Jiangsu Solid Power Semiconductor Co.,Ltd
producten
producten
Thuis > producten > IGBT-modules > 1200V 15A IGBT-modules EasyPIM DS-SPS15P12W1M4-S040600003

1200V 15A IGBT-modules EasyPIM DS-SPS15P12W1M4-S040600003

Productgegevens

Modelnummer: SPS15P12W1M4

Betaling en verzendvoorwaarden

Vind de beste prijs
Markeren:

1200V 15A IGBT-modules EasyPIM

,

1200V 15A IGBT PIM

,

Aangepaste IGBT PIM

Collectorstroom:
100A
Het voltage van de collectorzender:
1200 V
Stroom:
100A
Gebruik van de gate emitter:
120nC
Weerstand van de poortemperator:
1.5Ω
Het Voltage van de poortzender:
±20V
Gewicht van de module:
200 g
Werktemperatuur:
-40°C aan +150°C
Pakkettype:
EasyPIM
Omgekeerde Terugwinningstijd:
50ns
De kortsluiting weerstaat Tijd:
10 μs
schakelfrequentie:
20 kHz
Thermische weerstand:
0.1°C/W
Spanning:
1200 V
Naam van het product:
Igbt-module, IGBT-transistormodule, enkelvoudige Igbt-module
Collectorstroom:
100A
Het voltage van de collectorzender:
1200 V
Stroom:
100A
Gebruik van de gate emitter:
120nC
Weerstand van de poortemperator:
1.5Ω
Het Voltage van de poortzender:
±20V
Gewicht van de module:
200 g
Werktemperatuur:
-40°C aan +150°C
Pakkettype:
EasyPIM
Omgekeerde Terugwinningstijd:
50ns
De kortsluiting weerstaat Tijd:
10 μs
schakelfrequentie:
20 kHz
Thermische weerstand:
0.1°C/W
Spanning:
1200 V
Naam van het product:
Igbt-module, IGBT-transistormodule, enkelvoudige Igbt-module
1200V 15A IGBT-modules EasyPIM DS-SPS15P12W1M4-S040600003

De in de bijlage bij Verordening (EG) nr. 1907/2006 vermelde voorschriften gelden ook voor de toepassing van de in bijlage I bij Verordening (EG) nr. 1907/2006 vermelde voorschriften.

 

 

1200 V 15A IGBT PIM Module

 

1200 V 15A IGBT PIM 

 

 

 1200V 15A IGBT-modules EasyPIM DS-SPS15P12W1M4-S040600003 0

 

Kenmerken:

 

D 1200V Trench+ Field Stop-technologie

□ Freewheeling-diodes met snelle en zachte omkering

□ VCE (sat)met een positieve temperatuurcoëfficiënt

□ Lage verliezen bij overstap

□ Kortsluiting

 

 

Typisch Toepassingen: 

 

□ Servo-aandrijvingen

□ Converters

□ Inverters

 

 

1200V 15A IGBT-modules EasyPIM DS-SPS15P12W1M4-S040600003 1

Pakket 

Artikel 1 Symbool Voorwaarden Waarden Eenheid

Isolatie-testspanning

VISOL RMS, f = 50 Hz, t = 1 min

2.5

kV

Interne isolatie

 

(klasse 1, IEC 61140)

Basisisolatie (klasse 1, IEC 61140)

Al2O3

 

Krijpweg

dScreep terminal naar koelkast 11.5

mm

dScreep terminal naar terminal 6.3

Vergunning

dClear terminal naar koelkast 10.0

mm

dClear terminal naar terminal 5.0

Vergelijkende trackingindex

CTI  

> 200

 
   
Artikel 1 Symbool Voorwaarden Waarden Eenheid
- Min. Typus. Max, ik ben er klaar voor.

