C Tvj= 125°C Tvj= 150°C

 

119

112

 

111

 

N.B.

 

Upgrade tijd( elektrische belasting)

Tijd om op te staan. inductief belastingen

 

 

tr

 

Tvj= 25°C Tvj= 125°C Tvj= 150°C

 

38

47

 

49

 

N.B.

 

关断延迟时间( elektrische belasting)

Afdaling delay tijd, inductief belastingen

 

td(weg)

 

Ik...C=50A, VCE=600 V

VGE=-15V...+15V

RGa weg.=40Ω

RGoff.=40Ω

 

Inductieve Lo.ad

 

Tvj= 25°C

Tvj= 125°C

Tvj= 150°C

Tvj= 25°C

Tvj= 125°C

Tvj= 150°C

 

319

358

 

368

 

N.B.

 

- Ik heb geen tijd.( elektrische belasting)

De herfsttijd. inductief belastingen

 

 

tf

 

176

257

 

237

 

N.B.

 

开通 损耗能量(Elke impuls)

Aanzetten energie Verlies per puIk ben er.

 

Eop

 

Tvj= 25°C Tvj= 125°C Tvj= 150°C

 

4.00

7.00

7.89

 

MJ

 

关断 损耗能量(Elke impuls)

Afsluitenergie Verlies per Puls

 

Eweg

 

Tvj= 25°C Tvj= 125°C Tvj= 150°C

 

3.13

4.26

4.68

 

MJ

 

短路数据

SC gegevens

 

 

Ik...SC

 

VGE=-15V...+15, VCC=800V

VCEmax=VCES- L.sCE·di/dt, tp= 10 μs, Tvj= 25°C

 

155

 

Een

 

结-外 热阻

Thermische weerstand,Instelling tot geval

 

RthJC

 

Per IGBT / Elke. IGBT

 

 

0.54

 

K/W

 

werktemperatuur

Temperatuur enEr overstappen voorwaarden

 

Tvjop

 

 

-40 150

 

°C

 

 

 

Diode, Bremschopper/ - Ik heb geen idee.

Maximaal Nominale waarden/ maximaal定值

 

Artikel 1

 

Symbool

 

Voorwaarden

 

Waarde

 

Eenheden

 

In de eerste plaats moet de verwarming van de spanning van de spanning van de spanning van de spanning van de spanning van de spanning van de spanning van de spanning van de spanning van de spanning van de spanning van de spanning van de spanning van de spanning van de spanning van de spanning van de spanning.

Hoogte herhaaldelijk omgekeerde spanninge

 

VRRM

 

Tvj= 25°C

 

1200

 

V

 

continue rechtstreekse stroom stroom

Continu DC voorstroom van de afdeling

 

Ik...F

 

 

30

 

 

Een

 

Voor de toepassing van deze richtlijn wordt het volgende bepaald:

Hoogte herhalende voorstroom

 

Ik...FRM's

 

tp=1 ms

 

60

 

Een

 

PersoonlijkheidHet aantal/ 特征waarde

 

Artikel 1

 

Symbool

 

Voorwaarden

 

Min. Typ. Maximaal.

 

Eenheden

 

rechtstreekse spanning

Voorspanning

 

VF

 

 

Ik...F=50A

 

Tvj= 25°C

Tvj= 125°C

Tvj= 150°C

 

2.10

1.71 1.62

 

2.40

 

V

 

Gegenschakelde piekstroom

 

Hoogte omgekeerd herstel c.huur

 

 

Ik...RR

 

 

 

Ik...F=50A

- Di.F/dtweg=710A/μs VR = 600 V

 

VGE=-15V

 

Tvj= 25°C

Tvj= 125°C

Tvj= 150°C

Tvj= 25°C

Tvj= 125°C

Tvj= 150°C

Tvj= 25°C

Tvj= 125°C

Tvj= 150°C

 

28

35

 

36

 

Een

 

Gegenspoelde teruglading

Achteruit herstel ch- Het is goed.

 

 

Qr

 

1.68

4.85

5.79

 

μC

 

Omgekeerd herstelverlies (per impuls)

Achteruit herstel energie (per puls)

 

Erec

 

0.47

1.45

1.75

 

MJ

 

结-外 热阻

Thermische weerstand,Instelling tot geval

 

RthJC

 

per diode/ Elke twee-hoekige buis

 

1.35

 

K/W

 

werktemperatuur

Temperatuur enEr overstappen voorwaarden

 

Tvjop

 

 

-40 150

 

°C

 

 

Djodium, Rectificator/ 2 極管,整流

Maximaal Nominale waarden/ maximaal定值

 

Artikel 1

 

Symbool

 

Voorwaarden

 

Waarde

 

Eenheden

 

In de eerste plaats moet de verwarming van de spanning van de spanning van de spanning van de spanning van de spanning van de spanning van de spanning van de spanning van de spanning van de spanning van de spanning van de spanning van de spanning van de spanning van de spanning van de spanning van de spanning.

