GBT-modules (Insulated Gate Bipolar Transistor) met een verpakkingsgrootte van 34 mm zijn krachtelektronica-apparaten die worden gebruikt voor hoogspannings- en hoogstroomtoepassingen.IGBT-modules combineren de eigenschappen van zowel MOSFET's (Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistors) als bipolaire junction transistorsDe 34 mm verpakkingsgrootte verwijst naar de fysieke afmetingen van de module.