Stroominductiemodule

LsCE    

30

 

nH

Module loodweerstand, eindpunten - chip

RCC+EE   TC= 25°C   8.00  

RAA+CC 6.00

Bergingstemperatuur

Tstg  

-40

 

125

°C

Montagekracht per klem

F  

20

 

50

N

Gewicht

G    

23

 

g

 

1200V 15A IGBT-modules EasyPIM DS-SPS15P12W1M4-S040600003 2

IGBT,IGBT, omvormer

Maximaal Geclassificeerd Waarden 

Artikel 1 Symbool Voorwaarden Waarden Eenheid

Voltage van de collector-emitter

VCES   Tvj= 25°C

1200

V

Maximale spanning van de poort-emitter

VGES  

± 20

V

Transiente gate-emitterspanning

VGES tp≤ 10 μs, D=0.01

± 30

V

Continu gelijkstroomcollector

Ik...C   TC= 25°C 20

Een

TC= 80°C 15

Pulserende collectie-stroom,tp beperkt door Tjmax

ICpulse  

30

Een

Energieverlies

Ptot  

130

W

 

1200V 15A IGBT-modules EasyPIM DS-SPS15P12W1M4-S040600003 3

Kenmerkend Waarden 

Artikel 1 Symbool Voorwaarden Waarden Eenheid
- Min. Typus. Max, ik ben er klaar voor.

Verzamelaar-emitter verzadigingsspanning

VCE (sat) Ik...C=15A, VGE=15V Tvj= 25°C   1.95 2.40

V

Tvj= 125°C   2.46  
Tvj= 150°C   2.54  

Sluitingsdrempelspanning

VGE (th) VCE=VGEIk...C= 0,48 mA

5.1

5.7

6.3

V

Stroomverlies van de collector-emitter

ICES VCE=1200V, VGE=0V Tvj= 25°C     100 μA
Tvj= 150°C     5 mA

Doorloopstroom van de poort-emitter

IGES VCE=0V,VGE=±20V, Tvj= 25°C

- 100

 

100

nA

Doorgangskosten

QG VCE=600V, IC= 15A, VGE=±15V   0.1   μC

Invoercapaciteit

- Ja. VCE=25V, VGE=0V, f =1MHz   0.9  

nF

Omgekeerde overdrachtscapaciteit

Cres   0.04  

interne poortweerstand

RGint Tvj= 25°C   0   Ω

Inrichtingsvertragingstijd, inductiebelasting

Td (aan) VCC= 600V,IC=15A RG=40Ω VGE=±15V Tvj= 25°C   46   N.B.
Tvj= 125°C   42   N.B.
Tvj= 150°C   44   N.B.

Stijgingstijd, inductiebelasting

tr Tvj= 25°C   38   N.B.
Tvj= 125°C   41   N.B.
Tvj= 150°C   39   N.B.

Uitsteltijd voor uitschakeling, inductiebelasting

Td (uit) VCC= 600V,IC=15A RG=40Ω VGE=±15V Tvj= 25°C   215   N.B.
Tvj= 125°C   249   N.B.
Tvj= 150°C   259   N.B.

Valtijd, inductiebelasting

tf Tvj= 25°C   196   N.B.
Tvj= 125°C   221   N.B.
Tvj= 150°C   203   N.B.

Energieverlies bij aanschakeling per impuls

Eon VCC= 600V,IC=15A RG=40Ω VGE=±15V Tvj= 25°C   1.57   MJ
Tvj= 125°C   2.12   MJ
Tvj= 150°C   2.25   MJ

Afzetten Energieverlies per puls

Eof Tvj= 25°C   0.89   MJ
Tvj= 125°C   1.07   MJ
Tvj= 150°C   1.16   MJ

SC gegevens

ISC VGE≤ 15V, VCC=800V tp≤10 μs Tvj= 150°C  

70

 

Een

IGBT-warmteweerstand, aansluiting

RthJC       1.15 K / W

Werktemperatuur

TJop   -40   150 °C

 

 