Hoogte herhaaldelijk omgekeerde spanninge

 

VRRM

 

Tvj= 25°C

 

1800

 

V

 

Maksimale rechtstreekse evenwichtige wortelstroom(Elke chip)

Maximaal RMS-stroom naar voren per chip

 

Ik...FRMSM

 

TC = 80°C

 

70

 

 

Een

 

Maksimale totale stroomvoorziening

Maximaal RMS-stroom bij rechtgever uitgang

 

Ik...RMSM

 

TC = 80°C

 

 

130

 

Een

 

Voorts:

Vooruit.stroom

 

 

Ik...FSM

 

tp= 10 ms, Tvj=25°C, sin180°

 

840

 

 

Een

 

Ik...2T-

I2t-waarde

 

 

Ik...2t

 

tp= 10 ms, Tvj=25°C, sin180°

 

 

3528

 

Een2s

 

PersoonlijkheidHet aantal/ 特征waarde

       

 

Artikel 1

 

Symbool

 

Voorwaarden

 

- Min. Typus. Max, ik ben er klaar voor.

 

Eenheden

 

rechtstreekse spanning

Voorspanning

 

VF

 

 

Tvj= 25°C, Ik...F=60A

 

2.12 2.50

 

V

 

Gegendraaide stroom

 

Omgekeerde stroom

 

Ik...R

 

Tvj= 125°C, VR=1800V

 

2.0

 

mA

 

werktemperatuur

Temperatuur enEr overstappen voorwaarden

 

 

Tvjop

 

 

-40 150

 

°C

 

1200V 75A IGBT PIM-Module-Solid Power-DS-SPS75P12M3M4-S04030016 V1.0 1

 

Module/

 

Artikel 1

 

Symbool

 

Voorwaarden

 

Waarde

 

Eenheden

 

绝缘 testspanning

Isolatietestspanning

 

VISOL

 

RMS, f=50Hz, t=1min

 

2.5

 

 

kV

 

模块基板材料

Materiaal van module basisplaat

   

 

 

C.

 

 

内部绝缘

Intern isolatie

 

 

基本绝缘(klasse 1, Ik...EG 61140)

Basis isolatie (klasse 1, IEC 61140)

 

Al2O3

 

 

爬电距离

Geweldig.Tans

   

 

10

 

mm

 

电气间隙

Vergunning

   

 

7.5

 

mm

 

Relatieve elektrische spoorindex

Comparativ - vergelijkendHet volgen index

 

CTI

 

 

> 200

 

 

 

Symbool van het itemVoorwaarden Min. Typ. Max. Eenheden

 

杂散电感,模块 (gebroken elektrisch gevoel, module)

Stray inductantie module

 

LsCE

 

25

 

nH

 

模块引脚电阻, 端子-chip

 

Module Lood Resistentie ,Terminals-Cheup

 

RCC??+EE??TH= 25°C,Elke knop/perswitch

 

1.1

 

 

storing temperatuur

 

Opbergingperatuur

 

Tstg

 

 

-40 125

 

 

°C

 

模块安装的安装扭距

Montage torVoor module montage

 

 

M

 

3.00 6.00

 

 

Nm

 

Gewicht

 

Gewicht

 

G

 

300

 

g

 

1200V 75A IGBT PIM-Module-Solid Power-DS-SPS75P12M3M4-S04030016 V1.0 21200V 75A IGBT PIM-Module-Solid Power-DS-SPS75P12M3M4-S04030016 V1.0 3

1200V 75A IGBT PIM-Module-Solid Power-DS-SPS75P12M3M4-S04030016 V1.0 4

1200V 75A IGBT PIM-Module-Solid Power-DS-SPS75P12M3M4-S04030016 V1.0 5

1200V 75A IGBT PIM-Module-Solid Power-DS-SPS75P12M3M4-S04030016 V1.0 6

1200V 75A IGBT PIM-Module-Solid Power-DS-SPS75P12M3M4-S04030016 V1.0 7

1200V 75A IGBT PIM-Module-Solid Power-DS-SPS75P12M3M4-S04030016 V1.0 8