producten

Thuis > producten > Hybride SiC-discreten > 1200V 12mΩ Sic Power Mosfet Discretes DS-SPS12MA12E4S Op maat

Categorieën

Modules voor de automobielindustrie

(1)

IGBT Discrete

(2)

Contactpersonen

Contactpersonen: Mr. Zhou

Telefoon: 86-1360-528-8329

Contact opnemen

Post ons

1200V 12mΩ Sic Power Mosfet Discretes DS-SPS12MA12E4S Op maat

Name: 1200V 12mΩ Sic Power Mosfet Discretes DS-SPS12MA12E4S Op maat
Brand: 1200V 12mΩ Sic Power Mosfet Discretes DS-SPS12MA12E4S Op maat
SKU: SPS12MA12E4S
Rating: 4.9 (142 reviews)

Productgegevens

Modelnummer: SPS12MA12E4S

Betaling en verzendvoorwaarden

Vind de beste prijs

Productgegevens

Productbeschrijving

Markeren: 
                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                1200V Sic Power Mosfet, 1200 V SiC-discreten, Gepersonaliseerde Sic Power Mosfet
                              

Huidige rating:	40A	Poortlast:	120nC
Het Voltage van de poortdrempel:	4V	Isolatie-spanning:	2500V
loodvrij:	- Jawel.	Montage-stijl:	Door het gat
De Weerstand van de op-staat:	0.015Ω	Pakkettype:	TO-247
Omgekeerde Terugwinningstijd:	25ns	RoHS-conform:	- Ja, dat klopt.
De kortsluiting weerstaat Tijd:	10 μs	schakelfrequentie:	100 kHz
Temperatuurbereik:	-40°C tot 175°C	Standaardspanning:	1200 V

Huidige rating:	40A
Poortlast:	120nC
Het Voltage van de poortdrempel:	4V
Isolatie-spanning:	2500V
loodvrij:	- Jawel.
Montage-stijl:	Door het gat
De Weerstand van de op-staat:	0.015Ω
Pakkettype:	TO-247
Omgekeerde Terugwinningstijd:	25ns
RoHS-conform:	- Ja, dat klopt.
De kortsluiting weerstaat Tijd:	10 μs
schakelfrequentie:	100 kHz
Temperatuurbereik:	-40°C tot 175°C
Standaardspanning:	1200 V

1200V 12mΩ Sic Power Mosfet Discretes DS-SPS12MA12E4S Op maat

Solid Power-DS-SPS12MA12E4S

1200 V 12mΩ SiC MOSFET

1200V 12mΩ Sic Power Mosfet Discretes DS-SPS12MA12E4S Op maat 0

Kenmerken:

□ Hoge blokkeringsspanning met lage aan- en weerstand

□ Hoge snelheidsschakeling met lage capaciteiten

□ Snelle intrinsieke diode met een lage omgekeerde terugwinning (Qrr)

Typisch Toepassingen:

□ PV-omvormers

□ Oplaadpunten

□ Energieopslagsystemen

□ Industriële energievoorziening

□ Industriële motoren

Maximaal Ratings @Tc=25°C (tenzij anders gespecificeerd)

Artikel 1	Symbool	Voorwaarden	Waarden	Eenheid
Voltage van de afvoerbron	VDSmax	VGS=0V, ID=100μA	1200	V
Spanning van de poortbron	VGSop	Static	-5/+20	V
Maximale spanning van de poortbron	VGSmax	Static	-8/+22	V
Continu afvoerstroom	Identificatie	VGS=20V, Tc=25°C	214	Een
Continu afvoerstroom	Identificatie	VGS=20V, Tc=100°C	151	Een
Gepulseerde afvoerstroom	ID ((puls))	Pulsbreedte tp beperkt door Tjmax	400	Een
Machtverlies	PD	TC=25°C, Tj=175°C	938	W
Operationeel kruisingsbereik	Tj		-55 tot +175	°C
Temperatuurbereik voor opslag	Tstg		-55 tot +175	°C

Elektrische apparatuur Kenmerken @Tc=25°C (tenzij anders gespecificeerd)