1200V 15A IGBT-modules EasyPIM DS-SPS15P12W1M4-S040600003 4

Diode, omvormer 

Maximaal Geclassificeerd Waarden 

Artikel 1 Symbool Voorwaarden Waarden Eenheid

Repetitieve omgekeerde spanning

VRRM   Tvj= 25°C

1200

V

Continu gelijkstroom naar voren

Ik...F  

15

Een

Diode-pulsstroom,tp beperkt door TJmax

IFpulse  

30

Ik...2T-waarde

Ik...2t tp=10 ms Tvj= 125°C

136

Een2s

 

Kenmerkend Waarden

Artikel 1 Symbool Voorwaarden Waarden Eenheid
- Min. Typus. Max, ik ben er klaar voor.

Voorspanning

VF Ik...F= 15A, VGE=0V Tvj= 25°C   1.60 2.10

V

Tvj= 125°C   1.75  
Tvj= 150°C   1.78  

Piek-omgekeerde terugwinningstroom

IRRM

Ik...F=15A

DIF/dt=-250A/μs (T)vj= 150°C) VR=600V,

VGE=-15V

Tvj= 25°C   13  

Een

Tvj= 125°C 15
Tvj= 150°C 17

Omgekeerde terugvorderingsheffing

QRR Tvj= 25°C   1.87  

μC

Tvj= 125°C 3.33
Tvj= 150°C 3.82

Verlies van energie van omgekeerde terugwinning per puls

Erec Tvj= 25°C   0.70  

MJ

Tvj= 125°C 1.28
Tvj= 150°C 1.45

Diode thermische weerstand, verbindingshoesje

RthJCD      

1.90

K / W

 

Werktemperatuur

TJop  

-40

 

150

°C

 

Diode, rechtgever 

Maximaal Geclassificeerd Waarden 

Artikel 1 Symbool Voorwaarden Waarden Eenheid

Repetitieve omgekeerde spanning

VRRM   Tvj= 25°C

1600

V

Maximale RMS-voorkorrent per chip IFRMSM   TC= 80°C

16

Een

Maximale RMS-stroom bij de uitslag van de rechtmaker

IRMSM   TC= 80°C

16

Stroming naar voren

IFSM tp=10 ms Tvj= 25°C

190

I2t - waarde

Ik...2t tp=10 ms Tvj= 25°C

181

Een2s

 

Kenmerkend Waarden 

Artikel 1 Symbool Voorwaarden Waarden Eenheid
- Min. Typus. Max, ik ben er klaar voor.

Voorspanning

VF Ik...F=15A Tvj= 25°C  

0.95

 

V

Omgekeerde stroom

Ik...R VR=1600V Tvj= 25°C    

5

μA

Diode thermische weerstand, verbindingshoesje

RthJCD      

1.50

K / W

Werktemperatuur

TJop  

-40

 

150

°C

 

IGBT,remkopper/IGBT

Maximaal Geclassificeerd Waarden 

Artikel 1 Symbool Voorwaarden Waarden Eenheid

Voltage van de collector-emitter

VCES   Tvj= 25°C

1200

V

Maximale spanning van de poort-emitter

VGES  

± 20

V

Transiente gate-emitterspanning

VGES tp≤ 10 μs, D=0.01

± 30

V

Continu gelijkstroomcollector

Ik...C   TC= 80°C

15

Een

Pulserende collectie-stroom,tp beperkt door Tjmax

ICpulse  

30

Een

Energieverlies

Ptot  

130

W

 

IGBT,remkopper/IGBT

Kenmerkend Waarden

Artikel 1 Symbool Voorwaarden Waarden Eenheid
- Min. Typus. Max, ik ben er klaar voor.

Verzamelaar-emitter verzadigingsspanning

VCE (sat) Ik...C=15A, VGE=15V Tvj= 25°C   2.08 2.50

V

Tvj= 125°C   2.37  
Tvj= 150°C   2.45  

Sluitingsdrempelspanning

VGE (th) VCE=VGEIk...C= 0,48 mA

5.1

5.7

6.3

V

Stroomverlies van de collector-emitter

ICES VCE=1200V, VGE=0V Tvj= 25°C     100 μA
Tvj= 150°C     5 mA

Doorloopstroom van de poort-emitter

IGES VCE=0V,VGE=±20V, Tvj= 25°C

- 100

 

100

nA

Doorgangskosten

QG VCE=600V, IC= 15A, VGE=±15V   0.1   μC

Invoercapaciteit

- Ja. VCE=25V, VGE=0V, f =1MHz   0.86  

nF

Omgekeerde overdrachtscapaciteit

Cres   0.02  

interne poortweerstand

RGint Tvj= 25°C   0   Ω

Inrichtingsvertragingstijd, inductiebelasting

Td (aan) VCC= 600V,IC=15A RG=40Ω VGE=±15V Tvj= 25°C   51   N.B.
Tvj= 125°C   47   N.B.
Tvj= 150°C   40   N.B.

Stijgingstijd, inductiebelasting

tr Tvj= 25°C   44   N.B.
Tvj= 125°C   48   N.B.
Tvj= 150°C   56   N.B.

Uitsteltijd voor uitschakeling, inductiebelasting

Td (uit) VCC= 600V,IC=15A RG=40Ω VGE=±15V Tvj= 25°C   216   N.B.
Tvj= 125°C   254   N.B.
Tvj= 150°C   262   N.B.

Valtijd, inductiebelasting

tf Tvj= 25°C   194   N.B.
Tvj= 125°C   213   N.B.
Tvj= 150°C   219   N.B.

Energieverlies bij aanschakeling per impuls

Eon VCC= 600V,IC=15A RG=40Ω VGE=±15V Tvj= 25°C   0.92   MJ
Tvj= 125°C   1.21   MJ
Tvj= 150°C   1.31   MJ

Afzetten Energieverlies per puls

Eof Tvj= 25°C   0.88   MJ
Tvj= 125°C   1.11   MJ
Tvj= 150°C   1.15   MJ

IGBT-warmteweerstand, aansluiting

RthJC       1.15 K / W

Werktemperatuur

TJop   -40   150 °C

 

 

Diode, rem-helikopter.

Maximaal Geclassificeerd Waarden 

Artikel 1 Symbool Voorwaarden Waarden Eenheid

Repetitieve omgekeerde spanning

VRRM   Tvj= 25°C

1200

V

Continu gelijkstroom naar voren

Ik...F  

8

Een

Diode-pulsstroom,tp beperkt door TJmax

IFpulse  

16

Ik...2T-waarde

Ik...2t tp=10 ms Tvj= 125°C

25

Een2s

 

Kenmerkend Waarden 

Artikel 1 Symbool Voorwaarden Waarden Eenheid
- Min. Typus. Max, ik ben er klaar voor.

Voorspanning

VF Ik...F= 8A, VGE=0V Tvj= 25°C   1.88 2.40

 

V

Tvj= 125°C   1.96  
Tvj= 150°C   1.90  

Piek-omgekeerde terugwinningstroom

IRRM

Ik...F=8A

DIF/dt=-200A/μs (T)vj= 150°C) VR=600V,

VGE=-15V

Tvj= 25°C   6  

Een

Tvj= 125°C 7
Tvj= 150°C 8

Omgekeerde terugvorderingsheffing

QRR Tvj= 25°C   0.68  

μC

Tvj= 125°C 1.22
Tvj= 150°C 1.32

Verlies van energie van omgekeerde terugwinning per puls

Erec Tvj= 25°C   0.27  

MJ

Tvj= 125°C 0.49
Tvj= 150°C 0.53

 

Diode thermische weerstand, verbindingshoesje

RthJCD      

1.90

K/W

 

Werktemperatuur

TJop  

-40

 

150

°C

 