Artikel 1	Symbool	Voorwaarden	Waarden Min. Een type. Max.			Eenheid
Afbraakspanning van de afvoer	V ((BR) DSS	VGS=0V, ID=100μA	1200	-	-	V
Sluitingsdrempelspanning	VGS(th)	VDS=VGS, ID=40mA	2.0	2.7	3.5	V
Sluitingsdrempelspanning	VGS(th)	VDS=VGS, ID=40mA, Tj=175°C	-	1.9	-	V
Nulpoortspanning Afvoerstroom	IDSS	VDS=1200V, VGS=0V	-	2	100	μA
Draad-bron lekstroom	IGSS	VGS=20V, VDS=0V	-	10	100	nA
Drain-Source On-State weerstand	RDS (aan)	VGS=20V, ID=100A	-	12	20	mΩ
		VGS=20V, ID=100A, Tj=175°C	-	20	-
		VGS=18V, ID=100A	-	13	25
		VGS=18V, ID=100A, Tj=175°C	-	21	-
Transconductiviteit	gfs	VDS=20V, IDS=100A	-	60	-	S
Transconductiviteit	gfs	VDS=20V, IDS=100A, Tj=175°C	-	52	-	S
Inrichting van het systeem	Eon	VDS=800V,VGS=-5V/20V,ID=100A,RG(ext)=5Ω,L=100μH,Tj=25°C FWD=SPS12MA12E4S	-	5.2	-	MJ
Verwijderingsenergie (body diode FWD)	Eof		-	3.7	-	MJ
Inzetten vertragingstijd	Td (aan)	VDD=800V, VGS=-5V/20V, ID=100A,RG(ext)=5Ω, L=100μH	-	24	-	N.B.
Tijd om op te staan.	tr		-	149	-
Uitsteltijd voor uitschakelen	Td (uit)		-	145	-
Herfsttijd	Tf		-	49	-
Doorgang naar bronlading	Qgs	VDS=800V, VGS=-5V/20V, ID=100A	-	215	-	nC
Doorgang tot afvoer	Qgd		-	179	-
Totale toegangspoortkosten	Qg		-	577	-
Invoercapaciteit	Ciss	VGS=0V, VDS=1000V f=1MHz VAC=25mV	-	8330	-	pF
Uitvoercapaciteit	Coss		-	343	-
Omgekeerde overdrachtscapaciteit	Crss		-	57	-
COSS opgeslagen energie	Eoss		-	217	-	μJ
Interne poortweerstand	RG(int)	f=1MHz, VAC=25mV	-	0.8	-	Ω

Achteruit Diode Kenmerken @Tc=25°C (tenzij anders gespecificeerd)

Artikel 1 Symbool		Voorwaarden	Waarden Eenheid Min. Een type. Max.
Diode voorspanning	VSD	VGS=-5V, ISD=50A	-	4.7	7	V
Diode voorspanning	VSD	VGS=-5V, ISD=50A, Tj=175°C	-	3.8	-	V
Continu diode voorstroom	IS	VGS=-5V	-	214	-	Een
Omgekeerde hersteltijd	trr	VGS=-5V,	-	46	-	N.B.
Omgekeerde terugvorderingsheffing	Qrr	ISD=100A,	-	1	-	nC
Piek omgekeerde herstelstroom	Verwijder	VR=800V, di/dt=1597A/μs	-	37	-	Een

Achteruit Diode Kenmerken @Tc=25°C (tenzij anders gespecificeerd)

Artikel 1 Symbool		Voorwaarden	Waarden Eenheid
Thermische weerstand van het knooppunt tot de kast	RθJC		-	0.16	-	°C/W
Thermische weerstand van de verbinding tot de omgeving	RθJA		-	32	-	°C/W

Typische prestaties

1200V 12mΩ Sic Power Mosfet Discretes DS-SPS12MA12E4S Op maat 4

1200V 12mΩ Sic Power Mosfet Discretes DS-SPS12MA12E4S Op maat 5

1200V 12mΩ Sic Power Mosfet Discretes DS-SPS12MA12E4S Op maat 6

Typische prestaties

Typische prestaties

Dit is een 1200V Silicon Carbide (SiC) MOSFET met een on-state weerstand van 12 milliohms (12mΩ).die geschikt zijn voor efficiënte elektronische toepassingen, zoals hoogfrequente omvormers en elektrische voertuigen.

Pakket Schets: TO-247-4L

1200V 12mΩ Sic Power Mosfet Discretes DS-SPS12MA12E4S Op maat 18

1200V 12mΩ Sic Power Mosfet Discretes DS-SPS12MA12E4S Op maat 19

Tags:

IGBT-modules 34 mm

IGBT-modules 62 mm

IGBT modules EconoDual3

IGBT-modules

IGBT modules EconoPack

IGBT-modules

Modules voor de automobielindustrie

Hybride SiC-discreten

Afzonderlijk Mosfet

IGBT Discrete

1200V 12mΩ Sic Power Mosfet Discretes DS-SPS12MA12E4S Op maat

1200V Sic Power Mosfet

1200 V SiC-discreten

Gepersonaliseerde Sic Power Mosfet

Sic Power Mosfet,

Automobilische Sic Mosfet,

Hoogspanning Sic Mosfet