NTC-thermistor

Kenmerkend Waarden 

Artikel 1 Symbool Voorwaarden Waarden Eenheid

Nominale weerstand

R25   TC= 25°C

5.00

B-waarde

R25/50  

3375

K

 

 

 

 

IGBT IGBT

Output kenmerkend IGBT,omvormer (typisch) kenmerkend IGBT,omvormer (typisch)

Ik...C= f (V)CE) IC= f (V)CE) Tvj= 150°C

 

1200V 15A IGBT-modules EasyPIM DS-SPS15P12W1M4-S040600003 5

 

 

 

 

IGBT IGBT

Overdracht kenmerkend IGBT,omvormer (typisch) Schakelaar verliezen IGBT, omvormer (typisch)

Ik...C= f (V)GE) E = f (RG)

VCE= 20V VGE= ±15V, IC= 15A, VCE= 600V

                                                                                                 

 1200V 15A IGBT-modules EasyPIM DS-SPS15P12W1M4-S040600003 6

 

 

IGBT IGBT,(RBSOA)

Overstappen verliezen IGBT, omvormer(Typisch) Terug vooringenomenheid veilig werkend oppervlakte IGBT,omvormer ((RBSOA)

E = f (I)C) IC=f (V)CE)

VGE= ±15V, RG= 40Ω, VCE= 600 V VGE= ±15V, RGoff.= 40Ω, Tvj= 150°C

 

  1200V 15A IGBT-modules EasyPIM DS-SPS15P12W1M4-S040600003 7

 

IGBT

Vergankelijk thermische Impedantie IGBT, omvormer naar voren kenmerkend van Diode, omvormer (typisch)

Zth(j-c) = f (t) IF= f (V)F)

 

    1200V 15A IGBT-modules EasyPIM DS-SPS15P12W1M4-S040600003 8

 

 

 

Overstappen verliezen Diode,omvormer (typisch) Schakelaar verliezen Diode, omvormer (typisch)

Erec= f (RG) Erec= f (IF)

Ik...F= 15A, VCE= 600V RG= 40Ω, VCE= 600V

 

1200V 15A IGBT-modules EasyPIM DS-SPS15P12W1M4-S040600003 9

 

 

Vergankelijk thermische Impedantie Diode, omvormer naar voren kenmerkend van Diode, rechtgever (typisch)

Zth(j-c) = f (t) IF= f (V)F)

 

                                                                                  

1200V 15A IGBT-modules EasyPIM DS-SPS15P12W1M4-S040600003 10

 

                                                                               

IGBT

 Output kenmerkend,rem-helikopter ((typisch) Voorwaarts kenmerkend van Diode, rem-helikopter. (typisch)

Ik...C= f (V)CE) IF= f (V)F)

 

      1200V 15A IGBT-modules EasyPIM DS-SPS15P12W1M4-S040600003 11

                                      

 

NTC-thermistortemperatuur kenmerkend (typisch)

R = f (T)

 

    1200V 15A IGBT-modules EasyPIM DS-SPS15P12W1M4-S040600003 12

 

 

"IGBT 15A 1200V" verwijst naar een geïsoleerde poortbipolaire transistor met een nominale stroom van 15 ampère en een nominale spanning van 1200 volt.Dit type IGBT is geschikt voor toepassingen met matige energiebehoeften, zoals huishoudelijke apparaten, kleine motoren en omvormers met een laag vermogen.en specifieke technische specificaties en gebruiksrichtlijnen zijn te vinden in het gegevensblad van de fabrikant op basis van de specifieke toepassingsvereisten.

 

 

Circuits schema Hoofdstuk 

 

1200V 15A IGBT-modules EasyPIM DS-SPS15P12W1M4-S040600003 13

 

Pakket overzichten 

 

 

1200V 15A IGBT-modules EasyPIM DS-SPS15P12W1M4-S040600003 14

 

 

 

Afmetingen (mm)

mm